【中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng) 市場(chǎng)分析】 提到半導(dǎo)體，相信大家都不會(huì)陌生了。從今年中興事件開始，半導(dǎo)體行業(yè)，芯片這些詞被頻頻推到公眾的眼前。這篇文章將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的開端，將會(huì)分成上中下游是三個(gè)部分給大家展現(xiàn)一個(gè)真實(shí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

從大方向來說：

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最上游是IC設(shè)計(jì)公司與硅晶圓制造公司，IC設(shè)計(jì)公司依客戶的需求設(shè)計(jì)出電路圖，硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測(cè)廠實(shí)施封裝與測(cè)試，就算完成了。

晶圓材料主要有硅片、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助設(shè)備、濕制程、濺射靶、拋光液、其他材料。封裝材料主要有層壓基板、引線框架、焊線、模壓化合物、底部填充料、液體密封劑、粘晶材料、錫球、晶圓級(jí)封裝介質(zhì)、熱接口材料。

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，由于高端產(chǎn)品技術(shù)壁壘高，國(guó)內(nèi)企業(yè)長(zhǎng)期研發(fā)投入和積累不足，我國(guó)半導(dǎo)體材料在國(guó)際分工中多處于中低端領(lǐng)域，高端產(chǎn)品市場(chǎng)主要被歐美日韓臺(tái)等少數(shù)國(guó)際大公司壟斷，比如：硅片全球市場(chǎng)前六大公司的市場(chǎng)份額達(dá)90％以上，光刻膠全球市場(chǎng)前五大公司的市場(chǎng)份額達(dá)80％以上，高純?cè)噭┤蚴袌?chǎng)前六大公司的市場(chǎng)份額達(dá)80％以上，CMP材料全球市場(chǎng)前七大公司市場(chǎng)份額達(dá)90％。

國(guó)內(nèi)大部分產(chǎn)品自給率較低，基本不足30％，并且大部分是技術(shù)壁壘較低的封裝材料，在晶圓制造材料方面國(guó)產(chǎn)化比例更低，主要依賴于進(jìn)口。另外，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)集中于6英寸以下生產(chǎn)線，目前有少數(shù)廠商開始打入國(guó)內(nèi)8英寸、12英寸生產(chǎn)線。

一、大硅片（占比33％）

硅片是最主要的半導(dǎo)體材料，歷年來硅晶圓片的市場(chǎng)銷售額占整個(gè)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)總銷售額的32％～40％。在具體的硅片方面，目前主流的硅片為300mm（12英寸）、200mm（8英寸）和150mm（6英寸）。單晶硅片直徑越大，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。12英寸硅片自2009年開始市場(chǎng)份額超過50％，到2015年的份額已經(jīng)達(dá)到78％。12英寸大硅片主要用于生產(chǎn)90nm－28nm及以下特征尺寸（16nm和14nm）的存儲(chǔ)器、數(shù)字電路芯片及混合信號(hào)電路芯片，多用于PC、平板、手機(jī)等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)你知道多少？

半導(dǎo)體硅片具有極高的技術(shù)壁壘，全球市場(chǎng)呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局，日本信越和SUMCO（由三菱硅材料和住友材料Sitix分部合并而來）一直占據(jù)主要市場(chǎng)份額，雙方約各占30％左右，日本在切、磨、拋設(shè)備及漿料、切削油等材料方面占據(jù)主導(dǎo)地位。其他主要公司有德國(guó)Siltronic（德國(guó)化工企業(yè)Wacker的子公司）、韓國(guó)LGSiltron、美國(guó)MEMC和臺(tái)灣環(huán)球晶圓四家公司。上述6家供應(yīng)商合計(jì)占據(jù)全球90％以上的市場(chǎng)份額。

國(guó)內(nèi)大硅片領(lǐng)先企業(yè)——上海新陽曾透露，該公司12英寸大硅片生產(chǎn)線所用的拉晶爐主要采購自韓國(guó)、日本、德國(guó)，切割、研磨、拋光設(shè)備主要采購自日本，部分非關(guān)鍵設(shè)備采購自韓國(guó)和臺(tái)灣。

