【中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng) 市場(chǎng)分析】 功率半導(dǎo)體是指在電子設(shè)備中用于電源轉(zhuǎn)換或者電源管理的半導(dǎo)體。隨著對(duì)節(jié)能減排的需求迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和4C領(lǐng)域，進(jìn)入新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)。

數(shù)據(jù)顯示，2017年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中，工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)占比為34%，汽車應(yīng)用市場(chǎng)占比為23%，消費(fèi)電子應(yīng)用占比為20%，無線通訊應(yīng)用占比為23%。

國(guó)內(nèi)功率器件的應(yīng)用分布

半導(dǎo)體功率器件在功率半導(dǎo)體中十分重要。目前，國(guó)內(nèi)以揚(yáng)杰科技、華微電子、士蘭微為代表的功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)市場(chǎng)占有率非常低，進(jìn)口替代的空間巨大。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院，2018年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)中，排名第一的為吉林華微科技，2017年?duì)I收達(dá)16.4億元。揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技排名第二，2017年?duì)I收為14.7億元。以下為排名：

國(guó)內(nèi)功率器件十強(qiáng)

功率器件市場(chǎng)現(xiàn)狀：歐美日把持，國(guó)內(nèi)仍需努力

縱觀整個(gè)功率器件市場(chǎng)，整體態(tài)勢(shì)是歐美日廠商三足鼎立。其中美國(guó)功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和Vishay等廠商。歐洲擁有Infineon、ST和NXP三家全球半導(dǎo)體大廠。日本主要有Toshiba、Renesas、Rohm、Matsushita、FujiElectric等。中國(guó)臺(tái)灣擁有富鼎先進(jìn)、茂達(dá)、安茂、致新和沛亨等一批廠商。而我國(guó)則有上述代表。

功率半導(dǎo)體器件細(xì)分領(lǐng)域多，行業(yè)整體增速較緩，大廠傾向于業(yè)內(nèi)并購(gòu)，通過布局新領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)增長(zhǎng)。2016年英飛凌科技成為全球功率半導(dǎo)體的主要供應(yīng)商，其在2015年初收購(gòu)美國(guó)國(guó)際整流器公司（InternationalRectifier）后，英飛凌超過三菱電機(jī)成為領(lǐng)先的功率模塊制造商。德州儀器在2015年被英飛凌超越后，于2016年退居全球第二。安森美完成對(duì)飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）的收購(gòu)后，市場(chǎng)排名升至第三位，其在功率分立器件市場(chǎng)份額躍升10%。2016年建廣資本以27.5億美元并購(gòu)了NXP的標(biāo)準(zhǔn)器件部門，中國(guó)企業(yè)首次進(jìn)入行業(yè)全球前十強(qiáng)。

雖然國(guó)內(nèi)功率器件近幾年獲得了不少的突破，且國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模大，但我們應(yīng)該看到國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段。

據(jù)賽迪顧問，2016年，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了1496億元，占據(jù)了全球40%以上的市場(chǎng)。然而供應(yīng)鏈仍然被國(guó)外廠商所壟斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)相對(duì)而言規(guī)模較小、技術(shù)落后、品類不全，產(chǎn)業(yè)仍然處于起步和加速追趕的階段。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)排名第一的吉林華微，2016年?duì)I收為13.95億元，凈利潤(rùn)僅為4060萬元。而全球行業(yè)老大英飛凌2016集團(tuán)營(yíng)收高達(dá)64.73億歐元，中國(guó)龍頭企業(yè)和行業(yè)龍頭的差距在30倍以上。

據(jù)Yole，功率IC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局成熟，供應(yīng)鏈較為完善。美國(guó)在功率IC領(lǐng)域具有絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，歐洲在功率IC和功率分立器件方面也都具有較強(qiáng)實(shí)力，日本在功率IC芯片方面，雖然廠商數(shù)量眾多，但整體市場(chǎng)份額不高。功率IC下游核心產(chǎn)品—電源IC，Dialog、Qualcomm以及Maxim三家主要供應(yīng)商以遙遙領(lǐng)先的市占率主宰了智能手機(jī)市場(chǎng)。2016年建廣資本27.5億美元收購(gòu)NXP標(biāo)準(zhǔn)部門完成交割，力圖填補(bǔ)國(guó)內(nèi)汽車、工業(yè)IC領(lǐng)域空白。

細(xì)分到各個(gè)領(lǐng)域，在功率二極管方面，國(guó)內(nèi)廠商具競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)口替代空間大。

