隨著功率半導(dǎo)體器件在移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、新能源交通、發(fā)電與配電領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用，“中國(guó)智造”時(shí)代的來臨給功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的發(fā)展機(jī)遇和增長(zhǎng)動(dòng)力。氮化鎵、碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、IGBT、射頻通訊等最新技術(shù)都將推動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)的快速發(fā)展。

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁張乃千在“用于4G基站GaN功率放大器”的演講中表示，未來移動(dòng)通信對(duì)于基站而言，需要的頻率更高，更寬的帶寬，更高效率的功率放大器。由于出色的物理特性，氮化鉀射頻設(shè)備在功率放大器展示出了出色的特質(zhì)，尤其是在變頻啟動(dòng)到3.5GHZ。氮化鉀主要用在高功率的場(chǎng)合，由于功率密度比較高，每個(gè)環(huán)節(jié)都會(huì)產(chǎn)生熱阻，所以散熱是一個(gè)很復(fù)雜的問題，很多同仁也在不斷的付出努力解決。氮化鉀行業(yè)目前已經(jīng)開始用于移動(dòng)基站的功率放大器上。他相信未來經(jīng)過大家的共同努力，氮化鉀技術(shù)會(huì)變得越來越成熟。

Skyworks高級(jí)技術(shù)總監(jiān)David在“FrontEndPowerManagementfortheNextGeneration”的演講中表示，不斷進(jìn)化的單元系統(tǒng)正在驅(qū)動(dòng)帶寬更寬，提升波峰因素以及高平均功率。APT和ET架構(gòu)在一個(gè)廣泛的平均功率上提供了提高系統(tǒng)效率的方法。復(fù)雜的ET系統(tǒng)需要重要配置以及刻度要求。聯(lián)合設(shè)計(jì)的功率管理和PA系統(tǒng)在優(yōu)化性能上遠(yuǎn)超ET的效率。

廈門市三安光電科技有限公司研發(fā)副總裁黃博在“三安集成電路砷化鎵與氮化鎵代工技術(shù)”的演講中，介紹了三安光電在砷化鎵與氮化鎵的技術(shù)以及實(shí)現(xiàn)方式，同時(shí)對(duì)砷化鎵與氮化鎵的市場(chǎng)進(jìn)行了分析。

VeecoSomitJoshi在“用于提高功率器件性能的硅基氮化鎵MOCVD進(jìn)展”的演講中表示，新興的中/高電壓應(yīng)用在電力供應(yīng)，替代能源以及數(shù)據(jù)中心，都需要更高的功率效率，滿足較高的工作溫度以及更小的系統(tǒng)規(guī)模。氮化硅在這些參數(shù)上遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于硅。隨著MOCVD外延生長(zhǎng)GaN材料在硅襯底的發(fā)展，硅在經(jīng)濟(jì)上可行的替代方案已經(jīng)出現(xiàn)。為了滿足系統(tǒng)的產(chǎn)量水平，可靠性和成本目標(biāo)，行業(yè)需要MOCVD工藝支持優(yōu)異的膜均勻性、運(yùn)行控制、雜質(zhì)控制、低缺陷、高正常運(yùn)行時(shí)間的特性。他指出，針對(duì)這些要求，Veeco公司已經(jīng)開發(fā)出下一代的MOCVD系統(tǒng)基于單芯片架構(gòu)，具有業(yè)界領(lǐng)先的性能在多個(gè)站點(diǎn)。

英飛凌科技香港有限公司工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國(guó)偉的演講標(biāo)題為“高功率IGBT的技術(shù)前沿:高溫、高密度、便擴(kuò)容”，他表示，在可再生能源、牽引及輸配電等應(yīng)用中，不斷提高的功率需求一直在推動(dòng)高功率半導(dǎo)體，特別是IGBT的最大電流規(guī)格及電流密度技術(shù)極限，突破芯片電流密度及封裝電流規(guī)格需要在IGBT芯片及封裝技術(shù)兩方面的創(chuàng)新。同時(shí)，他介紹了數(shù)項(xiàng)高功率IGBT芯片及封裝技術(shù)的最新創(chuàng)新。使用IGBT5芯片及.XT封裝技術(shù)讓IGBT模塊可以在Tvjop為175oC中可靠地工作，或令工作壽命提高十倍。二極管可控逆導(dǎo)型IGBT(RCDC)技術(shù)讓IGBT及二極管的功能可在單芯片上集成，令芯片電流密度提升33%。最后，以標(biāo)準(zhǔn)化XHP封裝作簡(jiǎn)便的模塊并聯(lián)，讓模塊的電流規(guī)格得到簡(jiǎn)便擴(kuò)容。

