6月20日，被業(yè)界認(rèn)為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關(guān)鍵技術(shù)在中國南車取得產(chǎn)業(yè)化突破：國內(nèi)首條8英寸IGBT專業(yè)芯片線今日投產(chǎn)，這也是世界上第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線，它的投產(chǎn)，打破了國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對于保障國民經(jīng)濟(jì)安全、推動兩型社會建設(shè)具有重大戰(zhàn)略意義。

IGBT芯片技術(shù)相當(dāng)于電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，它也是節(jié)能減排產(chǎn)業(yè)中不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)。8英寸IGBT芯片其上面布滿128塊小芯片，每塊小芯片只有指甲蓋大小，厚度僅為人體兩根頭發(fā)絲，但其內(nèi)部包含了6萬個以上稱之為“元胞”的基本單元，設(shè)計技術(shù)難度高。一條芯片生產(chǎn)線工序多達(dá)200余道，生產(chǎn)周期長達(dá)6-8周，對生產(chǎn)環(huán)境的要求苛刻，生產(chǎn)工藝難度大。由IGBT芯片組成的IGBT器件、模塊、組件以及系統(tǒng)裝置有著廣闊的應(yīng)用范圍，小到家用電器，大到高端產(chǎn)業(yè)，凡是有電的地方，都可以看到IGBT的身影。

我國政府始終高度重視IGBT等電力電子器件的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。但由于IGBT芯片技術(shù)含量極高，加上行業(yè)基礎(chǔ)薄弱等原因，我國在先進(jìn)IGBT芯片技術(shù)及模塊封裝技術(shù)的研制上進(jìn)展緩慢，全球IGBT技術(shù)依然主要掌握在歐洲和日本等少數(shù)幾家企業(yè)手中。

中國南車作為我國最早開展電力電子器件研制與應(yīng)用的企業(yè)之一，1964年，公司利用硅整流器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的水銀整流管，應(yīng)用到“韶山”電力機(jī)車上，開啟了中國軌道交通裝備的電力電子時代。上個世紀(jì)90年代，中國南車開始該項技術(shù)的理論研究。2009年底，公司在株洲建成國內(nèi)首條高壓IGBT模塊封裝線，首次實現(xiàn)高壓大功率IGBT模塊的國產(chǎn)化。2012年5月，公司在株洲投資15億元，建設(shè)國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。通過資本運作和自主創(chuàng)新相結(jié)合的方式，中國南車迅速掌握了IGBT芯片設(shè)計及封裝成套關(guān)鍵技術(shù)與工藝，成為國內(nèi)唯一自主掌握集IGBT芯片、模塊、組件、應(yīng)用全套技術(shù)的企業(yè)。

伴隨著中國南車IGBT技術(shù)及國產(chǎn)化的進(jìn)程，我國在電力電子器件領(lǐng)域受制于人的局面由此改變。2008年前，該產(chǎn)品市場價格居高不下；2008年，南車株洲所并購丹尼克斯公司完成后，該產(chǎn)品價格開始下降；而當(dāng)該公司實現(xiàn)產(chǎn)能后，該產(chǎn)品目前價格已經(jīng)大幅下降。由此一項，中國南車為國家節(jié)約成本達(dá)數(shù)十億元。

中國工程院院士、中國南車株洲所總經(jīng)理丁榮軍告訴記者，為了實現(xiàn)“IGBT”國產(chǎn)化之夢，中國南車集合了上百位專家，積聚20多年之功，累計投入超過30億元，在IGBT芯片設(shè)計、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應(yīng)用上攻克了30多項重大難題，終于掌握了該器件的成套技術(shù)，建立了完整的IGBT規(guī)模化、專業(yè)化生產(chǎn)工藝體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

雖然是收購的技術(shù)，雖然南車IGBT產(chǎn)品的性能還不能和一線大廠如英飛凌、ABB以及三菱等抗衡，但因為擁有了自己的IGBT產(chǎn)品，讓南車在和國際大廠的收購中擁有了更多的議價權(quán)，目前南車對外采購的IGBT產(chǎn)品的價格已經(jīng)較最初下降了1/3強(qiáng)。