存儲(chǔ)器雖然亦走在工藝領(lǐng)先進(jìn)程的前列，但隨著工藝的推進(jìn)，亦面臨新的挑戰(zhàn)。業(yè)界主要投入量產(chǎn)的閃存芯片采用的是40多年前開(kāi)發(fā)的浮柵結(jié)構(gòu)。隨著近來(lái)10納米級(jí)制程工藝正式投入使用，存儲(chǔ)單元間的間隔大幅縮小，使得電子外漏導(dǎo)致的電子干擾現(xiàn)象越來(lái)越嚴(yán)重。從某種程度上說(shuō)，NAND閃存的微細(xì)化技術(shù)已達(dá)到了物理極限。

無(wú)獨(dú)有偶的事近期在存儲(chǔ)器領(lǐng)域上演。Spansion公司除宣布整合富士通半導(dǎo)體MCU及相關(guān)業(yè)務(wù)外，還宣布與中國(guó)大陸300mm晶圓廠XMC共同簽署一項(xiàng)技術(shù)許可協(xié)議。據(jù)該協(xié)議，XMC將獲得Spansion浮柵NOR閃存技術(shù)授權(quán)。在XMC現(xiàn)有300mm晶圓產(chǎn)能基礎(chǔ)上，雙方將進(jìn)一步擴(kuò)大Spansion授權(quán)的65nm、45nm和32nm的MirrorBit閃存技術(shù)合作。而存儲(chǔ)器另一大廠美光正式宣布整合爾必達(dá)以及旗下子公司瑞晶，在正式入主之后，不僅位居DRAM市場(chǎng)三強(qiáng)之列，未來(lái)其存儲(chǔ)器產(chǎn)品及產(chǎn)能也將做進(jìn)一步調(diào)整，存儲(chǔ)器版圖將釀變。

影響幾何

XMC如果在32nm工藝實(shí)現(xiàn)突破，將在中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生示范作用。

收購(gòu)富士通半導(dǎo)體MCU及相關(guān)業(yè)務(wù)之后的Spansion，顯然把目光越過(guò)了存儲(chǔ)器，而欲在MCU相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域大展宏圖，但存儲(chǔ)器仍是Spansion立身之本。其與XMC的合作始于2008年，此次選擇XMC可謂順理成章。Spansion首席執(zhí)行官兼董事會(huì)成員JohnKispert表示，XMC在生產(chǎn)技術(shù)、產(chǎn)品質(zhì)量和成本控制上具有優(yōu)勢(shì)，Spansion關(guān)注質(zhì)量和成本，而XMC在成本和質(zhì)量控制上都非常出色，而且全球鮮見(jiàn)能提供32nm工藝的代工廠。

“和XMC合作主要是基于其300mm晶圓生產(chǎn)線，在65nm和45nm開(kāi)展技術(shù)合作。今年晚些時(shí)候，我們還會(huì)推出32nm工藝開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品，這樣Spansion在產(chǎn)品成本上會(huì)更具競(jìng)爭(zhēng)力。”JohnKispert指出。XMC與Spansion位于美國(guó)的工廠將共同成為支持Spansion輕晶圓廠戰(zhàn)略的核心。由于Spansion的產(chǎn)品多元化，因而其代工伙伴還包括海力士、UMC等，走的是廣撒網(wǎng)的路線。

雖然是客戶與供應(yīng)商之間的合作，但對(duì)業(yè)界的影響亦見(jiàn)微知著。“Spansion與XMC合作對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)影響不小。”業(yè)界專(zhuān)家莫大康分析說(shuō)，“從目前大陸代工業(yè)發(fā)展來(lái)看，雖然中芯國(guó)際已開(kāi)始贏利，但經(jīng)營(yíng)思路已然改變，現(xiàn)在的思路是確保贏利。另一國(guó)有企業(yè)華力微發(fā)展也不太妙。在這種情形下，XMC如果在32nm工藝實(shí)現(xiàn)突破，將為中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生示范作用。莫大康進(jìn)一步指出，從全球來(lái)看，32nm工藝不算很先進(jìn)，實(shí)現(xiàn)這一工藝并不很困難，買(mǎi)好的光刻機(jī)差不多就能實(shí)現(xiàn)。

