伊瑪電容式傳感器在半導(dǎo)體清洗設(shè)備藥液清洗的應(yīng)用實(shí)例

文:2022年第六期

導(dǎo)語:這里主要介紹半導(dǎo)體其中的清洗設(shè)備——半導(dǎo)體濕法腐蝕機(jī)。清洗設(shè)備必須保證優(yōu)質(zhì)的清洗效果,無交叉感染的風(fēng)險(xiǎn),準(zhǔn)確地供給化學(xué)藥液,可廣泛應(yīng)用于不同種晶圓的清洗工藝。

   在許多半導(dǎo)體元器件的制造中,整個(gè)制程的環(huán)節(jié)緊緊相扣, 每一個(gè)步驟對(duì)于良率的生產(chǎn)起到一定的作用。這里主要介紹半導(dǎo)體其中的清洗設(shè)備——半導(dǎo)體濕法腐蝕機(jī)。清洗設(shè)備必須保證優(yōu)質(zhì)的清洗效果,無交叉感染的風(fēng)險(xiǎn),準(zhǔn)確地供給化學(xué)藥液,可廣泛應(yīng)用于不同種晶圓的清洗工藝。

  半導(dǎo)體清洗設(shè)備: 半導(dǎo)體濕法腐蝕機(jī)

  生產(chǎn)半導(dǎo)體器件專用清洗設(shè)備,需要檢測(cè)清洗液的高低液位。因清洗液具有強(qiáng)酸或強(qiáng)堿的腐蝕性,所以需要非接觸方式檢測(cè)。

  清洗液多為強(qiáng)酸,有時(shí)也會(huì)有強(qiáng)堿,清洗槽材質(zhì)為聚乙烯(PE)或聚四氟乙烯(PTFE)。

  由于不直接接觸腐蝕性的液體, 避免因?yàn)榻佑|造成表面殼體腐蝕, 進(jìn)而影響到使用壽命, 因此伊瑪?shù)碾娙菔?a href="http://m.u63ivq3.com/p/sensor/" target="_blank" rel="nofollow">傳感器本身必須具備優(yōu)良的穿透能力,即使容器壁厚10mm, 也能輕松穿透, 感應(yīng)到容器內(nèi)的液體。

  用戶以前使用投入式差壓液位計(jì),對(duì)傳感器耐腐蝕性要求很高,成本也較高。伊瑪?shù)膽?yīng)用工程師推薦使用M30電容接近開關(guān)CB0006,并做了一些應(yīng)用工藝的升級(jí),替客戶大大降低了成本。

  該用戶在外部安裝架上的精巧設(shè)計(jì),具備長(zhǎng)槽,可以很方便地調(diào)整電容傳感器的高度,且不用考慮產(chǎn)品腐蝕問題。

半導(dǎo)體濕法腐蝕機(jī).png

  伊瑪電容式接近傳感器

  伊瑪M30電容接近開關(guān)CB0006具有以下特點(diǎn):

  ? 非接觸式安裝;

  ? 另有防腐蝕材質(zhì), 也能直接接觸介質(zhì);

  ? 可穿透非金屬的容器,如塑料、玻璃,無須接觸到容器內(nèi)的腐蝕性液體;

  ? 多種尺寸可選:M18/M30/?34/扁平式;

  ? 偵測(cè)物可包括:液體、固體、粉體;

  ? 可視為液位傳感器:適用于高低位的液位檢測(cè)。

伊瑪電容接近開關(guān)1.png

伊瑪電容接近開關(guān)2.png

伊瑪電容接近開關(guān)

  半導(dǎo)體的清洗工藝主要用于去除芯片制造中上一道工序所遺留的超微細(xì)顆粒污染物、金屬殘留、有機(jī)物殘留物, 去除光阻掩膜或殘留,也可根據(jù)需要進(jìn)行硅氧化膜、氮化硅或金屬等薄膜材料的濕法腐蝕,為下一步工序準(zhǔn)備好良好的表面條件。清洗一般采用化學(xué)和物理作用力相結(jié)合的方法實(shí)現(xiàn),在清洗時(shí)既要有很好的腐蝕選擇性,高效地去除超微細(xì)顆粒物及各種殘留物的能力,又不能對(duì)芯片表面的精細(xì)圖形結(jié)構(gòu)造成損傷。濕法腐蝕速率,腐蝕均勻性,晶圓正、反面交叉污染的控制,清洗效率等都是至關(guān)重要的工藝要素。目前市場(chǎng)上可提供多種類型的單片清洗設(shè)備和槽式清洗設(shè)備, 并已被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、集成電路、先進(jìn)封裝、微機(jī)電系統(tǒng)、電力電子、化合物和功率器件等領(lǐng)域。



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