貿(mào)易戰(zhàn)下的中國(guó)半導(dǎo)體業(yè),穩(wěn)中求進(jìn)

時(shí)間:2018-08-14

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):由美國(guó)蓄意發(fā)動(dòng)的貿(mào)易戰(zhàn)歷時(shí)已經(jīng)數(shù)月,對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的影響不可低估,顯然也不值得驚慌。要充分認(rèn)識(shí)這場(chǎng)貿(mào)易戰(zhàn)的不可避免性、兩重性以及它的艱巨性。

貿(mào)易戰(zhàn)下的中國(guó)半導(dǎo)體業(yè),穩(wěn)中求進(jìn)】由美國(guó)蓄意發(fā)動(dòng)的貿(mào)易戰(zhàn)歷時(shí)已經(jīng)數(shù)月,對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的影響不可低估,顯然也不值得驚慌。要充分認(rèn)識(shí)這場(chǎng)貿(mào)易戰(zhàn)的不可避免性、兩重性以及它的艱巨性。

所謂不可避免性是指中國(guó)一定會(huì)崛起,而美國(guó)試圖阻撓,雙方之間哪方也不可能妥協(xié),非常有意思的是至此聽到的是雙方都說自己會(huì)”贏”,因此注定此戰(zhàn)具長(zhǎng)期性及復(fù)雜性。

這場(chǎng)貿(mào)易戰(zhàn)有兩重性,可謂“我中有你,你中有我”,因此不太可能會(huì)走向極端,雙方都會(huì)保持一定的理性與克制。

艱巨性體現(xiàn)在矛盾是很難輕易解決,只有利益的暫時(shí)平衡。中方把此場(chǎng)貿(mào)易戰(zhàn)看成是中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)前進(jìn)成長(zhǎng)道路上的必修課之一。由于產(chǎn)業(yè)處在獨(dú)特的地位,面臨的困難可能更多。相信依賴于政府補(bǔ)貼,暫時(shí)是可以的,也有必要,但是長(zhǎng)久是長(zhǎng)不大的,只有從競(jìng)爭(zhēng)中勝出。相信經(jīng)過此戰(zhàn)后可能會(huì)加速產(chǎn)業(yè)向市場(chǎng)化的進(jìn)程。

產(chǎn)業(yè)穩(wěn)中有進(jìn)

近期從產(chǎn)業(yè)一線傳來的消息尚令人可喜:

中芯國(guó)際Q2的法說會(huì)上梁孟松指出,14納米第一代FinFET目前PDK1.0版本已經(jīng)釋出給客戶,預(yù)計(jì)提前至2019年上半年開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn);同時(shí),正規(guī)劃第二代FinFET工藝,預(yù)計(jì)芯片能耗將會(huì)減少40%,速度提升30%,邏輯芯片密度增加50%左右。之后會(huì)基于客戶的需求、同時(shí)跟緊行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),最重要的是保證技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力提升。

華虹半導(dǎo)體8月7日發(fā)布2018年Q2及中期業(yè)績(jī)報(bào)告。2018年上半年,公司實(shí)現(xiàn)銷售收入約4.4億美元,同比增長(zhǎng)15.4%,再創(chuàng)歷史新高;母公司擁有人應(yīng)占利潤(rùn)8588.8萬(wàn)美元,同比增加25.5%。每股盈利0.08美元。

2018年第二季度,公司實(shí)現(xiàn)銷售收入約2.3億美元,同比增長(zhǎng)16.1%;母公司擁有人應(yīng)占利潤(rùn)4579.1萬(wàn)美元,同比增長(zhǎng)33.3%。每股盈利0.04美元。

它的無(wú)錫工廠建造正按計(jì)劃順利進(jìn)行,目前正在著手準(zhǔn)備月產(chǎn)12英寸40,000片產(chǎn)能首階段的相關(guān)設(shè)備計(jì)劃。

