過(guò)去中芯國(guó)際就曾侵犯臺(tái)積電的邏輯制程專利，至于在內(nèi)存技術(shù)上，專利既多且廣，美、日、韓等大廠都已累積數(shù)十年基礎(chǔ)，未來(lái)中國(guó)企業(yè)將面臨新一波專利訴訟。

從技術(shù)與產(chǎn)品來(lái)看，許多大陸公司因?yàn)闊o(wú)法取得授權(quán)，只能靠挖角日、韓及臺(tái)灣團(tuán)隊(duì)，想辦法拼湊組合。以DRAM為例，目前代表性公司合肥長(zhǎng)鑫，就從南韓SK海力士、日本爾必達(dá)及臺(tái)灣華亞科挖角，其中華亞科前資深副總劉大維也被延攬。

至于3DNANDFlash代表企業(yè)武漢新芯，已和紫光集團(tuán)合組長(zhǎng)江存儲(chǔ)，技術(shù)來(lái)源就是已并入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導(dǎo)體（Spansion）。不過(guò)，雙方合作傳聞都還沒(méi)動(dòng)靜，日前長(zhǎng)江存儲(chǔ)還發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過(guò)32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息，未來(lái)后續(xù)發(fā)展恐怕須再觀察。

根據(jù)ICInsights2月公布的報(bào)告，大陸半導(dǎo)體業(yè)倚賴挖角與模仿建立技術(shù)基礎(chǔ)，是冒著極大的專利侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)；過(guò)去中芯就曾侵犯臺(tái)積電的邏輯制程專利，至于在內(nèi)存技術(shù)上，專利既多且廣，美、日、韓等大廠都已累積數(shù)十年基礎(chǔ)，未來(lái)大陸企業(yè)將面臨新一波專利訴訟。ICInsights也預(yù)期，大陸想在二五年達(dá)到半導(dǎo)體自給自足目標(biāo)，難度相當(dāng)大。

華中科技大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)鄒雪城說(shuō)，大陸在半導(dǎo)體行業(yè)摸索多年，如今已找到較正確且成功的模式，在中國(guó)政府支持下，武漢已成為發(fā)展國(guó)家儲(chǔ)存器的重鎮(zhèn)，「這項(xiàng)任務(wù)既十分光榮，也十分艱巨，需要下定決心，爭(zhēng)一口氣?！?/p>

鄒雪城目前身兼武漢國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地主任、武漢集成電路設(shè)計(jì)工程技術(shù)研究中心主任，十多年前，他曾代表武漢與國(guó)際半導(dǎo)體廠進(jìn)行合作談判，也曾投票反對(duì)武漢新芯成立的必要性，原因是當(dāng)時(shí)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的環(huán)境與條件都不成熟，而且規(guī)模太小，還采取由中芯托管的方式，成功機(jī)會(huì)不高；不過(guò)，如今他認(rèn)為環(huán)境、條件都成熟了，因此積極推動(dòng)武漢參與國(guó)家240億美元存儲(chǔ)器的計(jì)劃。

中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)郝躍表示，他多年來(lái)與臺(tái)灣半導(dǎo)體公司交流，對(duì)臺(tái)灣從業(yè)人員的敬業(yè)態(tài)度印象深刻，這也是大陸產(chǎn)業(yè)界可以好好學(xué)習(xí)的。郝躍也不諱言，大陸在大舉投入半導(dǎo)體建設(shè)的同時(shí)，也要注意人才不足的問(wèn)題。郝躍早在2000年就投入氮化鉀（GaN）半導(dǎo)體材料的研究，在沒(méi)經(jīng)費(fèi)、沒(méi)基礎(chǔ)的情況下，自己做設(shè)備并成功開(kāi)發(fā)產(chǎn)品，他帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)如今都是大陸半導(dǎo)體業(yè)的重要人才。

更多資訊請(qǐng)關(guān)注電力電子頻道