這個(gè)領(lǐng)域，國(guó)際最大廠商是Vishay，占據(jù)11.71%市場(chǎng)份額，而后第二至第七大廠商市場(chǎng)份額為5%-8%，與第一相差無幾，再在其后廠商市場(chǎng)份額不足5%，市場(chǎng)相對(duì)分散。其中國(guó)內(nèi)廠商揚(yáng)杰科技市場(chǎng)份額為2.01%。功率二極管技術(shù)成熟、市場(chǎng)進(jìn)入門檻低，注重的是生產(chǎn)過程的控制和成本的控制。國(guó)內(nèi)廠商由于生產(chǎn)工藝控制精湛、人力成本低具有一定競(jìng)爭(zhēng)力，國(guó)產(chǎn)替代空間較大。根據(jù)工信部發(fā)布的中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)年鑒，自2014年后，中國(guó)二極管及類似半導(dǎo)體器件出口數(shù)量持續(xù)超過進(jìn)口額。

在硅基MOSFET方面，國(guó)內(nèi)廠商潛力大，進(jìn)口替代正當(dāng)時(shí)。國(guó)內(nèi)廠商主要集中在低壓MOSFET領(lǐng)域，中高壓MOSFET主要被國(guó)外廠商占據(jù)。據(jù)IHS，國(guó)內(nèi)功率MOSFET市場(chǎng)主要廠商是英飛凌，2016年市場(chǎng)份額達(dá)28.5%，與位于第二的安森美半導(dǎo)體占據(jù)了國(guó)內(nèi)將近一半市場(chǎng)。國(guó)內(nèi)廠商只有士蘭微和吉林華微上榜，分別占據(jù)了1.9%和1.1%的市場(chǎng)份額，進(jìn)口替代的空間巨大。

2016年，建廣資本以27.5億元收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體（NXPSemiconductors）標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門，成立一家名為Nexperia的獨(dú)立公司。

Nexperia承接了NXP中MOSFET所有業(yè)務(wù)，一躍成為MOSFET領(lǐng)域全球第十、國(guó)內(nèi)第八（市場(chǎng)份額3.8%）的廠商。NXP是工業(yè)與汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域大廠商，相比之下，工業(yè)和汽車半導(dǎo)體一直是中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的弱項(xiàng)，由于這個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品門類多、單量小、售價(jià)高、迭代慢，國(guó)內(nèi)企業(yè)很難進(jìn)入。Nexperia的成立彌補(bǔ)了國(guó)內(nèi)廠商在這一領(lǐng)域的短板。此外，2016年建廣資本還與NXP成立合資公司瑞能半導(dǎo)體，產(chǎn)品主要為二極管、雙極性晶體管、可控硅整流器，以及收購(gòu)NXPRFPower部門，成立安譜隆公司致力于射頻技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新與研發(fā)。

至于硅基IGBT，海外廠商優(yōu)勢(shì)明顯，CR4高達(dá)70.8%。

據(jù)IHS，2016年，英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)(FujiElectric)、德國(guó)賽米控(SEMIKRON)四大海外供應(yīng)商占了全球IGBT市場(chǎng)的70.8%。盡管中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的40%以上，但在IGBT主流器件上，90%主要依賴進(jìn)口，目前僅在大功率軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，2016年國(guó)廠嘉興斯達(dá)、中國(guó)中車市占率分別為1.6/0.6%。

值得一提的是中國(guó)中車，他們立足高鐵用IGBT，快速推進(jìn)。在合并前，北車在IGBT模塊封裝上與ABB技術(shù)合作，建設(shè)高功率模塊生產(chǎn)線，成為國(guó)內(nèi)首家能夠封裝6500V大功率模塊及解決方案的提供商。南車則在海外收購(gòu)Dynex公司建立IGBT芯片設(shè)計(jì)中心，總投資14億元建設(shè)國(guó)內(nèi)首條八英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，除芯片外，還有9條滿足不同行業(yè)的IGBT模塊生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)完全投產(chǎn)后，中車將年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊。

來到第三代半導(dǎo)體方面，依然是海外公司技術(shù)領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)起步時(shí)間晚，尚在追趕。

SiC關(guān)鍵技術(shù)由海外公司壟斷，從產(chǎn)業(yè)鏈來看，上游部分，CREE公司獨(dú)占SiC晶元制造市場(chǎng)份額60%以上；中游部分，英飛凌、CREE、意法半導(dǎo)體和安森美等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際排名前十的企業(yè)合計(jì)已在SiC功率器件市場(chǎng)占據(jù)50%以上份額。相比于美國(guó)CREE公司于2003年推出SiC產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)公司起步晚，技術(shù)相對(duì)落后。直到2015年初，泰科天潤(rùn)才首次實(shí)現(xiàn)了碳化硅肖特基二極管的量產(chǎn)，目前國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模于國(guó)外相比尚有較大差距。

由此可見，對(duì)于中國(guó)功率器件廠商來說，依然任重而道遠(yuǎn)！