南韓兩大半導(dǎo)體廠Samsung與SKHynix共組半導(dǎo)體希望基金，資金規(guī)模約2000億韓元（約55億元新臺幣），顯示南韓亟欲凸顯且擴大其在全球記憶體市場的競爭力與影響力。

不過半導(dǎo)體希望基金規(guī)模不大，預(yù)期重點不在建置新廠、擴張產(chǎn)能，而是鎖定技術(shù)研發(fā)，特別是DRAM、NANDFlash、行動記憶體、新興記憶體等產(chǎn)品的研發(fā)。

南韓半導(dǎo)體國家隊的成軍，主要是反映大陸記憶體即將崛起的壓力。記憶體行業(yè)已成為大陸投資的重要方向，企圖實現(xiàn)從無到有的局面。大陸記憶體產(chǎn)業(yè)奠定在當(dāng)?shù)匦枨罂焖僭鲩L的基礎(chǔ)，以NANDFlash來說，由于行動裝置需求的快速增長及伺服器、資料中心的大量建置，大陸市場NANDFlash消耗量占全球的比重將于2017年達3成以上，2020年將超過4成。

預(yù)料大陸記憶體市場當(dāng)前發(fā)展的4大主力，將由長江存儲（負責(zé)3DNANDFlash、DRAM生產(chǎn)）、武漢新芯（負責(zé)NORFlash、邏輯代工）擔(dān)綱重任，而福建晉華存儲器項目、合肥市存儲器項目也將有所發(fā)揮。

在國家積體電路大基金的牽線下，2016年7月紫光集團宣布收購武漢新芯50%以上股權(quán)，成立長江存儲技術(shù)公司，此舉將可避免重復(fù)投資，實現(xiàn)各方優(yōu)勢資源共享；而2016年底長江存儲將興建首座12寸廠，在Spansion技術(shù)授權(quán)下，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3DNAND晶片，大陸終將順利擠進NANDFlash領(lǐng)域。

而長江存儲技術(shù)公司在DRAM領(lǐng)域的布局，則端視未來Mciron再整并完華亞科之后，是否與紫光建立策略聯(lián)盟，雙方將針對DRAM技術(shù)及產(chǎn)能進行合作；另外武漢新芯未來將專職NORFlash和邏輯代工業(yè)務(wù)，旗下12寸廠月產(chǎn)能約3萬片，其中有超過2萬片是生產(chǎn)NORFlash晶片。

福建晉華存儲器項目則是由晉華投資370億元人民幣建設(shè)存儲晶片晶圓廠，并由聯(lián)電提供技術(shù)方案，預(yù)計2018年9月形成月產(chǎn)6萬片12寸先進制程內(nèi)存晶圓的生產(chǎn)規(guī)模。而合肥市存儲器項目，將由合肥市政府出資460億元人民幣，兆基科技提供技術(shù)方案，第一步是設(shè)計物聯(lián)網(wǎng)科技所需的低耗電DRAM晶片，最快2017年下半年開始投產(chǎn)。

大陸記憶體是集成電路4大產(chǎn)品類型中自給率最低的部分，預(yù)期大陸記憶體市場的進口替代空間龐大，而未來對岸記憶體勢力的崛起，勢必將改寫全球記憶體版圖的分布，讓目前掌握絕大市占率的韓廠備感威脅。