中國(guó)中車株洲南車時(shí)代副總經(jīng)理劉國(guó)友的演講標(biāo)題為“功率半導(dǎo)體技術(shù)助力中國(guó)高鐵的快速發(fā)展”他表示，中國(guó)幾十年的軌道交通的發(fā)展中，功率半導(dǎo)體對(duì)其產(chǎn)生巨大的作用。中國(guó)的軌道交通是一個(gè)很復(fù)雜的系統(tǒng)，需要適應(yīng)氣溫，潮濕，高壓等環(huán)境。對(duì)于IGBT的可靠性，功率密度性都有著很高的要求。軌道交通最核心的是IGBT這樣的全控性功率器件。同時(shí)他表示，目前中車的IGBT產(chǎn)品在智能電網(wǎng)，軌道交通等領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用。目前正在研發(fā)銅金屬化芯片的全銅工藝IGBT模塊，開發(fā)智能IGBT將溫度傳感器和電流傳感器集成到IGBT上等。中國(guó)作為高鐵發(fā)展的強(qiáng)國(guó)，目前中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展可以完成一帶一路的需求。

ABB瑞士-半導(dǎo)體高級(jí)銷售經(jīng)理陳馬看在“面向大功率低損耗應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的發(fā)展及趨勢(shì)”的演講中表示，HVDC和可再生能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體不斷提出更高的要求。一方面器件需要有更高的可靠性和魯棒性以確保系統(tǒng)不間斷工作，另一方面它們應(yīng)該能以低損耗處理更大電流并以高可控性實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。4500V/3000AStakPak壓接式IGBT新產(chǎn)品的在柔直和直流斷路器中的應(yīng)用擁有很大的潛力。同時(shí)他介紹了LinPak一種低電感易于實(shí)現(xiàn)無降額并聯(lián)的全新IGBT模塊平臺(tái)。并表示，SiC是一個(gè)穩(wěn)定的項(xiàng)目，IGBT和SiC會(huì)有很多的潛能。

南京銀茂微電子有限公司總經(jīng)理莊偉東在“碳化硅功率模組之節(jié)能應(yīng)用”的演講中表示，現(xiàn)在許多器件都在導(dǎo)入碳化硅。碳化硅和單晶硅最大的區(qū)別，能帶寬度寬，導(dǎo)熱系數(shù)是單晶硅的4倍以上等。采用混合型碳化硅模塊性能提升非常明顯，開通損耗可以降低50%，二極管本身損耗可以降低99%。按照目前的碳化硅發(fā)展速度，更大電流的碳化硅模塊會(huì)有更多應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅模塊已經(jīng)來了，對(duì)于成本敏感的設(shè)計(jì)，混合型的碳化硅模塊是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。對(duì)于這些焦點(diǎn)技術(shù)，需要更好的封裝技術(shù)，包括高傳熱的設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)將會(huì)使碳化硅模塊獲得更好的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

上海華虹宏力部長(zhǎng)楊繼業(yè)在“促進(jìn)綠色革命—功率分立器件工藝平臺(tái)”的演講中表示，華虹宏力是全球最大的8寸功率器件代工廠。擁有超過14年的功率獨(dú)立器件經(jīng)驗(yàn)。公司提供600-6500V的IGBT解決方案。他指出，IGBT在太陽能風(fēng)能，新能源汽車上應(yīng)用非常廣泛。北上廣對(duì)新能源汽車提供專用牌照等，可以看出，目前我國(guó)對(duì)新能源汽車的推廣的力度的發(fā)展非常大，未來新能源汽車必將很有市場(chǎng)前景。純電動(dòng)車的核心模塊離不開IGBT，充電樁的建設(shè)也運(yùn)用了大量的功率器件模塊。到2020年我國(guó)年產(chǎn)新能源汽車預(yù)計(jì)達(dá)200萬臺(tái)，僅8寸的IGBT的芯片26萬片之多，對(duì)于產(chǎn)品鏈來說都是很好的機(jī)會(huì)。

