日前，中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在廣東省深圳市舉行，來自中國和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究的200多位知名專家學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界人士匯聚一堂，探討第三代半導(dǎo)體材料的前沿技術(shù)和發(fā)展趨勢。
國際權(quán)威信息技術(shù)研究與顧問咨詢公司高德納發(fā)布的最新預(yù)測報告顯示，2017年全球半導(dǎo)體市場總營收將達(dá)到4111億美元，較2016年增長19.7%。據(jù)統(tǒng)計，全球半導(dǎo)體市場總營收在2014年至2016年間，規(guī)模在3400億美元左右。2017年因內(nèi)存價格逐季大漲，帶動半導(dǎo)體市場出現(xiàn)強勁增長。2018年半導(dǎo)體市場可望增長4%，達(dá)到4274億美元規(guī)模，繼續(xù)創(chuàng)新高。
記者從論壇上獲悉，近年來，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強等優(yōu)點，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、新一代移動通信、消費類電子等領(lǐng)域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，已成為美國、歐洲、日本半導(dǎo)體行業(yè)的重點研究方向。
多位出席論壇的專家表示，目前中國在第三代半導(dǎo)體材料研究上緊跟世界前沿，是為數(shù)不多的碳化硅材料襯底、材料外延產(chǎn)業(yè)化的國家。深圳青銅劍科技股份有限公司副總裁和巍巍表示，我國第三代半導(dǎo)體器件設(shè)計和制造工藝正向世界先進水平邁進，行業(yè)已迎來發(fā)展的春天。深圳市人大常委會副主任、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會主席蔣宇揚表示，廣大科技企業(yè)與科技工作者要緊扣時代脈搏，進一步加大研發(fā)投入、加強國際合作，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。（經(jīng)濟日報）
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