AMD宣布與研發(fā)伙伴IBM共同合作，運用超紫外線微影技術(shù)，針對整個芯片中最關(guān)鍵的第一層金屬鏈接進(jìn)行測試，并成功生產(chǎn)出作業(yè)測試芯片，透過全面性的超紫外線微影技術(shù)，成功整合至大小為22mm＊33mm的45納米節(jié)點測試芯片制程。 據(jù)BrunoLaFontaine博士表示，AMD的超紫外線微影技術(shù)在未來數(shù)年，在半導(dǎo)體制程上的應(yīng)用具十足的潛力，業(yè)界廠商因芯片體積縮小而受惠。雖然在業(yè)界可運用超紫外線微影技術(shù)量產(chǎn)之前，仍有許多挑戰(zhàn)需要克服，但是AMD已經(jīng)證明該技術(shù)可以成功地與半導(dǎo)體晶圓制程結(jié)合，完整產(chǎn)出芯片上的第一層金屬互連層。 IBM結(jié)構(gòu)研究經(jīng)理DavidMedeiros表示，微影技術(shù)如同微處理器一樣重，如何將含有數(shù)百萬個電晶體集成芯片的高度復(fù)雜設(shè)計，移轉(zhuǎn)到晶圓片上的技術(shù)，將是未來的重大挑戰(zhàn)，而晶圓片上的多重層級，是建立一個芯片的必要條件。 DavidMederios進(jìn)一步指出，隨著芯片工程師持續(xù)在芯片上加入嶄新功能，同時增強(qiáng)芯片的效能表現(xiàn)，讓體積愈來愈小的電晶體可在特定的區(qū)域中放置更多的電晶體，要如何制造小型電晶體與連接電晶體的金屬線，與用來投射芯片設(shè)計在晶圓片上的光波長度有直接關(guān)系，超紫外線光刻顯影技術(shù)采用13.5奈米的波長，大幅縮短現(xiàn)今的193納米微影技術(shù)，持續(xù)推動傳統(tǒng)芯片功能與體積間的可調(diào)整性。 現(xiàn)時，位于德國德勒斯登的AMD36號廠，首先采用193nm浸潤式微影量產(chǎn)技術(shù)，進(jìn)行芯片測試，再將測試芯片運送至位于紐約州阿爾巴尼的IBM奈米科學(xué)與工程學(xué)院之研發(fā)中心，AMD、IBM與其他合作伙伴運用由ASML、IBM、與CNSE合作建置的ASML超紫外線微影掃描器，于德國制造的電晶體間進(jìn)行第一層金屬相連物的圖樣模型。 在完成圖樣成型、蝕刻與金屬物沉淀等制程后，AMD對超紫外線微影設(shè)備架構(gòu)進(jìn)行電子測試，發(fā)現(xiàn)電晶體的特征與僅使用193nm浸潤式微影量產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行的芯片測試結(jié)果相符。這些晶圓片將再透過標(biāo)準(zhǔn)的晶圓制程，增加額外的金屬互連層，進(jìn)而使大型的記憶數(shù)組亦可進(jìn)行測試排程。 驗證超紫外線顯影技術(shù)量產(chǎn)可行性的下一步驟，是將此技術(shù)從金屬互聯(lián)物層的應(yīng)用，擴(kuò)展到所有層級，以證明超紫外線微影技術(shù)可制造一個完整的作業(yè)微處理器，預(yù)期國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖將可望于2016年達(dá)到22nm半間距節(jié)點的標(biāo)準(zhǔn)，因此超紫外線微影技術(shù)必須在2016年前達(dá)到可量產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。