多芯片封裝互聯(lián)密度提升十倍,英特爾的技術實力怎么樣?

時間:2021-12-14

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導語:據(jù)公開資料顯示,在 2021 年 IEEE 國際電子設備會議上,英特爾公布了多芯片混合封裝互聯(lián)密度提高 10 倍、晶體管密度提升 30%-50%、新的電源和存儲器技術以及量子計算芯片技術等等。

       近日,根據(jù)外媒 VideoCardz 報道,英特爾今日發(fā)表文章,公布了突破摩爾定律的三種新技術。這些技術的目標是在 2025 年之后,還能夠使得芯片技術繼續(xù)發(fā)展。

       據(jù)公開資料顯示,在 2021 年 IEEE 國際電子設備會議上,英特爾公布了多芯片混合封裝互聯(lián)密度提高 10 倍、晶體管密度提升 30%-50%、新的電源和存儲器技術以及量子計算芯片技術等等。

  英特爾闡述了目前已經(jīng)公布的一些創(chuàng)新技術,包括 Hi-K 金屬柵極、FinFET 晶體管、RibbonFET 等。在路線圖中,英特爾還展現(xiàn)了多種芯片工藝,其中包括 Intel 20A 制程,將邏輯門的體積進一步縮小,名為 Gate All Around。

  智慧芽專家表示,截至最新,英特爾及其關聯(lián)公司在126個國家/地區(qū)中,共有27萬余件專利申請,其中與芯片直接相關的專利有約11602件。對直接相關的芯片專利而言,從專利趨勢上來看,2002年到2010年,英特爾專利申請量較為平穩(wěn),而2011年英特爾的芯片專利申請有小爆發(fā)。

  就Ribbon直接相關專利技術而言,英特爾有51組上述領域直接相關專利申請,英特爾在上述領域的專利申請十分分散,近幾年的年專利申請都不到10件,該領域的技術主要是和晶體管以及半導體相關。

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