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賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK^® ChipFET^®和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET^® P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便攜式計算和工業(yè)控制設備中的電源效率，是-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的-12V和-20V器件，占位面積為3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。

Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN適用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦、工業(yè)傳感器和POL模塊里的電源管理等各種應用中的負載、電池和監(jiān)控開關。器件的低導通電阻使設計者能夠在其電路里實現(xiàn)更低的電壓降，更高效地使用電能，延長電池使用壽命。

在節(jié)省PCB空間是首要因素的應用里，-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低導通電阻，而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封裝具有明顯優(yōu)勢。當需要更高的電壓等級時，-20 V Si5415AEDU可滿足需求，具有9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低導通電阻。兩款器件的典型ESD保護為5000V。對于需要極低導通電阻的應用，SiSS23DN的4.5m?(-4.5V)和6.3m?(-2.5V)導通電阻可滿足需求，3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝的高度低至0.75mm。

Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN進行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件規(guī)格表：

器件型號		Si5411EDU	Si5415AEDU	SiSS23DN
V_DS (V)		-12	-20	-20
V_GS (V)		± 8	± 8	± 8
R_DS(ON) (m?) @	4.5 V	8.2	9.6	4.5
	3.7 V	9.4	-	-
	2.5 V	11.7	13.2	6.3
	1.8 V	20.6	22.0	11.5
封裝		PowerPAK ChipFET	PowerPAK ChipFET	PowerPAK 1212-8S

Vishay的P溝道Gen III系列包括60余款器件，占位面積從5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。有關MOSFET的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周。