從合作層面來(lái)考量，iSuppli首席分析師顧文軍指出，Spansion與XMC合作可能更多只是簡(jiǎn)單的代工關(guān)系，而沒(méi)有建立更深層次的合作。很可能Spansion對(duì)價(jià)格要求苛刻，對(duì)于XMC來(lái)說(shuō)能否賺錢(qián)還很難說(shuō)。從制造來(lái)看，Spansion只在美國(guó)有8英寸廠，沒(méi)有自己的12英寸廠，相對(duì)于其他存儲(chǔ)器廠商的IDM模式還有差距。顧文軍還指出，現(xiàn)在XMC也在為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商兆易創(chuàng)新做代工，如果XMC能與兆易創(chuàng)新建立更深的合作，比如股權(quán)合作等，成為戰(zhàn)略合作伙伴，對(duì)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器業(yè)的發(fā)展將是利好。

版圖生變

寡頭壟斷格局日益彰顯，三星、海力士、美光、東芝等居于領(lǐng)先地位，這種格局也將日趨穩(wěn)定。

8月初美光正式整合爾必達(dá)以及旗下子公司瑞晶也使得存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)酵。

從今年第一季DRAM市場(chǎng)占有率來(lái)看，原美光與爾必達(dá)市場(chǎng)占有率各為13.0%及13.8%，整合之后，新美光集團(tuán)市場(chǎng)占有率與SK海力士相當(dāng)，成為僅次三星、與SK海力士并列第二的存儲(chǔ)器大廠。而從閃存方面來(lái)觀察，美光市場(chǎng)占有率僅2.7%，遠(yuǎn)低于爾必達(dá)的18.5%以及SK海力市的21.7%。整合之后，攜美光優(yōu)異的NANDFlash制程以及爾必達(dá)在閃存的地位，預(yù)計(jì)其將在相關(guān)領(lǐng)域提升市場(chǎng)占有率。移動(dòng)存儲(chǔ)器營(yíng)收將占整體20%以上，對(duì)該市場(chǎng)的影響力將大幅增加。

“美光兼并爾必達(dá)，全球存儲(chǔ)器三足鼎立態(tài)勢(shì)確立。”莫大康說(shuō)道。存儲(chǔ)器的總產(chǎn)值約600億美元，但DRAM、NAND及NOR等消耗了40%以上的總產(chǎn)能，因此被稱(chēng)為風(fēng)向標(biāo)。它的周期性起伏明顯，目前在DRAM市場(chǎng)中，三星、海力士及美光稱(chēng)雄。在NAND中，包括三星、東芝、美光、海力士等居領(lǐng)先地位。顧文軍分析說(shuō)，合并之后，寡頭壟斷格局日益彰顯，三星、海力士、美光、東芝等居于領(lǐng)先地位，這種格局也將日趨穩(wěn)定。

