三菱電機估計功率器件市場到2016年再創(chuàng)新高——記者會

時間:2014-07-23

來源:三菱電機機電(上海)有限公司

導語:三菱電機大中國區(qū)半導體總經(jīng)理四個所大亮表示,為了增強客戶支持的力度,三菱電機已于去年成立了總部位于上海的大中國區(qū)三菱電機半導體運行架構,將原來的銷售和代理機構進行了精簡和重組。


記者會現(xiàn)場:(左至右)
MEGP技術營業(yè)課課長:商明先生
三菱電機功率器件制作所總工程師:佐藤克己
大中國區(qū)三菱電機半導體總經(jīng)理:四個所大亮      
大中國區(qū)三菱電機半導體市場總監(jiān):錢宇峰
功率器件的發(fā)展進程(佐藤克己先生介紹)
三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)功率半導體為了滿足中國市場各方面的需求,在中國建有生產(chǎn)工廠,在全國各地10個地方有銷售中心。
IGBT芯片發(fā)展進程    
IGBT芯片始于19世紀80年代中期,30年以來,就FOM(優(yōu)點指數(shù))來說,今日的IGBT芯片比第一代的性能提升了20倍左右,其中改良技術包括:精細化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如CSTBTTM),以及薄晶圓的開發(fā)等等。IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代,還將朝第8代邁進。
隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代,功耗越來越低,尺寸越來越小。從80年代中期至今,芯片尺寸只是原來的四分之一。
第7代IGBT芯片降低功耗
第7代IGBT芯片十分薄,功耗得以降低,但變薄后耐壓特性會變差,所以要適度逐層調(diào)整,才能使之更耐用和更有效。第7代IGBT芯片涵蓋的電壓等級有600V、1200V和1700V。 在晶圓尺寸方面,從2000年開始的5英寸,發(fā)展至今日的8英寸,最薄達到50微米。晶圓還會繼續(xù)朝12英寸發(fā)展,令產(chǎn)品變得更薄,電阻更低。
功率器件的封裝技術決定其散熱性能。為了保護裸晶圓不受外界干擾,所有IGBT及IPM模塊都要封裝起來,甚至把功能集成起來,這樣使用起來更方便及安全,也縮短客戶產(chǎn)品開發(fā)周期。在最新一代的封裝技術中,采用針型散熱器,結合到銅基板或鋁基板上,系統(tǒng)將更小型化。
根據(jù)IGBT電流容量和市場需求,功率器件分成四大類,包括用于家電變頻器的小功率器件,用于工業(yè)的較大功率器件,應用在電動汽車的中功率器件,用于電力和牽引的大功率器件。今后將朝高電流密度、小型化封裝及低損耗方向前進。
三菱電機第7代IGBT模塊,功耗降低了約15%-20%,分NX(通用)系列和STD(標準)系列兩種封裝,取消了絕緣基板,提高了散熱性,使產(chǎn)品變得更輕,效率提升了35%。三菱電機更在產(chǎn)品上預涂導熱材料(TIM),簡化了客戶的生產(chǎn)工序。NX系列的分針型管腳或焊接管腳。為了降低反復開關造成的噪音,三菱電機增強了通過柵極電阻調(diào)節(jié)dv/dt的可控性。
新產(chǎn)品發(fā)展
在產(chǎn)品發(fā)展上,三菱電機立足于降低產(chǎn)品的重量和尺寸,以及提升性能降低損耗,并最終達到降低成本。現(xiàn)時集中發(fā)展第7代IGBT模塊、混合碳化硅模塊、工業(yè)用DIPIPMTM,還有新的IPM系列,包括增強L1系列及新的G系列。
