雖然2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)保持了兩位數(shù)增長(zhǎng)，但據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將進(jìn)入低迷期，增長(zhǎng)將回歸個(gè)位數(shù)。國(guó)內(nèi)企業(yè)在全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境不確定性增強(qiáng)和市場(chǎng)低迷的影響下，增長(zhǎng)率也將同比下降。

回顧2018年，集成電路技術(shù)仍沿著摩爾定律不斷迭代演進(jìn)，在集成電路設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)等方面都取得了顯著成果。

（1）集成電路設(shè)計(jì)

2018年，集成電路設(shè)計(jì)方面，手機(jī)芯片、人工智能芯片、礦機(jī)芯片等成為引領(lǐng)技術(shù)變革的重要產(chǎn)品。

華為、蘋(píng)果、高通紛紛發(fā)布7nm手機(jī)芯片，融合了更強(qiáng)的計(jì)算處理和人工智能技術(shù)。2018年9月，華為發(fā)布了全新一代芯片麒麟980，這是全球首款采用7nm工藝制程的商用級(jí)手機(jī)芯片，也是全球第一個(gè)采用ARM強(qiáng)大的新型CortexA76CPU；同時(shí)是全球第一個(gè)采用集成雙核NPU設(shè)計(jì)的芯片和全球第一個(gè)采用Mali的新G76顯卡芯片。

同月，蘋(píng)果發(fā)布了新款iPhone，新手機(jī)首次使用了7nm進(jìn)程工藝制造的A12仿生芯片。蘋(píng)果A12仿生芯片具有6核CPU和4核GPU，還有蘋(píng)果公司自家的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)機(jī)器學(xué)習(xí)功能，6核中有2個(gè)高功率核心和4個(gè)低功率核心，高功率核心的速度比之前的芯片快15%，耗電減少40%，而新版的低功率核心比之前芯片的耗電低50%。

同時(shí)，英偉達(dá)、AMD等公司則繼續(xù)發(fā)力人工智能市場(chǎng)，其GPU廣泛應(yīng)用于人工智能云端訓(xùn)練和推理。在英偉達(dá)公司2019財(cái)年第一季度的財(cái)報(bào)當(dāng)中，其表現(xiàn)再次超出預(yù)期--總收入增長(zhǎng)66%，強(qiáng)勁的數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)增長(zhǎng)71%（本季度收入達(dá)到1.7億美元）。對(duì)于英偉達(dá)公司而言，“數(shù)據(jù)中心”業(yè)務(wù)部分包括高性能計(jì)算（簡(jiǎn)稱HPC）、數(shù)據(jù)中心托管圖形以及人工智能加速幾大組成部分。

2019年我國(guó)先進(jìn)工藝和存儲(chǔ)技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)突破

（2）集成電路制造

臺(tái)積電和三星在先進(jìn)工藝制程繼續(xù)競(jìng)賽領(lǐng)跑，相繼實(shí)現(xiàn)7nm工藝量產(chǎn)，進(jìn)一步鞏固代工優(yōu)勢(shì)，三星、東芝、英特爾等相繼推出96層NAND存儲(chǔ)技術(shù)，DRAM也加速邁向1ynm；我國(guó)中芯國(guó)際也實(shí)現(xiàn)16/14nm工藝小規(guī)模量產(chǎn)，縮短與國(guó)外差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華也實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)工藝突破，在做量產(chǎn)前準(zhǔn)備。

2019年8月份，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布突破性技術(shù)XtackingTM，該技術(shù)將為3DNAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在2019年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3DNAND閃存芯片。

（3）集成電路封測(cè)

集成電路封測(cè)方面，扇出型封裝等高端封裝技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)激烈。臺(tái)積電、日月光等仍為技術(shù)引領(lǐng)龍頭，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技等企業(yè)也在積極擴(kuò)產(chǎn)加快部署。長(zhǎng)電科技在2018年上半年全球前十大IC封測(cè)代工企業(yè)排行榜中位居第三。長(zhǎng)電科技在晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)明了“晶圓級(jí)芯片六側(cè)面體包覆封裝技術(shù)”；在國(guó)內(nèi)和韓國(guó)工廠實(shí)現(xiàn)了高集成度和高精度SiP模組的大規(guī)模量產(chǎn)；開(kāi)發(fā)了用于智能手機(jī)處理器的FC-POP封裝技術(shù)；全資子公司長(zhǎng)電先進(jìn)已成為全球最大的集成電路Fan-inWLCSP封裝基地之一。華天科技開(kāi)發(fā)了0.25mm超薄指紋封裝工藝，實(shí)現(xiàn)了射頻產(chǎn)品4GPA的量產(chǎn)；MEMS產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了多元化發(fā)展，開(kāi)發(fā)了心率傳感器、高度計(jì)及AMR磁傳感器并成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；其TSV+SiP指紋識(shí)別封裝產(chǎn)品成功應(yīng)用于華為系列手機(jī)。通富微電率先實(shí)現(xiàn)了7nmFC產(chǎn)品量產(chǎn)；高腳數(shù)FC-BGA封裝技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)，為CPU國(guó)產(chǎn)化提供了有力保障；建立第一條12英寸FANOUT工藝量產(chǎn)線，線寬2um/線距2um；CuPillar實(shí)現(xiàn)10nm產(chǎn)品的量產(chǎn)；成功研發(fā)生產(chǎn)出業(yè)界集成度最佳的射頻物聯(lián)網(wǎng)集成模塊；國(guó)內(nèi)首條12寸GoldBump生產(chǎn)線成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

展望2019年

在5G、人工智能等需求驅(qū)動(dòng)下技術(shù)將繼續(xù)加快變革創(chuàng)新，臺(tái)積電和三星等代工廠將取代Intel承擔(dān)起推動(dòng)摩爾定律前行的重任，預(yù)計(jì)2019年將實(shí)現(xiàn)5nm工藝試產(chǎn)，2020年量產(chǎn)。制造業(yè)格局的變化和摩爾定律物理極限的逼近，也讓更多企業(yè)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)站在同一起跑線上，催生出更多體系架構(gòu)創(chuàng)新、應(yīng)用產(chǎn)品創(chuàng)新和異構(gòu)集成技術(shù)創(chuàng)新，如為適應(yīng)5G高頻需求，高通聯(lián)合村田公司采用將天線、射頻前端和收發(fā)器整合成單一系統(tǒng)的AiP（AntennainPackage）封裝技術(shù)，預(yù)計(jì)在5G商用后實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。我國(guó)領(lǐng)先設(shè)計(jì)企業(yè)也將共享集成電路代工技術(shù)進(jìn)步紅利，逐步縮小于國(guó)外先進(jìn)水平的差距，中芯國(guó)際將加快14nm及以下工藝的技術(shù)追趕步伐。長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等將分別實(shí)現(xiàn)NAND和DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)我國(guó)自主品牌存儲(chǔ)器產(chǎn)品重大突破。

聲明：本文為轉(zhuǎn)載類文章，如涉及版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們刪除（QQ: 2737591964），不便之處，敬請(qǐng)諒解！