雖然目前差距甚大，但是中國(guó)企業(yè)的追趕也已經(jīng)起步。10月16日，晶盛機(jī)電股份宣布與中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料就集成電路用8－12英寸半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目四工段設(shè)備采購第一包及第二包簽訂了設(shè)備購銷合同，合同金額合計(jì)4．028億元。根據(jù)合同，雙方就半導(dǎo)體單晶爐與半導(dǎo)體單晶硅切斷機(jī)、滾磨機(jī)設(shè)備達(dá)成合作。其中，半導(dǎo)體單晶爐合同總價(jià)款為3．6億元，按月分批交貨，于2019年5月底前交付全部設(shè)備；半導(dǎo)體單晶硅切斷機(jī)、滾磨機(jī)合同總價(jià)款4240萬元，按月分批交貨，2019年8月底前交付全部設(shè)備。亞化咨詢認(rèn)為，此次中標(biāo)，是半導(dǎo)體單晶爐國(guó)產(chǎn)化的一大步。

2012年到2017年，全球半導(dǎo)體硅片出貨面積穩(wěn)定增長(zhǎng)。SEMI最新數(shù)據(jù)顯示，全球硅片出貨面積在2018年上半年達(dá)到62．44億平方英寸，同比增長(zhǎng)7．0％。隨著全球硅片面積和硅片價(jià)格的同時(shí)上漲，亞化咨詢預(yù)計(jì)2018年全球硅片市場(chǎng)將達(dá)到110億美元。

中國(guó)積極布局半導(dǎo)體大硅片生產(chǎn)制造領(lǐng)域。直至目前，中國(guó)在8及12英寸硅片生產(chǎn)上已投資數(shù)百億元人民幣。亞化咨詢數(shù)據(jù)顯示，未來中國(guó)新增8英寸硅片設(shè)計(jì)產(chǎn)能將超過210萬片／月。未來新增產(chǎn)能將帶動(dòng)半導(dǎo)體材料及設(shè)備的強(qiáng)勁需求。

目前，國(guó)內(nèi)8寸的硅片生產(chǎn)廠商僅有浙江金瑞泓、北京有研總院、河北普興、南京國(guó)盛、上海新傲等少數(shù)廠商，遠(yuǎn)沒有滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，12寸硅片目前全部采用進(jìn)口，可以說是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上缺失的一環(huán)。

1）上海新陽：由上海硅產(chǎn)業(yè)投資公司投資（持股62．82％）、上海新陽參股（持股27．56％）的上海新昇300mm大硅片項(xiàng)目從2017年第二季度開始已經(jīng)向中芯國(guó)際等代工廠提供樣片進(jìn)行認(rèn)證，并實(shí)現(xiàn)擋片、陪片、測(cè)試片等產(chǎn)品銷售。受晶圓供應(yīng)緊張影響，下游客戶加快了認(rèn)證進(jìn)度，目前已經(jīng)與中芯國(guó)際、武漢新芯、華力微電子三家公司簽署了采購意向性協(xié)議。一期15萬片／月的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)在2018年年中實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)；上海新昇總規(guī)劃產(chǎn)能為60萬片／月，預(yù)計(jì)在2021年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)。如果一切較為順利，這將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，具有重要的戰(zhàn)略意義。

晶盛機(jī)電、中環(huán)股份：晶盛機(jī)電和中環(huán)股份攜手無錫市，宣布共同投資30億美元在宜興建設(shè)集成電路用大硅片生產(chǎn)與制造項(xiàng)目。

二、電子特種氣體（14％）

電子氣體在電子產(chǎn)品制程工藝中廣泛應(yīng)用于薄膜、蝕刻、摻雜等工藝，被稱為半導(dǎo)體、平面顯示等材料的“糧食”和“源”。電子特種氣體又可劃分為摻雜氣、外延氣、離子注入用氣、LED用氣、蝕刻用氣、化學(xué)汽相沉淀用氣、載運(yùn)和稀釋氣體等幾大類，種類繁多，在半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用的有110余種電子氣體，常用的有20－30種。