針對鐵路牽引市場,三菱電機將發(fā)展S系列和X系列的HVIGBT,采用新一代的IGBT芯片技術,功耗降低20%。針對HVIGBT,目前主流仍是單晶硅模塊,但已推出一些混合碳化硅模塊,損耗降低30%。將來若采用正在開發(fā)的全碳化硅模塊,損耗可降低70%。
對于電動汽車市場,三菱電機推出了J1系列專用IGBT模塊。這是個六合一的IGBT模塊,采用了第7代IGBT芯片。這個產(chǎn)品采用針腳(Pin-fin)型鋁散熱器,方便和水冷系統(tǒng)結合,比以前銅散熱器輕;同時也采用了直接主端子綁定(DLB)技術,使鍵合線壽命提高了3倍;同時產(chǎn)品重量降低了30%,損耗也相應降低了。
在高端變頻器和伺服驅(qū)動器應用上,三菱電機推出的G系列IPM(智能功率模塊),進一步提高了產(chǎn)品集成度。內(nèi)置自舉電路、限流電阻和限流二極管,將三相逆變橋用的六個開關器件集成到小封裝里,進一步簡化了外圍電路,并可通過管腳輸出線性電壓值,以實時監(jiān)控模塊溫度。
在工業(yè)應用上,DIPIPMTM有兩大新產(chǎn)品,第一個是第6代超小型產(chǎn)品,采用第7代IGBT芯片,跟老芯片相比,在同樣的導通電壓下,電流可以提升20%。第二個是針對工業(yè)市場的小型DIPIPMTM,絕緣耐壓為2500V,集成了IGBT和續(xù)流二極管等最主要的器件,在內(nèi)部IC上設置了溫度傳感器,并輸出正比于溫度的線性電壓,使用更安全。 
針對家電應用的小功率DIPIPMTM有三種封裝:超小型、小型及大型,額定電壓為600V,額定電流覆蓋5A至75A。對于工業(yè)市場,分小型和大型DIPIPMTM,電流范圍也是5A到75A。自去年將電流密度加大后,在原來30A封裝以上,增加了50A的。在1200V耐壓產(chǎn)品中,有小型封裝產(chǎn)品,包括5A、10A這些小功率的。
在新能源領域的太陽能應用上,將在小型化低功耗器件中,引入混合碳化硅產(chǎn)品。針對兆瓦級的風能和太陽能發(fā)電,將有兩個系列產(chǎn)品,絕緣耐壓值不同,1700V以下使用New-MPD,3300V以上采用HVIGBT。此外,還有適合三電平逆變器用的新型四合一IGBT模塊,特別適合太陽能發(fā)電,能實現(xiàn)很高的轉換效率。
整體來說,三菱電機已開始引入混合碳化硅產(chǎn)品,即IGBT芯片用傳統(tǒng)單晶硅,續(xù)流二極管用碳化硅,恢復特性特別好,開關頻率越高,節(jié)能效果更好。在30kHz開關的應用條件下,混合碳化硅產(chǎn)品的功耗可以降低50%,非常適合應用于醫(yī)療設備,如核磁共振和CT彩超等應用中。
三菱電機展望功率模塊技術的發(fā)展方向,歸結為三點:一是芯片薄,能降低功耗;二是封裝散熱性好,包括能承受更高的溫度或提升電流密度,以拓展產(chǎn)品覆蓋面;三是集成度高,如嵌入驅(qū)動電路,以提高使用可靠性。三菱電機將把以上三者有機結合起來,根據(jù)不同的應用領域,開發(fā)不同的新產(chǎn)品。
功率半導體的市場情況(錢宇峰先生主講)
三菱電機作為全球性國際化的公司,肩負著強烈的社會責任感,為創(chuàng)建低碳環(huán)??沙掷m(xù)發(fā)展的和諧社會而不斷努力。
三菱電機的功率模塊產(chǎn)品線很全,按功率等級看,電流從幾安倍到幾千安倍,耐壓從幾百伏到近萬伏,包括小功率的DIPIPMTM,中功率的IGBT/IPM產(chǎn)品,以及大功率的HVIGBT產(chǎn)品等等。三菱電機功率模塊應用廣泛,在消費類產(chǎn)品、工控行業(yè)、運動控制、新能源的光伏風電、電動汽車和新干線、地鐵等領域中都能發(fā)現(xiàn)它的身影。
