中國(guó)北京2021年12月16日 –日前，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)(CASAS)主辦、泰克科技(中國(guó))有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協(xié)辦的“2021 第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”在深圳召開。來自國(guó)內(nèi)材料、器件、設(shè)備、應(yīng)用以及檢測(cè)領(lǐng)域60余人出席了此次會(huì)議。會(huì)議主題圍繞功率器件測(cè)試、產(chǎn)品評(píng)價(jià)與標(biāo)準(zhǔn)制定面臨的問題等展開。

　　作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的理事單位，泰克科技與高校、科研機(jī)構(gòu)攜手努力，站在產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的前沿，參與標(biāo)準(zhǔn)的討論制定，通過領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案，解決工程師的困擾，以破解產(chǎn)業(yè)難題為己任。

       第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山與安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理姜克共同主持了研討會(huì)，并與參會(huì)嘉賓現(xiàn)場(chǎng)交流答疑。本次研討會(huì)共邀請(qǐng)了7個(gè)主題報(bào)告，一個(gè)互動(dòng)環(huán)節(jié)的引言報(bào)告。來自高校、企業(yè)、檢測(cè)機(jī)構(gòu)的8名專家就所在領(lǐng)域的技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)研究進(jìn)展做了匯報(bào)，分享了研究成果。

　　重慶大學(xué)鐘笑寒博士分享了碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值電壓穩(wěn)定性研究，東南大學(xué)魏家行副研究員分享了SiC功率MOSFET器件退化表征方法研究，北京工業(yè)大學(xué)郭春生副教授分享了反并聯(lián)FRD的SiC MOSFET模塊熱阻測(cè)試方法研究，重慶大學(xué)曾正副教授分享了SiC器件開關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)，合肥工業(yè)大學(xué)趙爽副研究員分享了10kV碳化硅MOSFET的測(cè)試以及挑戰(zhàn)，泰克科技(中國(guó))有限公司業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理孫川分享了第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測(cè)試方法和實(shí)現(xiàn)，工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級(jí)工程師彭超博士分享了SiC MOS器件輻射可靠性及失效機(jī)理研究。在互動(dòng)討論環(huán)節(jié)，中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所高級(jí)工程師劉奧做關(guān)于SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)制定的幾點(diǎn)討論的引言報(bào)告。

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)盟”)是在國(guó)家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導(dǎo)體相關(guān)的科研機(jī)構(gòu)、高等院校、龍頭企業(yè)自愿發(fā)起并在民政部門正式注冊(cè)成立的社團(tuán)法人，是為第三代半導(dǎo)體及相關(guān)新興產(chǎn)業(yè)提供全方位創(chuàng)新服務(wù)的新型組織。聯(lián)盟通過在全球范圍內(nèi)集成和共享創(chuàng)新資源，構(gòu)建以市場(chǎng)為牽引、研發(fā)、產(chǎn)業(yè)、資本深度融合的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體的跨區(qū)域、跨學(xué)科、跨行業(yè)的協(xié)同發(fā)展。

　　關(guān)于泰克科技

　　泰克公司總部位于美國(guó)俄勒岡州畢佛頓市，致力提供創(chuàng)新、精確、操作簡(jiǎn)便的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)解決方案，解決各種問題，釋放洞察力，推動(dòng)創(chuàng)新能力。70多年來，泰克一直走在數(shù)字時(shí)代前沿。