中國芯揚(yáng)威 打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷

時(shí)間:2014-12-12

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導(dǎo)語:繼國內(nèi)首條8英寸IGBT專業(yè)芯片線在南車株洲所投產(chǎn)后,該所又傳來好消息:近日,載有首批8英寸IGBT芯片的模塊,在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試,并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里,各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平。

繼國內(nèi)首條8英寸IGBT專業(yè)芯片線在南車株洲所投產(chǎn)后,該所又傳來好消息:近日,載有首批8英寸IGBT芯片的模塊,在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試,并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里,各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平。

此次試運(yùn)行的IGBT模塊,由南車株洲所旗下南車時(shí)代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成,IGBT芯片制造、封裝、測試的整套技術(shù)均在公司研制和生產(chǎn)。它的誕生到應(yīng)用,已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷,實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。

作為電力電子裝置的“心臟”,IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。但是,國內(nèi)IGBT技術(shù)起步較晚,發(fā)展艱難而緩慢。國內(nèi)大功率IGBT市場因此一直被國外公司壟斷。二十世紀(jì)六十年代初,株洲所開始培養(yǎng)我國最早的半導(dǎo)體器件研發(fā)隊(duì)伍。改革開放后,該所從美國西屋公司引進(jìn)一條3英寸大功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線,通過消化和吸收,先后成功研制出5英寸系列普通晶閘管和整流管及世界上第一只6英寸晶閘管。

2008年,南車時(shí)代電氣成功并購英國丹尼克斯半導(dǎo)體公司,2012年,株洲所投資15億元,在株洲建設(shè)起國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線,并于今年6月正式投產(chǎn)。10月,自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗(yàn),并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車輛。

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