三菱電機功率模塊在中國市場上,2008年受金融危機的影響,銷售額并不是很大, 2009年后,由于中國政府的4萬億投資,包括基礎建設的大力投入,新能源新能效的補貼政策,家電下鄉(xiāng),汽車下鄉(xiāng)等各方面的政策驅(qū)動下,使2010年的銷售額與2009年相比翻了一番,并在2011年,使整個功率模塊在中國的銷售達到一個新的頂峰。
但是在2012年,三菱電機功率模塊在中國的銷售額有了一個較大的下滑,主要是電力牽引領域,受2011年的溫州7.23事故的影響,當時的鐵道部對電力機車包括高鐵領域進行了大規(guī)模的整頓以提高質(zhì)量管理和監(jiān)控;在風電領域,同樣由于LVRT(低電壓穿越)的缺失導致的大面積電網(wǎng)脫線,使各家風電廠花了差不多9個月對現(xiàn)有的裝機進行功能補足;同時伴隨著國家樂觀謹慎的經(jīng)濟調(diào)控政策,銷售出現(xiàn)了25%的下滑,一直到2013年才有所恢復和提升。
根據(jù)新一屆政府的經(jīng)濟政策,三菱電機也把功率模塊每年在中國市場的增長,設定在與中國GDP未來幾年增長同一水平線上,即7%,并樂觀預計市場在2016年恢復2011年的歷史最高水平。
對于三菱電機功率模塊來說,在中國市場最大的兩大塊,就是白色家電和傳統(tǒng)工業(yè)。傳統(tǒng)工業(yè)領域中,DIPIPMTM產(chǎn)品主要以其小型化、集成化、高性價比在整個市場嚴酷競爭當中勝出。同時IGBT仍將是三菱電機投入比較大的產(chǎn)品,在產(chǎn)品發(fā)展上,延續(xù)封裝的兼容化、標準化并采用更新的硅片技術來提高性價比和市場競爭力。
在白色家電領域,特別是變頻空調(diào),目前DIPIPMTM產(chǎn)品在中國市場份額已經(jīng)達到了55%至60%的水平,其產(chǎn)品也將慢慢地從目前大量使用的第5代硅片技術向第6代過度。
為加快開發(fā)產(chǎn)品應用方案,三菱電機將強化與大學的合作,由來自三菱電機日本的工程師和中國的應用工程師配合,開發(fā)本地化解決方案。 
技術優(yōu)勢
提問:第7代IGBT模塊跟市場同類競爭品牌相比差異化在哪里,優(yōu)勢在哪里?
佐藤克己:在同等芯片及面積的情況下,三菱電機的單位面積電流密度指數(shù)絕對值最高。為降低電流密度增加后的負面因素,三菱電機生產(chǎn)IPM產(chǎn)品時,把驅(qū)動和控制精細化,集成在一起,更好地發(fā)揮第7代IGBT的性能。
提問:第7代IGBT采用了晶圓極薄技術,晶圓片翹曲,是否影響后續(xù)的工藝例如研磨等?
佐藤克己:晶圓通過研磨變薄,會出現(xiàn)翹曲,彎曲的東西不能進入下一個工序去。三菱電機采用了一些輔助材料,讓它盡量不彎曲,保證良品率。
提問:第8代IGBT的主要研發(fā)目標是什么?
佐藤克己:第7代IGBT是一個主要應用IGBT芯片的模塊,舉例來講1200V第7代IGBT芯片100微米厚,但通過理論計算,要達到1200V耐壓值,芯片厚度可以減到80微米。第8代IGBT將朝芯片晶圓超薄化,并提升加工工藝的方向發(fā)展,不僅提升晶圓性能,同時達到降低損耗的效果。 
提問:請問壓接封裝相比傳統(tǒng)的封裝有哪些優(yōu)勢?
佐藤克己:采用壓接封裝技術,客戶可以直接把元件放到基板上,不需要錫焊,工藝、品質(zhì)、成本控制都會提升。在新產(chǎn)品中,提供針型管腳或焊接管腳兩種,還視乎廠家需要,制造不同產(chǎn)品。
提問:請問三菱電機推出一些新產(chǎn)品,在技術上的進步是否也能推動同行的發(fā)展?
