佳能公司宣布將于2018年12月下旬發(fā)布針對半導(dǎo)體曝光設(shè)備后道工序的i線光刻機(jī)※1「FPA-5520iV」系列的高分辨率新產(chǎn)品“FPA-5520iVHROption”,強(qiáng)化FOWLP※2功能,并進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率。
FOWLP功能的半導(dǎo)體曝光設(shè)備市場正在擴(kuò)大。在FOWLP封裝技術(shù)市場中,對高密度布線的需求高,進(jìn)而提高了對分辨率的要求。
新產(chǎn)品在繼承了“FPA-5520iV”(2016年7月上市)的強(qiáng)大FOWLP功能及高生產(chǎn)效率等基本性能的同時,進(jìn)一步提高了分辨率,達(dá)0.8微米※3。
實現(xiàn)分辨率0.8微米
“FPA-5520iV”原本具有1.0微米的分辨率,而在“FPA-5520iVHROption”中采用了全新投射光學(xué)系統(tǒng),使針對封裝的光刻機(jī)可以實現(xiàn)分辨率0.8微米的微細(xì)圖形加工,達(dá)到業(yè)界最高水平※4。由此,半導(dǎo)體芯片可更小,而且能夠增加信息處理量,提升處理速度。
繼承“FPA-5520iV”的基本性能
新產(chǎn)品同時也繼承了“FPA-5520iV”已實現(xiàn)的多個基本性能。如可以靈活應(yīng)對再構(gòu)成基板※5變形等FOWLP技術(shù)中的量產(chǎn)問題,以及在芯片排列偏差較大的再構(gòu)成基板上檢測校準(zhǔn)標(biāo)記※6、從而提高生產(chǎn)效率等性能。
佳能未來將繼續(xù)提供針對半導(dǎo)體曝光設(shè)備的多種解決方案和升級選項等,來滿足市場需求。
※1使用水銀燈波長為365納米光源的半導(dǎo)體曝光設(shè)備。1納米是10億分之一米。
※2FanOutWaferLevelPackage的簡寫。封裝技術(shù)的一種。有可以應(yīng)對無基板、封裝面積比芯片大且引腳較多的封裝等優(yōu)勢。
※31微米是100萬分之一米。(=1000分之一毫米)
※4判斷條件為同等級的i線光刻機(jī),并硅片平坦度相同的情況。截止2018年12月10日。(佳能調(diào)查)
※5將從半導(dǎo)體光刻機(jī)前道工序中制造的晶元中取出多個半導(dǎo)體芯片原件并排列,用樹脂固定成晶元形狀的基板。
※6用來校準(zhǔn)曝光設(shè)備在基板上的位置。通過觀察和測量多個標(biāo)記,精密把握曝光裝置的位置。
半導(dǎo)體曝光設(shè)備的市場動向
通過微型化實現(xiàn)高度集成的半導(dǎo)體元件制造工藝暫時處于停滯狀態(tài)。作為微型化以外的高度集成方法之一,提高封裝布線密度的方案被提出。其中,F(xiàn)OWLP作為最有力的技術(shù)受到廣泛關(guān)注,伴隨后道工序制造廠商量產(chǎn)化趨勢逐漸興起的同時,F(xiàn)OWLP的RDL※微型化也得到了發(fā)展。
※RedistributionLayer的簡寫。從芯片上的高密度的端點到封裝間布線的層。
主要商品規(guī)格