這幾年,天字一號代工廠臺積電在新工藝進展上簡直是開掛一般的存在,7nm工藝全面普及,5nm工藝一路領(lǐng)先,3nm工藝近在眼前,2nm工藝也進展神速。
根據(jù)最新報道,臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內(nèi)部突破,雖未披露細節(jié),但是據(jù)此樂觀預計,2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產(chǎn),2024年就能步入量產(chǎn)階段。
臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,同時延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。
臺積電預計,蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。
2nm工藝上,臺積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場效應晶體管),甚至不使用三星規(guī)劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環(huán)繞柵極場效應晶體管),也就是納米線(nanowire),而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應晶體管),也就是納米片(nanosheet)。
從GAAFET到MBCFET,從納米線到納米片,可以視為從二維到三維的躍進,能夠大大改進電路控制,降低漏電率。
當然,新工藝的成本越發(fā)會成為天文數(shù)字,三星已經(jīng)在5nm工藝研發(fā)上已經(jīng)投入了大約4．8億美元,3nmGAAFET上會大大超過5億美元。
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