中國(guó)芯何時(shí)閃耀世界?

時(shí)間:2017-08-08

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):存儲(chǔ)器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件,一直是芯片行業(yè)的重要組成部分,也是我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)方向之一。

存儲(chǔ)器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件,一直是芯片行業(yè)的重要組成部分,也是我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)方向之一。今年以來(lái)在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域受關(guān)注的行業(yè)事件中,東芝出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)絕對(duì)要算在其中,且近日又有關(guān)于此事的消息傳出。

據(jù)金融時(shí)報(bào)報(bào)道,消息人士稱,日本政府目前正在進(jìn)一步地參與到東芝出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的交易中,此前這筆交易因?yàn)榉N種原因進(jìn)展緩慢,已經(jīng)引發(fā)了投資者的不滿。

據(jù)悉,日本政府正在努力和東芝內(nèi)部達(dá)成意見(jiàn)一致,加速交易進(jìn)程。熟悉此次競(jìng)購(gòu)的消息人士稱,東芝存在“基礎(chǔ)性的公司治理缺陷”。

東芝作為全球閃存的發(fā)明者和領(lǐng)先企業(yè),在市場(chǎng)份額上,僅次于三星電子名列全球第二。而此次出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的交易還導(dǎo)致東芝與合作伙伴西部數(shù)據(jù)之間發(fā)生了法律糾紛。東芝出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)是為了彌補(bǔ)巨額虧損,避免被東京股票交易所摘牌。參與談判的銀行家和律師表示,考慮到交易的必要流程,東芝必須在8月底之前確定買家。

目前討論的焦點(diǎn)仍是來(lái)自由貝恩資本、日本政府基金INCJ,以及SK海力士所組成財(cái)團(tuán)提出的方案。

中國(guó)芯何時(shí)閃耀世界?

存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備,存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如DRAM,電腦中的內(nèi)存條。非易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(NANDFLASH和NORFLASH),NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面,主要有的三種產(chǎn)品是:DRAM、NORFLASH和NANDFLASH。

在芯片行業(yè),處理器等邏輯電路一直都占第一位,不過(guò)隨著數(shù)據(jù)的不斷爆炸性增長(zhǎng),市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求在不斷增長(zhǎng),這導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的容量正在迅速增長(zhǎng),估計(jì)很快將超過(guò)邏輯電路。據(jù)ICinsights的數(shù)據(jù)顯示2016年邏輯電路市場(chǎng)容量為883億美元,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)容量為743億美元,兩者的差距已縮小到20%以內(nèi)。其中,閃存芯片是一個(gè)發(fā)展前景廣闊的朝陽(yáng)業(yè)務(wù),目前智能手機(jī)、個(gè)人電腦配置的閃存越來(lái)越多。

目前國(guó)內(nèi)在用的NAND、DRAM芯片幾乎全部依賴進(jìn)口,以紫光為首的公司正在大力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)NAND芯片,32層堆棧的3DNAND閃存已經(jīng)出樣,預(yù)計(jì)明年開(kāi)始量產(chǎn),2019年則要推出64層3DNAND閃存。

目前NAND閃存主要被三星、SKHynix、美光、東芝等少數(shù)公司壟斷,然而隨著物聯(lián)網(wǎng)需求的發(fā)展,存儲(chǔ)芯片更成為電子行業(yè)的剛需。

中國(guó)也積極接入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè),整合上游廠商發(fā)展出具中國(guó)自有技術(shù)并聯(lián)合中、下游的產(chǎn)業(yè),形成群聚效應(yīng),進(jìn)而推進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步成長(zhǎng)。

目前發(fā)展最快的,是紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地,他們的主要產(chǎn)品就是國(guó)產(chǎn)3DNAND閃存。來(lái)自中科院的消息稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的3DNAND閃存已經(jīng)取得標(biāo)志性進(jìn)展,堆棧層數(shù)達(dá)到了32層。

相比國(guó)際大廠的研發(fā)進(jìn)度,三星、美光和東芝都開(kāi)始向72層及以上的研發(fā)加快步伐,國(guó)內(nèi)的研發(fā)進(jìn)程還有一定距離。

不過(guò),3D閃存工廠的生產(chǎn)裝備將在2018年Q1季度完成安裝,2019年則會(huì)完全量產(chǎn)。目標(biāo)是在2020年時(shí)技術(shù)上達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商的水平,實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片的后發(fā)先至。

中國(guó)市場(chǎng)消耗了全球55%的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能,而國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地更是在萬(wàn)眾矚目下迅速壯大。在強(qiáng)大的市場(chǎng)需求及中國(guó)政府的財(cái)政支持下,我們希望能早日看到“中國(guó)芯”的產(chǎn)品出現(xiàn)在世界的舞臺(tái)。

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