瀚天天成公司研發(fā)副總裁馮淦在“功率半導(dǎo)體碳化硅外延生長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)展”的演講中指出，碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，在未來3-5年內(nèi)，必將有更多的企業(yè)向市場(chǎng)推出更多種類型的SiC功率器件。這也意味著全球?qū)iC材料的需求將迎來一個(gè)井噴。對(duì)于傳統(tǒng)的Si工藝，可以直接通過擴(kuò)散或注入的方式在高質(zhì)量的硅襯底上形成不同類型的摻雜層，來實(shí)現(xiàn)器件的功能。但對(duì)于SiC來說，很難用擴(kuò)散的方式來實(shí)現(xiàn)摻雜。因?yàn)榧词乖?000℃以上的高溫，這些雜質(zhì)在SiC中的擴(kuò)散系數(shù)仍然非常低。因此，SiC器件中的各種類型的摻雜結(jié)構(gòu)層就需要用外延的方式來制作，特別是采用化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)來進(jìn)行外延生長(zhǎng)。這也就說，CVD外延生長(zhǎng)在整個(gè)SiC的產(chǎn)業(yè)鏈中占有舉足輕重的地位。

德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司電力電子器件副總裁FrankWischmeyer博士在“用于高效電力電子半導(dǎo)體器件的GaN和SiC外延生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展”的演講中，表示，約3/1的全球能源消耗是基于電力。提高電能的傳輸效率，從源到電網(wǎng)的分布和轉(zhuǎn)換，以及最終的電力用戶和設(shè)備，可以形成一個(gè)巨大的節(jié)能形式。有機(jī)材料對(duì)于顯示和光伏項(xiàng)目已經(jīng)形成了一定的市場(chǎng)。根據(jù)預(yù)期，汽車行業(yè)使用碳化硅在電動(dòng)車將會(huì)有大有所為的空間。對(duì)于外延片來說，材料很值得關(guān)注。他指出，Aixtron改善了AIXG5+C系統(tǒng)，解決了高收益，高素質(zhì)和高吞吐量的生產(chǎn)GaN基材料在大面積硅片的共同挑戰(zhàn)，通過完全自動(dòng)化由盒到盒的裝載以及熱反應(yīng)化學(xué)復(fù)位的MOCVD生長(zhǎng)室。

LayTecAG的市場(chǎng)和銷售總監(jiān)ThiemeTom在“原位檢測(cè)技術(shù)電力電子制造中的早期探測(cè)應(yīng)用”中，表示半導(dǎo)體制造是要最大程度的提高設(shè)備的性能以及壽命。同時(shí)還要確保，每個(gè)晶圓在每次運(yùn)行中，所有關(guān)鍵參數(shù)也都是均勻的。最終的目標(biāo)是外延工藝收率100%。如何精確的控制的晶圓表面溫度和應(yīng)變狀態(tài)的層是非常重要的。原味檢測(cè)可以讓你知道質(zhì)量如何，可以了解到生長(zhǎng)的速度，了解到表面的，包括氮化鉀中間層的粗糙程度。

豐田汽車功率電子事業(yè)部總經(jīng)理濱田公守在“將碳化硅功率半導(dǎo)應(yīng)用于環(huán)保型汽車”演講中指出，汽車行業(yè)正在開發(fā)一系列的電動(dòng)環(huán)保汽車來幫助減少尾氣二氧化碳排放量和實(shí)現(xiàn)能源多樣化。混合動(dòng)力汽車作為環(huán)保車最實(shí)用的類型已經(jīng)被市場(chǎng)廣泛接受。混動(dòng)車在未來具有很大的市場(chǎng)。2015年，在日本幾乎所有的相關(guān)的車都可以實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化，到2050年，下一代的車都可以實(shí)現(xiàn)電力總成。同時(shí)他表示，到2020年，混動(dòng)車將會(huì)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。豐田汽車公司已將高壓系統(tǒng)定位為一種可以應(yīng)用于所有下一代電動(dòng)環(huán)境友好的汽車的核心技術(shù)，目前正在努力提高高壓系統(tǒng)組件的性能。由于其低損耗的操作性能，碳化硅功率器件作為高壓系統(tǒng)的關(guān)鍵部件被認(rèn)為是非常有前途的下一代半導(dǎo)體功率器件，它有助于提高燃油效率，減少尺寸和重量的功率控制單元。

更多資訊請(qǐng)關(guān)注電力電子頻道