據(jù)了解，《意見(jiàn)》提出，到2025年，武漢全市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能級(jí)明顯提升，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更加合理，設(shè)備、材料、封測(cè)配套水平對(duì)關(guān)鍵領(lǐng)域形成有力支撐。

　　產(chǎn)業(yè)規(guī)模方面，到2025年，芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過(guò)1200億元，半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過(guò)1000億元，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。

　　技術(shù)水平方面，到2025年，發(fā)明專利年均增速超過(guò)15%，創(chuàng)建3—5個(gè)國(guó)家級(jí)創(chuàng)新平臺(tái)，牽頭制定2—4項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)一批關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)化和應(yīng)用。

　　市場(chǎng)主體方面，到2025年，培育形成5家銷售收入超過(guò)100億元的芯片企業(yè)、5家銷售收入超過(guò) 100億元的半導(dǎo)體顯示企業(yè)、5家銷售收入超過(guò)10億元的半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)，半導(dǎo)體企業(yè)總數(shù)超過(guò)500家，上市企業(yè)新增3—5家。

　　《意見(jiàn)》提出的重點(diǎn)任務(wù)和產(chǎn)業(yè)布局如下：

　　重點(diǎn)任務(wù)

　　(一)瞄準(zhǔn)薄弱環(huán)節(jié)補(bǔ)鏈

　　1.增強(qiáng)集成電路設(shè)備、材料和封測(cè)配套能力。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦三維集成特色工藝，研發(fā)刻蝕、沉積和封裝設(shè)備，引入化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)機(jī)、離子注入機(jī)等國(guó)產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項(xiàng)目;在材料環(huán)節(jié)，圍繞先進(jìn)存儲(chǔ)器工藝，開(kāi)發(fā)拋光墊、光刻膠、電子化學(xué)品和鍵合材料，布局化學(xué)氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大硅片等材料項(xiàng)目;在封測(cè)環(huán)節(jié)，引進(jìn)和培育國(guó)內(nèi)外封裝測(cè)試領(lǐng)軍企業(yè)，突破先進(jìn)存儲(chǔ)器封裝工藝，推進(jìn)多芯片模塊、芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

　　2.加快半導(dǎo)體顯示設(shè)備和材料國(guó)產(chǎn)化替代。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中小尺寸面板工藝，研發(fā)光學(xué)檢測(cè)、模組自動(dòng)化設(shè)備，引入顯示面板噴印、刻蝕機(jī)、薄膜制備等國(guó)產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項(xiàng)目;在材料環(huán)節(jié)，支持液晶玻璃基板生產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)，加快 OLED 發(fā)光材料、柔性基板材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，引入濾光片、偏光片、靶材等國(guó)產(chǎn)材料生產(chǎn)項(xiàng)目。

　　3.布局第三代半導(dǎo)體襯底及外延制備。在設(shè)備環(huán)節(jié)，支持物理氣相傳輸法(PVT)設(shè)備、金屬有機(jī)化合物氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)等工藝設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;在材料環(huán)節(jié)，引進(jìn)碳化硅(SiC)襯底、SiC 外延、氮化鎵(GaN)襯底生產(chǎn)線，布局 GaN 外延晶片產(chǎn)線。

　　(二)立足現(xiàn)有基礎(chǔ)強(qiáng)鏈

　　1.打造存儲(chǔ)、光電芯片產(chǎn)業(yè)高地。在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，重點(diǎn)引入控制器芯片和模組開(kāi)發(fā)等產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)，研發(fā)超高層數(shù)三維閃存芯片、40 納米以下代碼型閃存、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、三維相變存儲(chǔ)器、存算一體芯片等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片;在光電芯片領(lǐng)域，支持 25G 以上光收發(fā)芯片、50G 以上相干光通信芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，布局硅基光通信芯片、高端光傳感芯片、大功率激光器芯片等高端光電芯片制造項(xiàng)目。

　　2.建設(shè)國(guó)內(nèi)重要半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)基地。在顯示面板領(lǐng)域，引進(jìn)大尺寸 OLED、量子點(diǎn)顯示、亞毫米發(fā)光二極管(MiniLED)顯示等面板生產(chǎn)項(xiàng)目，布局微米級(jí)發(fā)光二極管(MicroLED)顯示、激光顯示、8K 超高清、3D 顯示等未來(lái)顯示技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;在顯示模組領(lǐng)域，支持全面屏、柔性屏模組的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，加快開(kāi)發(fā)高端面板屏下傳感元件及模組，引入光學(xué)鏡頭、背光模組等生產(chǎn)項(xiàng)目，逐步提升對(duì)中高端面板的產(chǎn)業(yè)配套能力。

