半導(dǎo)體7納米制程進(jìn)入決勝局 臺(tái)積電下一目標(biāo)超越英特爾三星

時(shí)間:2017-11-23

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導(dǎo)語(yǔ):納米制程節(jié)點(diǎn)將是廠推進(jìn)的下一重要關(guān)卡。半導(dǎo)體廠已加緊研發(fā)新的元件設(shè)計(jì)構(gòu)架,以及金屬導(dǎo)線等材料,期兼顧尺寸、及運(yùn)算性能表現(xiàn)。

納米制程節(jié)點(diǎn)將是廠推進(jìn)的下一重要關(guān)卡。半導(dǎo)體廠已加緊研發(fā)新的元件設(shè)計(jì)構(gòu)架,以及金屬導(dǎo)線等材料,期兼顧尺寸、及運(yùn)算性能表現(xiàn)。在未來(lái)7納米制程才是決勝關(guān)鍵,因?yàn)?納米的制程技術(shù)與材料將會(huì)有重大改變。

臺(tái)積電副總經(jīng)理余振華昨天表示,臺(tái)積電一直在進(jìn)步,非常有可能在7納米制程這一代,超越英特爾、三星電子等大廠,未來(lái)臺(tái)積電會(huì)持續(xù)和中國(guó)臺(tái)灣相關(guān)產(chǎn)業(yè)合作,一起進(jìn)步。

余振華長(zhǎng)期鉆研半導(dǎo)體領(lǐng)域,是世界級(jí)次級(jí)納米IC后段連線制程創(chuàng)新技術(shù)權(quán)威,更是臺(tái)灣半導(dǎo)體制程的重要推手,他在臺(tái)積電服務(wù)超過(guò)20年,其中,他的創(chuàng)新研發(fā)成果CoWoS,InFO-PoP及TSV技術(shù)領(lǐng)先全球,可廣泛用于高效能高頻寬、低耗能的微系統(tǒng)芯片,也促使臺(tái)積電成為iPhone7獨(dú)家供應(yīng)商,提高臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)力。

余振華受訪時(shí)說(shuō),董事長(zhǎng)張忠謀強(qiáng)調(diào)三個(gè)競(jìng)爭(zhēng)力,第一個(gè)是技術(shù)保持領(lǐng)先、第二個(gè)是生產(chǎn)保持完美效能、第三個(gè)則是客戶服務(wù)及伙伴關(guān)系,臺(tái)積電在這3個(gè)競(jìng)爭(zhēng)力中表現(xiàn)優(yōu)異,這幾年一直再往上進(jìn)步,非常有可能在7納米制程的這一代,就可以超越英特爾、三星電子等國(guó)際大廠,進(jìn)步非常大。

余振華指出,他非常幸運(yùn),有機(jī)會(huì)進(jìn)入這間了不起的公司,臺(tái)積電容許他們犯錯(cuò),容許他們發(fā)揮研發(fā)能量,且眼光看得非常遠(yuǎn),懂得在基礎(chǔ)深深扎根,這樣等往后相關(guān)技術(shù)做起來(lái)后,才能長(zhǎng)長(zhǎng)久久,在產(chǎn)業(yè)達(dá)到頂尖;董事長(zhǎng)張忠謀要求很高,經(jīng)常對(duì)同仁期許“要做得好、更好、更更好!”不但技術(shù)要領(lǐng)先別人,還要把距離拉大。

余振華說(shuō),往后半導(dǎo)體上中下游整體產(chǎn)業(yè),都需相輔相成,臺(tái)積電也會(huì)找尋跟臺(tái)灣廠商合作機(jī)會(huì),就算廠商發(fā)展還沒成熟、成形,也希望鼓勵(lì)他們一起努力進(jìn)步。

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