大到航空航天裝備，小到羽毛球拍等體育用品，碳基新材料正在各個“物件”中大顯身手;制備出高密度高純半導體陣列碳納米管材料，并在此基礎(chǔ)上實現(xiàn)性能超越同等柵長硅基CMOS技術(shù)的晶體管和電路，展現(xiàn)出碳管電子學的優(yōu)勢，現(xiàn)階段，碳基新材料猶如一顆冉冉升起的新星。

　　8月24日，工信部網(wǎng)站正式發(fā)布答復政協(xié)十三屆全國委員會第四次會議第1095號提案的函件。函件顯示，下一步，工信部將以重大關(guān)鍵技術(shù)突破和創(chuàng)新應用需求為主攻方向，進一步強化產(chǎn)業(yè)政策引導，將碳基材料納入“十四五”原材料工業(yè)相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，并將碳化硅復合材料、碳基復合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，以全面突破關(guān)鍵核心技術(shù)，攻克“卡脖子”品種，提高碳基新材料等產(chǎn)品質(zhì)量，推進產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化。

       (來源：工信部官網(wǎng))

　　碳基芯片將被定義為下一代主流

　　芯片先進制程工藝正逐漸接近物理極限，想要進一步提升芯片性能，從材料突圍是重要途徑之一。IMEC(歐洲微電子研究中心)近日在公開會議上提出了四種延續(xù)摩爾定律、打破2納米硅基芯片物理極限的方法。經(jīng)過討論，專家組最終達成一致意見，碳基芯片將被定義為下一個芯片時代的主流。

　　碳基材料在碳基納米材料基礎(chǔ)上發(fā)展，以碳納米管(CNT)、石墨烯為代表。ITRS研究報告曾明確指出，未來半導體行業(yè)的研究重點應聚焦于碳基電子學。制備出高密度高純半導體陣列碳納米管材料，并在此基礎(chǔ)上實現(xiàn)性能超越同等柵長硅基CMOS技術(shù)的晶體管和電路，展現(xiàn)出碳管電子學的優(yōu)勢，碳基半導體被認為是后摩爾時代的顛覆性技術(shù)之一，碳基材料領(lǐng)域正蘊藏著全新機遇。

　　目前，國內(nèi)研究機構(gòu)在碳基材料(碳基半導體)領(lǐng)域取得了較為顯著的研究進展，解決了長期困擾碳基半導體材料制備的材料純度、密度和面積問題。但是，我國高端碳基材料尚未跨越從實驗室到市場的“死亡谷”，目前還沒有實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化發(fā)展。

　　對新興產(chǎn)業(yè)的研發(fā)是一個“道阻且長”的漫長周期，至少要確保十年以上的資金投入，綜合算下來，對碳基材料研究所需要的資金數(shù)額可達幾十億元。由于投資回報前景不明朗，直到現(xiàn)在還沒有太多國內(nèi)企業(yè)關(guān)注到該研究價值。

　　國內(nèi)碳基半導體產(chǎn)業(yè)化突破可期

　　產(chǎn)業(yè)發(fā)展，政策先行。可喜的是，在碳基材料引發(fā)各方關(guān)注之際，有關(guān)部門率先對碳基材料領(lǐng)域給予了政策支持。

　　業(yè)內(nèi)有觀點認為，碳基半導體有望助力國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“彎道超車”。相信在相關(guān)政策的有力支持之下，國內(nèi)碳基半導體的產(chǎn)業(yè)化之路可以形成突破。

　　值得一提的是，從官方消息可知，即將出臺的政策覆蓋的領(lǐng)域其實非常廣闊，并不僅僅局限于半導體領(lǐng)域。比如，“碳化硅復合材料”這一關(guān)鍵詞就與碳化硅寬禁帶半導體材料有所差異。芯謀研究研究總監(jiān)宋長庚向《中國電子報》記者表示，碳化硅復合材料，是指多晶碳化硅作為材料的骨架或者增強相，或許并不是用來做集成電路的單晶碳化硅?！皬秃喜牧现饕邆鋸姸雀?、重量輕的優(yōu)點，比如在最新的大飛機上，為了減重，就會用很多復合材料。”宋長庚對記者說。

　　另一關(guān)鍵詞“碳基復合材料”也非常值得關(guān)注。公開信息顯示，碳基復合材料是以碳纖維(織物)或碳化硅等陶瓷纖維(織物)為增強體，以碳為基體的復合材料的總稱，主要在航空航天工業(yè)、能源技術(shù)、信息技術(shù)等領(lǐng)域有很好的應用前景。