功率半導體元件用量將呈現(xiàn)大幅度提升趨勢

時間:2018-07-19

來源:網(wǎng)絡轉(zhuǎn)載

導語:功率半導體元件或簡稱功率元件,是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心;主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等,并同時可具有節(jié)能的功效,因此功率元件廣泛應用于移動通訊、消費電子、新能源交通等眾多領域。

【功率半導體元件用量將呈現(xiàn)大幅度提升趨勢】功率半導體元件或簡稱功率元件,是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心;主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等,并同時可具有節(jié)能的功效,因此功率元件廣泛應用于移動通訊、消費電子、新能源交通等眾多領域。

其中,金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)自1980年即進入電子商業(yè)應用,主要用在PC、NB等消費性電子的主機板跟電路板上,屬中低壓市場,在900V以上的高壓領域較無用武之地,而絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)的發(fā)明,則滿足大功率化與高頻化的需求,自1988年以來已進展至第六代產(chǎn)品,成為目前高壓電子產(chǎn)品之主流應用。

功率元件全球市場規(guī)模約140億美元,占全球半導體市場的3.5%,其中MOSFET規(guī)模約68億美元、IGBT約12.6億美元,占功率半導體元件分別為48%與9%;根據(jù)IEK調(diào)查指出,近年受惠電動汽車與油電混和車快速發(fā)展、汽車電子化比重提升以及手機快充、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)新應用興起,功率元件在提高能源轉(zhuǎn)換效率上占據(jù)重要地位,產(chǎn)業(yè)需求逐漸提升;而未來電動車半導體的需求為傳統(tǒng)汽車的兩倍以上,預期MOSFET等功率元件用量將大幅提升。

MOSFET與IGBT市場過去皆呈大廠寡占的態(tài)勢,英飛凌、安森美與瑞薩占MOSFET市場近50%,IGBT市場英飛凌、三菱電機與富士電機三家市占率更達61%;此類IDM垂直整合大廠以英飛凌為首,均優(yōu)先將產(chǎn)能給毛利率較高的新產(chǎn)品,相繼退出中低壓MOSFET一般消費性產(chǎn)品線,導致MOSFET供需缺口擴大,使臺廠自去年第2季開始即逐漸感受到轉(zhuǎn)單效應,預料這股缺貨風潮恐將持續(xù)下去。

在晶圓供給方面,MOSFET與IGBT產(chǎn)品考量8吋光罩費用僅12吋的1/10,加以功率元件還有不漏電的要求,尚無法做到尺寸微縮等原因,臺灣與大陸的MOSFET功率元件IC設計公司都投產(chǎn)在8吋晶圓廠;然由于指紋辨識、影像感測器(CIS)、電源管理(ICPMIC)等IC產(chǎn)品,受到資安需求提升,對8吋晶圓需求亦增加,致使全球8吋晶圓投片量提升。

MOSFET市場的供需失衡,讓臺廠迎來多年以來難得的成長契機,上游IC設計方面,大中(6435)、杰力(5299)在PC市場與消費性電子產(chǎn)品較具競爭優(yōu)勢,預計下半年供需仍吃緊態(tài)勢下,對下游的議價能力轉(zhuǎn)強,有助其獲利表現(xiàn);在晶圓生產(chǎn)方面,世界先進(5347)8吋產(chǎn)能滿載,加上電源管理營收占比持續(xù)提升改善產(chǎn)品組合,未來營運展望樂觀。

此外,隨著氮化鎵(GaN)相關(guān)分離式元件的制程研發(fā),對IGBT等高壓市場需求增強,強茂(2481)預期未來能搭上IGBT代工潮,且積極導入自動化并進行車規(guī)認證,目前產(chǎn)能滿載,2018年預估產(chǎn)品平均漲幅15~20%,后續(xù)成長可期;MOSFET及IGBT等產(chǎn)品雖早已應用于電子產(chǎn)品,然近年市況匹變,需求大增,將迎來一場功率半導體元件的逆襲。

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