電子特種氣體行業(yè)集中度高，主要企業(yè)有美國(guó)空氣化工、美國(guó)普萊克斯、德國(guó)林德集團(tuán)、法國(guó)液化空氣和日本大陽日酸株式會(huì)社，五大氣體公司占有全球90％以上的市場(chǎng)份額，上述企業(yè)也占據(jù)了我國(guó)電子特種氣體的主要市場(chǎng)份額。國(guó)產(chǎn)電子氣體已開始占據(jù)一定的市場(chǎng)份額，經(jīng)過多年發(fā)展，國(guó)內(nèi)已有部分企業(yè)在部分產(chǎn)品方面攻克技術(shù)難關(guān)。四川科美特生產(chǎn)的四氟化碳進(jìn)入臺(tái)積電12寸臺(tái)南28nm晶圓加工生產(chǎn)線，目前公司已經(jīng)被上市公司雅克科技收購；金宏氣體自主研發(fā)7N電子級(jí)超純氨打破國(guó)外壟斷，主要上市公司有雅克科技、南大光電、巨化股份。

三、光掩模板（13％）

掩膜版是在IC制作過程中，利用光刻蝕技術(shù)把設(shè)計(jì)好的電路圖形復(fù)制于晶圓上。我們把電腦上設(shè)計(jì)出來的電路圖用光照到金屬／玻璃薄膜上，制造出掩膜。我們?cè)侔褎傊谱骱玫难谀どw在硅片上，當(dāng)光通過掩膜照射，電路圖就＂印制＂在硅晶片上。如果我們按照電路圖使應(yīng)該導(dǎo)電的地方連通，應(yīng)該絕緣的地方斷開，這樣我們就在硅片上形成了所需要的電路。

掩膜版質(zhì)量的優(yōu)劣直接影響光刻的質(zhì)量。在芯片制造過程中需要經(jīng)過十幾甚至幾十次的光刻，每次光刻都需要一塊光刻掩膜版，每塊光刻掩膜版的質(zhì)量都會(huì)影響光刻的質(zhì)量。一般來說，通過一系列光學(xué)系統(tǒng)將掩膜版上的圖形按照4：1的比例投影在晶圓上的光刻膠涂層上，如果晶圓的最小線寬要達(dá)到28nm，掩膜版上的最小線寬只要達(dá)到112nm即可。然而隨著線寬的不斷縮小，光衍射導(dǎo)致的投影圖形對(duì)比度和失真問題也相應(yīng)出現(xiàn)，這對(duì)掩膜版制造廠商的技術(shù)提出了更多的要求。

全球主要的晶圓制造廠商，如Intel、Globalfoundries、IBM、TSMC、UMC、Samsung等都有自己的專業(yè)工廠來生產(chǎn)自身需要的掩膜版，最先進(jìn)的制程所需的掩膜版技術(shù)也就自然而然掌握在這些國(guó)際巨頭手中。不過近些年，掩膜版外包的趨勢(shì)非常的明顯，特別是對(duì)于一些60nm及90nm以上制程的低端產(chǎn)品，外包的現(xiàn)象非常明顯。

目前全球?qū)I(yè)的掩膜版廠商包括美國(guó)的Photronics，臺(tái)灣的臺(tái)灣光罩，日本的Toppan，Hoya，SK－Electronics等。Photronics作為全球領(lǐng)先的掩膜版廠商，主要生產(chǎn)60nm及以上制程的光罩，2014年?duì)I收達(dá)到4．56億美元，凈利潤(rùn)3202萬美元；而像臺(tái)灣光罩則主要生產(chǎn)和供應(yīng)相對(duì)低端的0．25微米、0．18微米、0．15微米、0．13微米、0．11微米和90納米制程的光罩，2014年?duì)I收達(dá)到4411萬美元，凈利潤(rùn)191萬美元。

目前國(guó)內(nèi)的掩膜版廠商主要分為3類：第一類是科研院所，主要有中科院微電子中心，中國(guó)電子科技集團(tuán)第13所、24所、47所、55所等；第二類是專業(yè)的掩膜版制造廠商，主要有無錫華潤(rùn)微電子有限公司掩膜工廠、上海凸版光掩膜有限公司、Photronics（上海）。第三類是晶圓代工廠，例如中芯國(guó)際，中芯國(guó)際的制版能力也處于國(guó)際較先進(jìn)的水平。

四、光刻膠（6％）

指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X射線等光源的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。根據(jù)在顯影過程中曝光區(qū)域的去除或保留，分為正像光刻膠和負(fù)像光刻膠。隨著分辨率越來越高，光刻膠曝光波長(zhǎng)不斷縮短，由紫外寬譜向G線（436nm）→I線（365nm）→KrF（248nm）→ArF（193nm）→F2（157nm）→極紫外光EUV的方向轉(zhuǎn)移。

