隨著存儲(chǔ)器價(jià)格的下滑，接下來全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將面臨一輪新的低迷。對(duì)此，半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際協(xié)會(huì)（SEMI），日前已經(jīng)將2019年全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)期資本支出，下調(diào)至更低的水平上。其中，SEMI預(yù)測半導(dǎo)體大國韓國，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出與2018年相較，將下降34.7%。但是在中國臺(tái)灣地區(qū)，則預(yù)期將會(huì)逆勢成長，較2018年成長24.2%，達(dá)到114.38億美元。
根據(jù)SEMI最近的最新報(bào)告中指出，2019年全球晶圓廠設(shè)備支出總額可能達(dá)到557.8億美元，相較2018年減少7.8%。這樣的數(shù)字較2018年9月時(shí)提出的675億美元，成長表現(xiàn)已經(jīng)從之前14%下調(diào)到當(dāng)前9%。其中，在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的部分，制造商的資本支出預(yù)計(jì)將下降19%，而不是原本預(yù)計(jì)的成長3%。而在DRAM產(chǎn)業(yè)方面，估計(jì)2019年將下降23%，NANDFlash的部分則是下滑13%。
此外，針對(duì)半導(dǎo)體大國韓國，2019年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出，預(yù)計(jì)將達(dá)到120.87億美元，較2018年下降34.7%，這將有可能引發(fā)整體產(chǎn)業(yè)的衰退潮。至于，在中國半導(dǎo)體方面，2018年資本支出雖然成長84.3%，但預(yù)計(jì)2019年將下降2%，金額將達(dá)到119.57億美元。
另外，預(yù)計(jì)中國臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出將達(dá)114.38億美元，較2018年成長24.2%，這方面歸功于臺(tái)積電在7納米以下新的先進(jìn)制程投資所造成結(jié)果。至于美國存儲(chǔ)器大廠美光，則將成長28%，金額達(dá)到105億美元。
而SEMI表示，為了因應(yīng)2019年面臨的半導(dǎo)體景氣逆風(fēng)，韓國三星電子可能會(huì)減少對(duì)平澤的P1廠和P2廠設(shè)施，以及華城的S3廠的相關(guān)資本投資。至于，一心想擴(kuò)展DRAM產(chǎn)業(yè)的韓國另一家半導(dǎo)體大廠SK海力士，預(yù)計(jì)將放慢DRAM技術(shù)發(fā)展的速度。而除了韓國半導(dǎo)體公司之外，SEMI還表示，格芯也正在重新考慮其在成都新建廠的計(jì)劃。還有中芯國際以及聯(lián)華電子目前也正在進(jìn)行相關(guān)資本支出延遲的規(guī)劃。
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