中國(guó)集成電路高端裝備自主化獲新突破

時(shí)間:2014-10-23

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:目前,我國(guó)大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線(8-12英寸)的芯片制造設(shè)備大量依賴進(jìn)口,不僅嚴(yán)重影響我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,也對(duì)我國(guó)電子信息安全造成重大隱患。

由北方微電子公司自主研發(fā)的12英寸28納米等離子硅刻蝕機(jī),已經(jīng)全面通過中芯國(guó)際集成電路制造有限公司的生產(chǎn)線全流程工藝驗(yàn)證。這標(biāo)志著中國(guó)集成電路高端裝備自主化取得了新的突破。

等離子刻蝕機(jī)是在硅片表面實(shí)現(xiàn)三維精細(xì)加工的高端設(shè)備,是集成電路制造中最核心的裝備之一。當(dāng)前,國(guó)際上進(jìn)入量產(chǎn)的最高水平是28納米技術(shù),相比40納米技術(shù),可使集成電路的功耗更小、速度更快、成本更低,主要應(yīng)用于CPU、存儲(chǔ)器、移動(dòng)通信、數(shù)字音視頻等高端芯片產(chǎn)品。目前,國(guó)際上僅美國(guó)和日本各有一家企業(yè)能夠提供滿足28納米生產(chǎn)線的成熟設(shè)備。

由于技術(shù)門檻高,高端刻蝕設(shè)備成為長(zhǎng)期制約我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。目前,我國(guó)大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線(8-12英寸)的芯片制造設(shè)備大量依賴進(jìn)口,不僅嚴(yán)重影響我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,也對(duì)我國(guó)電子信息安全造成重大隱患。

北方微電子28納米等離子硅刻蝕機(jī)通過自主創(chuàng)新,突破了精密等離子體控制、硅片表面溫度精確控制、高氣流均勻控制等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),以全新的硬件設(shè)計(jì)達(dá)到了高速率、高均勻性、低損傷和低缺陷、精確尺寸和形貌控制、低顆粒污染等要求,多項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。28納米刻蝕技術(shù)的突破,打破了國(guó)外對(duì)28納米集成電路生產(chǎn)設(shè)備的技術(shù)封鎖和市場(chǎng)壟斷,縮短了與國(guó)際先進(jìn)水平的差距。

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