我國(guó)光刻膠生產(chǎn)基本上被外資把控，并且集中在低端市場(chǎng)。據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息數(shù)據(jù)，2015年我國(guó)光刻膠產(chǎn)量為9．75萬噸，其中中低端產(chǎn)品PCB光刻膠產(chǎn)值占比為94．4％，而LCD和半導(dǎo)體用光刻膠產(chǎn)值占比分別僅為2．7％和1．6％，半導(dǎo)體光刻膠嚴(yán)重依賴進(jìn)口。

另外，2015年我國(guó)光刻膠前五大公司分別臺(tái)灣長(zhǎng)興化學(xué)、日立化成、日本旭化成、美國(guó)杜邦及臺(tái)灣長(zhǎng)春化工，均是外資或合資企業(yè)，上述五大企業(yè)市場(chǎng)份額達(dá)到89．7％，內(nèi)資企業(yè)市場(chǎng)份額不足10％。光刻膠主要上市公司有晶瑞股份、飛凱材料，強(qiáng)力新材，上海新陽。

五、光刻膠配套試劑（7％）

又稱為濕功能電子化學(xué)品，是指通過復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復(fù)配類化學(xué)品。一般配合光刻膠使用，包括顯影液、漂洗液、剝離液等。

配套試劑和光刻膠配合使用，生產(chǎn)光刻膠的企業(yè)一般具備生產(chǎn)配套試劑的能力，國(guó)內(nèi)的廠商包括江化微、江陰潤(rùn)瑪、晶瑞股份等，國(guó)內(nèi)企業(yè)快速突破技術(shù)壁壘，憑借成本及本土化優(yōu)勢(shì)得以迅速發(fā)展。中國(guó)企業(yè)不斷加強(qiáng)濕電子化學(xué)品基礎(chǔ)研究，目前包括江化微在內(nèi)的一批本土企業(yè)突破了跨國(guó)企業(yè)的技術(shù)壟斷，部分領(lǐng)域產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。

六、拋光液和拋光墊（7％）

目前全球拋光的主流技術(shù)是CMP技術(shù)，是指在晶圓制造過程中，使用化學(xué)及機(jī)械力對(duì)晶圓進(jìn)行平坦化處理的過程。CMP技術(shù)所應(yīng)用的拋光液、拋光墊、拋光漿料是硅晶圓及芯片進(jìn)行工業(yè)處理的的三大消耗品，其中拋光工藝的技術(shù)核心和價(jià)值核心均在拋光墊。拋光墊價(jià)值量占拋光材料的六成，其力學(xué)性能和表面組織特征對(duì)于平坦化的效果非常關(guān)鍵，是CMP工藝的技術(shù)核心和價(jià)值核心。

當(dāng)前全球拋光墊市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，陶氏化學(xué)占據(jù)拋光墊市場(chǎng)近八成份額，國(guó)內(nèi)缺乏獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和品牌，龐大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)完全被外資產(chǎn)品所壟斷，進(jìn)口替代空間廣闊。國(guó)產(chǎn)材料具有明顯的價(jià)格和服務(wù)等優(yōu)勢(shì)，大陸建廠熱潮有望驅(qū)動(dòng)國(guó)內(nèi)CMP拋光墊廠商加速發(fā)展。國(guó)內(nèi)拋光墊核心上市公司有鼎龍股份。

七、光阻材料（7％）

光阻材料是印刷電路板線路影像轉(zhuǎn)移與制作的重要材料。在電子產(chǎn)品日益輕、薄、短、小之趨勢(shì)下，干膜光阻正扮演決定性的角色；其制作技術(shù)是直接影響信息及通訊等產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。受到市場(chǎng)需求強(qiáng)勁推動(dòng)，中國(guó)大陸在全球光阻材料市場(chǎng)中所占份額必將大幅提升。數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)大陸市場(chǎng)所需G－Line光阻材料在全球市場(chǎng)所占份額從2012年起大幅增加；所需I－Line光阻材料在全球市場(chǎng)所占份額從2013年起大幅增加；所需248nm光阻材料在全球市場(chǎng)所占份額從2013年起大幅增加。

