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日本開發(fā)可預測半導體特性變化的電子模型

時間：2008-06-03

來源：中國傳動網

導語：該模型可被應用于預測互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管的特性變動。

編者按：日本開發(fā)可預測半導體特性變化的電子模型，該模型可被應用于預測互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管的特性變動。 據日本《日刊工業(yè)新聞》報道，一家由東芝、NEC電子等11家日本半導體生產商共同出資建立的高技術企業(yè)半導體尖端技術公司，近日成功開發(fā)出一種電子模型，該模型可被應用于預測互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管的特性變動。 在下一代半導體的研制與開發(fā)過程中，通常都會應用到一種叫淺溝道隔離（STI）的技術，這種技術被用于分隔大規(guī)模集成電路中CMOS晶體管的相鄰元件。而應用新開發(fā)的這種模型，可以在進行STI工序時預測所產生的應力引起的晶體管的特性變化，從而使對相鄰元件間距離的計算更加精確，不必像過去進行半導體設計時那樣考慮過多的冗余。據該公司稱，這項發(fā)明可以將大規(guī)模集成電路的性能最大提高20%%，并將被日本生產商應用于下一代大規(guī)模集成電路的開發(fā)。
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