三家存儲(chǔ)器廠都進(jìn)入設(shè)備的安裝階段,其中合肥長(zhǎng)鑫作為三大存儲(chǔ)芯片廠商中第一家正式投片的DRAM大廠,它作通用型19nmDRAM,每個(gè)12英寸硅片有8GbDRAM的管芯800-1,000個(gè),目前的產(chǎn)能約為10,000片,而福建晉華做利基型25nmDRAM,及長(zhǎng)江存儲(chǔ)做3DNAND。

值得慶賀的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了自己的Xtacking架構(gòu),其將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3DNAND更高的存儲(chǔ)密度;其最大的特點(diǎn)是高速I/O,高存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。特別是在I/O速度方面,目前,世界上最快的3DNANDI/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps,而大多數(shù)供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)有望大幅提升NAND的I/O速度至3.0Gbps,幾乎與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將把Xtacking技術(shù)用在它的64層3DNAND中,計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)提出新的Xtacking架構(gòu)之后,注意到韓國(guó)方面并沒有暴跳如雷,僅看到的報(bào)道是認(rèn)為此種架構(gòu)的成品率難提升,這也是對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的考驗(yàn)。

三家存儲(chǔ)器廠真正的量產(chǎn)考驗(yàn)尚在2019-2020年之后。

另一家上海的中微半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)技術(shù)最領(lǐng)先的集成電路設(shè)備廠之一,主要深耕刻蝕機(jī)領(lǐng)域的介質(zhì)刻蝕設(shè)備、硅通孔刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備等,它的產(chǎn)品是全球化的,已成功進(jìn)入海內(nèi)外重要客戶供應(yīng)體系,如其介質(zhì)刻蝕設(shè)備已打入臺(tái)積電的7nm、10nm量產(chǎn)線,成功地打破了國(guó)際巨頭的壟斷。

目前中微半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化率已超過35%,并已開發(fā)了20多個(gè)國(guó)內(nèi)的客戶,它的刻蝕,硅通孔設(shè)備及MOCVD的質(zhì)量達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平,截至2017年底,已有620多個(gè)中微半導(dǎo)體生產(chǎn)的刻蝕反應(yīng)腔體運(yùn)行在全球的39條先進(jìn)生產(chǎn)線上。

貿(mào)易戰(zhàn)中要建自信

特朗普的”出牌”尚不可測(cè),據(jù)最新的清單,160億美元出口美國(guó)的清單中,加稅25%已包含LED芯片等,所以出口受阻是首當(dāng)其沖,同時(shí)人民幣匯率己下降約10%,對(duì)于眾多芯片制造廠購(gòu)買設(shè)備及原材料等的影響也不可小視。

現(xiàn)階段美方針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的策略是竭力阻止兼并,先進(jìn)制程技術(shù)的流出,以及人材的流失等,未來它們的出牌機(jī)會(huì)尚很多,必須密切關(guān)注。

然而一切之中,中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須保持清醒,不能先亂了自身的方寸。只要扎實(shí)地把目前的工作做好就是最好的應(yīng)對(duì)。要相信上世紀(jì)60-70年代的全面“禁運(yùn)”時(shí)代,中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)也能挺過來,現(xiàn)在的態(tài)勢(shì)已大不同。

近日見到一文說,“俄羅斯沒有先進(jìn)的芯片制造業(yè)(據(jù)說落后于中國(guó)),照樣能生產(chǎn)出足以與美對(duì)抗的許多先進(jìn)的武器裝備”,中國(guó)還有什么可擔(dān)心的。

“人無(wú)遠(yuǎn)慮,必有近憂”,要作好最壞時(shí)刻的預(yù)案準(zhǔn)備,中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)一定會(huì)由危機(jī)轉(zhuǎn)為契機(jī)。

今天來看貿(mào)易戰(zhàn)可能有些“緊張”,但是相信再過幾年之后,隨著中國(guó)的國(guó)力繼續(xù)提升,雙方的貿(mào)易戰(zhàn)也逐漸成為”常態(tài)”,中國(guó)一定會(huì)更加自信與有力量。

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