佐藤克己:三菱電機不斷開拓新市場,成為許多產(chǎn)品的行業(yè)先驅(qū),樹立典范,可以舉出幾個例子。三菱電機一個J系列車載產(chǎn)品,為日企應用在所有混合動力車和電動車上,儼然成為行業(yè)標準。另外,三菱電機最早進入日本新干線市場,其高壓模塊也成為行業(yè)的標桿,帶領這個行業(yè)的發(fā)展。DIPIPMTM產(chǎn)品是另一個例子,這個用壓鑄模技術生產(chǎn)的智能功率模塊,非常小型化,早已成為行業(yè)標準。
提問:今后是否會向全碳化硅方面發(fā)展?
佐藤克己:這是根據(jù)市場的需求決定。以東京地鐵為例,因為它對節(jié)能或安裝空間要求非常高,所以能承受全碳化硅較高價格的產(chǎn)品。對于一般的家用或低壓變頻器產(chǎn)品,就算是混合碳化硅的價格也沒法接受。在研發(fā)混合碳化硅產(chǎn)品時,目標是價格不超過同等電流等級單晶硅產(chǎn)品的兩倍。全碳化硅產(chǎn)品更是幾倍,所以目前只適合極少數(shù)特殊應用。
提問:如何解決碳化硅量產(chǎn)過程當中,合格率和成本之間的問題?
佐藤克己:這是碳化硅產(chǎn)品的品質(zhì)和特性,與價格之間的平衡關系,碳化硅本身的基板上壞點比單晶硅多,成品率低,造成價格降不下來。三菱電機根據(jù)不同的應用領域,能夠發(fā)揮碳化硅特性優(yōu)勢的地方,只有能夠接受這個成本,我們才生產(chǎn)混合或全碳化硅產(chǎn)品。在中國,三菱電機只是針對一些特定的項目,為合作伙伴提供樣品進行可行性研究。
提問:市場已經(jīng)有廠商推出12英寸IGBT晶圓,三菱電機是使用8英寸,貴公司對于12英寸是如何規(guī)劃的?
佐藤克己:除了晶圓尺寸外,三菱電機還要考慮基板問題?,F(xiàn)時12英寸的晶圓,還沒有供應商能提供穩(wěn)定高壓IGBT使用的基板,反觀8英寸單晶硅的硅板基板供貨穩(wěn)定,價格比12英寸低很多,所以8英寸仍是市場主流。
市場前景
提問:貴公司認為2014年及未來功率模塊市場的整體趨勢如何?驅(qū)動力主要在哪些方面?
錢宇峰:2014年以后,這個市場肯定是向上。中國經(jīng)濟的發(fā)展正朝消費類型轉變,為了出行便利,帶來對高鐵和地鐵的需求。政府也大力推動節(jié)能環(huán)保,倡導電動車,隨著個別受歡迎車型出現(xiàn)后,相信電動汽車在中國的發(fā)展還是有希望的。在民生層面,特別是變頻家電、變頻空調(diào)的發(fā)展,仍然會給三菱電機的功率模塊帶來業(yè)務提升。對于太陽能領域的發(fā)展,不管產(chǎn)能過剩否,仍然會拉動內(nèi)需,總的來說,功率器件會在電力牽引、變頻家電、新能源,特別是電動汽車,以及機器人或運動控制等市場中,有長足的發(fā)展。
功率器件
提問:如何看待功率器件的未來發(fā)展,除了價格以外,還有什么制約因素?三菱電機做了哪些準備工作?如何看待GCT市場,三菱電機有沒有后續(xù)的推廣計劃?
錢宇峰:對于碳化硅功率器件來說,目前制約因素確實是價格,估計至少5至8年才能商品化。對于GCT,三菱電機只對現(xiàn)存的客戶進行有限度的支持,也不會投入研發(fā),因為這個產(chǎn)品最終會被HVIGBT所替代。
大功率器件
提問:HVIGBT在新能源和鐵路牽引領域被受到廣泛認可,如何看待這兩大領域市場? 