據(jù)預(yù)測(cè)，全球NAND閃存芯片市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)，從今年的236億美元增長(zhǎng)到2016年的308億美元。在閃存領(lǐng)域雖然Spansion市值相對(duì)較小，但其發(fā)展不斷提速。第二季度財(cái)報(bào)顯示，Spansion銷(xiāo)售額達(dá)1.95億美元，毛利率33.6%，凈利率為9.5%。在過(guò)去3年中，其每個(gè)季度的利潤(rùn)率都是10%左右。JohnKispert介紹說(shuō)，下一季度預(yù)計(jì)還將按此比例增長(zhǎng)。NOR仍是Spansion最大、最強(qiáng)的業(yè)務(wù)板塊，Spansion會(huì)持續(xù)推出新品，持續(xù)增長(zhǎng)和保持贏利。在NAND方面，Spansion也在持續(xù)加強(qiáng)，上一季度營(yíng)收即翻番，預(yù)計(jì)下一季度營(yíng)收也將翻番。JohnKispert還指出，成本是閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵，因而Spansion也將致力于持續(xù)降低成本，提高利潤(rùn)率，這是唯一能夠持續(xù)不斷對(duì)設(shè)計(jì)和研發(fā)進(jìn)行投入的前提。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce調(diào)查，由于下半年P(guān)C出貨仍不明朗，加上三星手機(jī)事業(yè)部開(kāi)始購(gòu)買(mǎi)SK海力士的移動(dòng)存儲(chǔ)器，SK海力士正積極調(diào)整其產(chǎn)品比例，下半年預(yù)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器比重將僅剩30%。TrendForce認(rèn)為，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)走入寡頭壟斷態(tài)勢(shì)，供需已經(jīng)不是價(jià)格漲跌的唯一依據(jù)，DRAM廠只要在某一產(chǎn)品形成寡頭壟斷甚至獨(dú)占后，定能控制價(jià)格與市場(chǎng)，往年價(jià)格的大起大落將不復(fù)見(jiàn)，伴隨而來(lái)的是穩(wěn)定的市場(chǎng)價(jià)格與獲利，這將是未來(lái)DRAM市場(chǎng)的走向。

莫大康指出，前段時(shí)期廠商將DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)到NAND上，如今DRAM價(jià)格上升，產(chǎn)能又吃緊，因而做存儲(chǔ)器要經(jīng)得住周期的虧損。隨著一次又一次的兼并，未來(lái)格局將相對(duì)穩(wěn)定。

3D閃存浮出水面

存儲(chǔ)器相對(duì)3D最容易實(shí)現(xiàn)，因?yàn)槭前淹环N芯片堆疊24層、32層就能提高容量，因此將在3D方面打先鋒。

存儲(chǔ)器雖然亦走在工藝領(lǐng)先進(jìn)程的前列，但隨著工藝的推進(jìn)，亦面臨新的挑戰(zhàn)。業(yè)界主要投入量產(chǎn)的閃存芯片采用的是40多年前開(kāi)發(fā)的浮柵結(jié)構(gòu)。隨著近來(lái)10納米級(jí)制程工藝正式投入使用，存儲(chǔ)單元間的間隔大幅縮小，使得電子外漏導(dǎo)致的電子干擾現(xiàn)象越來(lái)越嚴(yán)重。從某種程度上說(shuō)，NAND閃存的微細(xì)化技術(shù)已達(dá)到了物理極限。

而借助于3D的力量，NAND閃存迎來(lái)新曙光。近期三星、東芝包括海力士都在努力，成為業(yè)界一大趨勢(shì)。三星近日推出的3DNAND閃存，采用三星獨(dú)創(chuàng)的“3D圓柱形電荷捕獲型柵極存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)技術(shù)”和“3D垂直堆疊制程技術(shù)”，與采用20納米級(jí)單層結(jié)構(gòu)的高性能NAND閃存產(chǎn)品相比，密度提高了兩倍以上，由此顯著提高了生產(chǎn)效率。三星此次將原來(lái)單層排列的存儲(chǔ)單元以3D垂直堆疊方式重新排列，不僅同時(shí)實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)創(chuàng)新和制程創(chuàng)新，更將原有問(wèn)題一并解決，使3D閃存芯片量產(chǎn)成為可能。這也使得3D芯片的發(fā)展進(jìn)一步提速。

莫大康分析說(shuō)，存儲(chǔ)器相對(duì)3D最容易實(shí)現(xiàn)，因?yàn)槭前淹环N芯片堆疊24層、32層就能提高容量，因此存儲(chǔ)器將在3D方面打先鋒。未來(lái)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)將迎來(lái)加高堆疊層數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)大容量化的、徹底的技術(shù)轉(zhuǎn)型。

莫大康最后指出，3D的路其實(shí)不好走，技術(shù)方面難度大，尤其是異質(zhì)架構(gòu)。其實(shí)最理想的是異質(zhì)架構(gòu)把邏輯、存儲(chǔ)器、模擬、RF、MEMS都放在一起，這將實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體又一次大躍進(jìn)，但目前還達(dá)不到。