時間:2024-01-16 15:55:12來源:太陽能光伏網(wǎng)
GaAs太陽電池的發(fā)展是從上世紀50年代開始的,至今已有已有50多年的歷史。1954年世界上首次發(fā)現(xiàn)GaAs材料具有光伏效應。在1956年,LoferskiJ.J.和他的團隊探討了制造太陽電池的最佳材料的物性,他們指出Eg在1.2~1.6eV范圍內(nèi)的材料具有最高的轉(zhuǎn)換效率。目前實驗室GaAs電池的效率最高已經(jīng)能夠達到50%。
GaAs太陽電池是一種Ⅲ~Ⅴ族化合物半導體太陽電池,與Si太陽電池相比,其特點為:
(1)轉(zhuǎn)換效率高。
GaAs的禁帶寬度相比于Si要寬,光譜響應特性與太陽光譜的匹配度也比Si要好。所以,GaAs太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率要高于Si太陽能電池。Si電池的理論效率僅為23%,而單節(jié)的GaAs電池理論效率為27%,而多節(jié)GaAs的電池理論效率更是高達50%。
(2)可以制成超薄型電池。
GaAs是直接帶隙半導體,而Si是間接帶隙半導體,在可見光到紅外的光譜內(nèi),GaAs的吸收效率要遠遠高于Si。同樣吸收95%的太陽光,Si需要150μm以上的厚度,但是GaAs只需要5μm~10μm,用GaAs制成的太陽能電池,在質(zhì)量上可以大大減輕。
(3)耐高溫
GaAs的本征載流子濃度低,GaAs太陽電池的最大功率溫度系數(shù)(-2×10-3℃-1)較低比Si(-4.4×10-3℃-1)太陽電池小很多。200℃時,Si太陽電池已不能工作,而GaAs太陽電池的效率仍有約10%。這使得GaAs電池可以在聚光領(lǐng)域有很好的應用。
(4)抗輻射性能好
GaAs少子壽命短,在離結(jié)幾個擴散度外產(chǎn)生的損傷,對光電流和暗電流均無影響。因此,其抗高能粒子輻照的性能優(yōu)于間接禁帶的Si太陽電池。在電子能量為1MeV,通量為1×1015個/cm2輻照條件下,輻照后與輻照前太陽電池輸出功率比,GaAs單結(jié)太陽電池>0.76,GaAs多結(jié)太陽電池>0.81,而BSFSi太陽電池僅為0.70。
(5)可制成效率更高的多結(jié)疊層太陽電池
隨著MOCVD技術(shù)的日益完善,Ⅲ~Ⅴ族三元、四元化合物半導體材料(GaInP、AlGaInP、GaInAs)的生長技術(shù)取得重大突破,為多結(jié)疊層太陽電池研制提供了多種可供選擇的材料。
砷化鎵電池與硅光電池的比較
1、光電轉(zhuǎn)化率:
砷化鎵的禁帶較硅為寬,使得它的光譜響應性和空間太陽光譜匹配能力較硅好。硅電池的理論效率大概為23%,而單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達到27%,而多結(jié)的砷化鎵電池理論效率更超過50%。
2、耐溫性
常規(guī)上,砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池,有實驗數(shù)據(jù)表明,砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作,但是硅光電池在200℃就已經(jīng)無法正常運行。
3、機械強度和比重
砷化鎵較硅質(zhì)在物理性質(zhì)上要更脆,這一點使得其加工時比容易碎裂,所以,常把其制成薄膜,并使用襯底(常為Ge[鍺]),來對抗其在這一方面的不利,但是也增加了技術(shù)的復雜度。
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