錢宇峰:從中國宏觀政策來看,比較看好牽引領域。中國政府仍然維持7千億人民幣的投入來大力發(fā)展鐵路牽引、火車、客貨兩運車、高鐵等。另外,每年各地政府采用市場化債券模式,投入3千億,整個牽引中國市場的投入近1萬億,其中約有1200億至1300億用于采購機車。對于HVIGBT在鐵路牽引領域行業(yè)的應用和發(fā)展,三菱電機是持樂觀態(tài)度的。
關于風電,經(jīng)歷了持續(xù)三年的市場下降,中國風電接網(wǎng)率很低,不到70%,投資回報率也不高,風電的廠商和客戶已經(jīng)從陸上風電向海上風電轉移,不過估計未來五年海上風電總的市場容量只有500MW,和陸上風電每年13GW到高峰期17GW是不可比的。所以HVIGBT在新能源領域,三菱電機持保守態(tài)度。
小功率器件
提問:請三菱電機分享小功率器件產(chǎn)品的成功經(jīng)驗。
錢宇峰:三菱電機在小功率領域一直是領先的,主要是DIPIPMTM產(chǎn)品,因為特殊的生產(chǎn)工藝,除了性能、產(chǎn)品質(zhì)量以外,采用壓鑄模的技術可以提升生產(chǎn)。在變頻空調(diào)領域,2013年的變頻率達到30%,2014年仍然會有5%的遞增。隨著變頻率的提升,對DIPIPMTM的需求也會提升。工業(yè)領域方面,DIPIPMTM會大量應用于小功率變頻器,以及通用的伺服和機器人控制,這些市場隨著中國的經(jīng)濟結構調(diào)整后帶來商機,無論家用還是工業(yè)伺服和變頻器領域,小功率產(chǎn)品的應用,可能每年都會有30%,甚至于50%的提升。 
電動汽車
提問:電動汽車IGBT與一般工業(yè)用的IGBT在技術工藝性能上的主要區(qū)別是什么?功率器件有沒有在電動汽車具體車型上使用?
佐藤克己:區(qū)別在生產(chǎn)工序,因為是車載產(chǎn)品,需要實現(xiàn)超高品質(zhì)車載級模塊。在IGBT加工工序的開始,每個生產(chǎn)工序都需要管理,對生產(chǎn)過程進行精細控制,產(chǎn)品出貨時要有檔案管理。如果有一個產(chǎn)品出問題,馬上可以查到數(shù)據(jù)。日系所有混合動力車,基本使用三菱電機的模塊。
公司發(fā)展
提問:貴公司收購了Vincotech,為何他們至今獨立發(fā)展,獨立參展,獨立參加PCIM展?Vincotech對三菱的意義如何?
谷口豐聰:三菱電機收購Vincotech,因為看重它的生產(chǎn)工藝,包括小封裝,產(chǎn)品中能借鑒的東西有很多,這個品牌不會并入三菱電機,而是并存發(fā)展。
提問:國產(chǎn)IGBT是否會對三菱電機帶來什么沖擊? 
錢宇峰:國產(chǎn)IGBT的出現(xiàn),產(chǎn)生市場細分的結果。國產(chǎn)IGBT適合要求價格低,性能一般的市場。三菱電機則集中于中高端或性價比更高的產(chǎn)品。
提問:簡單介紹一下三菱電機功率器件制造在中國地區(qū)的分布,以及有沒有考慮環(huán)境污染的問題?
四個所大亮:在中國的生產(chǎn)基地,一個在安徽省合肥,另外一個在上海嘉定區(qū)的上海捷敏。三菱電機對環(huán)境保護的要求非常嚴格,這兩家工廠均按照國家標準,甚至是國際標準進行節(jié)能或減排。三菱電機內(nèi)部也訂了一個綠色環(huán)保指標,對每個企業(yè)、工廠、員工要求非常嚴格。

 

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