半導體照明具有技術(shù)發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強、節(jié)能潛力巨大等特點，被各國公認為最有發(fā)展前景的高新節(jié)能技術(shù)之一。隨著我國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、發(fā)展方式轉(zhuǎn)變經(jīng)常加快，半導體照明產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于轉(zhuǎn)變發(fā)展方式及培育戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時期。近日，科技部高新司在北京組織專家對“十二五”國家863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項目（三期）進行了驗收。

該項目以打造產(chǎn)業(yè)核心競爭力為目標，以提高自主創(chuàng)新能力為關(guān)鍵，以改善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境為手段，開展了LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計、芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、器件封裝、低成本LED驅(qū)動芯片及模塊開發(fā)等大電流驅(qū)動薄膜半導體照明技術(shù)研究；在一期和二期項目完成半導體照明外延芯片與器件封裝關(guān)鍵技術(shù)布局基礎(chǔ)上，三期項目重點開展“十城萬盞”半導體照明應(yīng)用技術(shù)研究，重點開發(fā)了具有高光效、低成本、長壽命的LED照明模塊和低成本、高可靠、規(guī)格化LED照明產(chǎn)品；掌握了高導熱金剛石鍵合復合基板量產(chǎn)技術(shù)；研發(fā)了適用于薄膜LED的熱阻分析測試系統(tǒng)裝備；開發(fā)了薄膜LED近場分布光度計，可同時實現(xiàn)近場和遠場測量；實現(xiàn)了LED在市政照明、植物照明、機場、醫(yī)療等領(lǐng)域的應(yīng)用示范。

“十三五”期間，為進一步推動我國半導體照明材料的科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，科技部部署了“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項，將第三代半導體材料與半導體照明作為重點專項的發(fā)展重點之一進行支持。專項的部署，將進一步為我國從半導體照明產(chǎn)品生產(chǎn)、消費和出口大國發(fā)展成為產(chǎn)業(yè)強國奠定堅實的基礎(chǔ)，支撐全球照明行業(yè)的產(chǎn)業(yè)變革和節(jié)能減排的可持續(xù)發(fā)展。