國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)解讀了歐盟的微電子發(fā)展戰(zhàn)略

時(shí)間:2019-02-25

來(lái)源: IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì)

導(dǎo)語(yǔ):2019年1月14日,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational,簡(jiǎn)稱(chēng)SEMI)解讀了歐盟的微電子發(fā)展戰(zhàn)略。

2019年1月14日,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational,簡(jiǎn)稱(chēng)SEMI)解讀了歐盟的微電子發(fā)展戰(zhàn)略。

國(guó)際半導(dǎo)體,微電子

2018年12月,歐盟委員會(huì)基于歐洲共同利益重要計(jì)劃(ImportantProjectsofCommonEuropeanInterest,簡(jiǎn)稱(chēng)IPCEI)批準(zhǔn)了由英、法、德、意四國(guó)29家公司與科研機(jī)構(gòu)共同承擔(dān)的“歐洲微電子聯(lián)合項(xiàng)目”。

項(xiàng)目計(jì)劃于2024年完成,除參與國(guó)家的政府撥款17.5億歐元外,還將配套60億歐元私人投資,研發(fā)重點(diǎn)聚焦于五大方向:(1)低功耗芯片;(2)功率半導(dǎo)體;(3)傳感器;(4)先進(jìn)光學(xué)設(shè)備;(5)化合物材料。

涉及機(jī)構(gòu)不僅包括傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體垂直整合廠商(IDM)——英飛凌、意法半導(dǎo)體,模擬/混合信號(hào)集成電路IDM——X-FAB,還包括科研機(jī)構(gòu)——法國(guó)原子能委員會(huì)與電子信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室(CEA-Leti),晶圓代工企業(yè)——格羅方德的德累斯頓工廠,以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游的配套企業(yè)——光學(xué)巨頭卡爾·蔡司、光罩生產(chǎn)商AMTC和博世機(jī)器人。

結(jié)合項(xiàng)目研發(fā)重點(diǎn)與涉及機(jī)構(gòu),可歸納出歐盟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略:

(1)鞏固自身在功率半導(dǎo)體和模擬集成電路上的優(yōu)勢(shì);

(2)退出先進(jìn)制程邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng);

(3)在上游的材料與設(shè)備領(lǐng)域,重點(diǎn)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料、光罩和光學(xué)設(shè)備;

(4)將下游應(yīng)用集中于物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)電子。

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