光阻材料暫無上市公司，北京化工大學(xué)、江蘇博硯科技有限公司聯(lián)合召開的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目推進(jìn)會(huì)上獲悉，我國(guó)微電子加工用高端超純化學(xué)品關(guān)鍵技術(shù)已取得重大突破，并已在江蘇宜興建成國(guó)內(nèi)首條年產(chǎn)1000噸黑色光阻示范生產(chǎn)線。這意味著長(zhǎng)期受國(guó)外壟斷的微電子材料開始走向國(guó)產(chǎn)化，并為我國(guó)微電子及相關(guān)產(chǎn)業(yè)擺脫進(jìn)口依賴起到了重要的引領(lǐng)作用。

八、超凈高純?cè)噭ㄕ急?％）

又稱濕化學(xué)品，亦可稱為通用濕電子化學(xué)品，是指主體成分純度大于99．99％，雜質(zhì)離子和微粒數(shù)符合嚴(yán)格要求的化學(xué)試劑。主要以上游硫酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀、丙酮、乙醇、異丙醇等為原料，經(jīng)過預(yù)處理、過濾、提純等工藝生產(chǎn)的得到純度高產(chǎn)品。在半導(dǎo)體領(lǐng)域主要用于芯片的清洗和腐蝕，同時(shí)在硅晶圓的清洗中也起到重要作用。其純度和潔凈度對(duì)集成電路成品率、電性能及可靠性有十分重要的影響。

應(yīng)用于半導(dǎo)體的超凈高純?cè)噭?，全球主要企業(yè)有德國(guó)巴斯夫，美國(guó)亞什蘭化學(xué)、Arch化學(xué)，日本關(guān)東化學(xué)、三菱化學(xué)、京都化工、住友化學(xué)、和光純藥工業(yè)，臺(tái)灣鑫林科技，韓國(guó)東友精細(xì)化工等，上述公司占全球市場(chǎng)份額的85％以上。

目前，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)超凈高純?cè)噭┑钠髽I(yè)中產(chǎn)品達(dá)到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)且具有一定生產(chǎn)量的企業(yè)有30多家，國(guó)內(nèi)超凈高純?cè)噭┊a(chǎn)品技術(shù)等級(jí)主要集中在G2級(jí)以下，國(guó)內(nèi)江化微、晶瑞股份等企業(yè)部分產(chǎn)品已達(dá)到G3、G4級(jí)別，晶瑞股份超純雙氧水已達(dá)G5級(jí)別，部分產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。我國(guó)內(nèi)資企業(yè)產(chǎn)超凈高純?cè)噭┰?英寸及6英寸以下晶圓市場(chǎng)上的國(guó)產(chǎn)化率已提高到80％，而8英寸及8英寸以上晶圓加工的市場(chǎng)上，其國(guó)產(chǎn)化率由2012年約8％左右緩慢增長(zhǎng)到2014年的10％左右。超凈高純?cè)噭┊a(chǎn)能方面，晶瑞股份產(chǎn)能3．87萬噸，江化微產(chǎn)能3．24萬噸。

九、靶材（3％）

半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域，靶材是濺射工藝中必不可少的重要原材料。濺射工藝是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子轟擊固體表面，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體稱為濺射靶材。

靶極按照成分不同可分為金屬靶極（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶極（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）和陶瓷化合物靶極（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。半導(dǎo)體晶圓制造中200nm（8寸）及以下晶圓制造通常以鋁制程為主，使用的靶材以鋁、鈦元素為主。300nm（12寸）晶圓制造，多使用先進(jìn)的銅互連技術(shù)，主要使用銅、鉭靶材。

半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，長(zhǎng)期以來一直被美、日的跨國(guó)公司所壟斷，我國(guó)的超高純金屬材料及濺射靶材嚴(yán)重依賴進(jìn)口。目前上市的靶材公司有江豐電子、有研新材、阿石創(chuàng)。

總結(jié)

中國(guó)企業(yè)在半導(dǎo)體大硅片材料、設(shè)備領(lǐng)域較為薄弱，需要與國(guó)際領(lǐng)軍企業(yè)交流學(xué)習(xí)技術(shù)，借鑒成功經(jīng)驗(yàn)，發(fā)展壯大。助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起。