　　(三)聚焦熱點(diǎn)領(lǐng)域延鏈

　　1.通信射頻芯片。支持 5G 絕緣襯底上硅(SOI)架構(gòu)射頻芯片、射頻電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件研發(fā);面向 5G 基站、核心網(wǎng)、接入網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，重點(diǎn)發(fā)展基帶芯片、通信電芯片、濾波器等關(guān)鍵芯片。

　　2.通用邏輯芯片。加快圖形處理器(GPU)、顯控芯片的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用，提升知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)核對(duì)中央處理器(CPU)、人工智能芯片等邏輯芯片的設(shè)計(jì)支撐能力，布局信創(chuàng)領(lǐng)域處理器項(xiàng)目。

　　3.北斗導(dǎo)航芯片。支持研發(fā)北斗三號(hào)系統(tǒng)的新一代導(dǎo)航芯片、28 納米高精度消費(fèi)類北斗導(dǎo)航定位芯片、新一代多模多頻高精度基帶系統(tǒng)級(jí)芯片;面向交通、物流、農(nóng)業(yè)、城市管理等領(lǐng)域開(kāi)發(fā)通導(dǎo)一體化北斗芯片，拓展北斗應(yīng)用。

　　4.車規(guī)級(jí)芯片。推進(jìn)數(shù)字座艙芯片、駕駛輔助芯片、功率器件、汽車傳感器等車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;面向新能源汽車，布局動(dòng)力系統(tǒng)、主被動(dòng)安全系統(tǒng)、娛樂(lè)信息系統(tǒng)、車內(nèi)網(wǎng)絡(luò)、照明系統(tǒng)車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

　　(四)圍繞前沿領(lǐng)域建鏈

　　1.第三代半導(dǎo)體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等 3 個(gè)應(yīng)用方向，引入碳化硅(SiC)功率晶體管、氮化鎵(GaN)充電模塊、GaN 功率放大器、高光效 LED、MiniLED 等器件項(xiàng)目;支持中高壓 SiC 功率模塊、GaN 5G 射頻開(kāi)關(guān)、紫外 LED 的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，突破 SiC 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、毫米波射頻器件、MicroLED 關(guān)鍵技術(shù)。

　　2.量子芯片。支持單光子源、激光器、探測(cè)器等光量子芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;布局量子傳感器、量子精密測(cè)量器件等生產(chǎn)項(xiàng)目;開(kāi)展量子通信、量子成像、量子導(dǎo)航、量子雷達(dá)、量子計(jì)算芯片共性前沿技術(shù)攻關(guān)。

　　產(chǎn)業(yè)布局

　　(一)打造相對(duì)完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈聚集區(qū)。重點(diǎn)發(fā)展三維集成工藝、先進(jìn)邏輯工藝，加快推進(jìn)先進(jìn)存儲(chǔ)器等重點(diǎn)制造項(xiàng)目建設(shè);重點(diǎn)發(fā)展中高端芯片設(shè)計(jì)、IP 核設(shè)計(jì)、EDA 軟件等產(chǎn)業(yè)，加快推進(jìn)精簡(jiǎn)指令集(RISC—V)產(chǎn)學(xué)研基地建設(shè);培育裝備、材料、零部件、封測(cè)等產(chǎn)業(yè)，加快推進(jìn)硅基 SOI 半導(dǎo)體材料、光刻材料及電子溶劑、筑芯產(chǎn)業(yè)園等配套項(xiàng)目建設(shè)。

　　(二)構(gòu)建差異化半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)核心區(qū)。重點(diǎn)發(fā)展中小尺寸顯示面板、大尺寸顯示面板等產(chǎn)業(yè)，加快半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)鏈向上下游延伸發(fā)展，培育核心設(shè)備、關(guān)鍵材料、模組、元器件、顯示終端等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)華星 t4、華星 t5、天馬 G6 二期、京東方 10.5 代線擴(kuò)產(chǎn)、創(chuàng)維 MiniLED 顯示產(chǎn)業(yè)園等項(xiàng)目建設(shè)。

　　(三)創(chuàng)建半導(dǎo)體特色產(chǎn)業(yè)區(qū)。重點(diǎn)發(fā)展光電芯片、第三代化合物半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)紅外傳感芯片制造、微機(jī)電(MEMS)與傳感工業(yè)技術(shù)研究院等項(xiàng)目建設(shè);培育車規(guī)級(jí)芯片、工控芯片等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)國(guó)家新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車基地建設(shè);培育顯示芯片、信息安全芯片等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)國(guó)家網(wǎng)絡(luò)安全人才與創(chuàng)新基地建設(shè);培育人工智能芯片、通用邏輯芯片等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)國(guó)家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗(yàn)區(qū)建設(shè)。