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X-NAND技術(shù)有望為QLC閃存帶來SLC級別性能

時間:2021-08-11 11:10:07來源:cnBeta

導語:?導讀:X-NAND的特點,是在單個封裝中結(jié)合SLC NAND的性能優(yōu)勢以及多bit的存儲密度。

  導讀:X-NAND的特點,是在單個封裝中結(jié)合SLC NAND的性能優(yōu)勢以及多bit的存儲密度。

  回顧過去十年的SSD發(fā)展史,可見固態(tài)硬盤的速度和性價比都變得越來越高。大約十年前,32GB/64GB SSD的價格可能高達500/1100美元?,F(xiàn)如今,不到150美元就能買到1TB型號。然而隨著一項被稱作X-NAND的新技術(shù)的問世,這一趨勢還將得到進一步的延續(xù)。

  為了在每個存儲單元塞入更多的數(shù)據(jù)位,閃存已從1-bit的SLC,逐漸發(fā)展到了2、3、4-bit的 MLC/TLC/QLC。

  此外還有5-bit的PLC NAND正在開發(fā)中,只是我們無法早于2025年見到它的身影。

  對于大多數(shù)網(wǎng)友來說,可能都知道SLC NAND閃存的速度和耐用性最佳,但成本也居高不下。

  另一方面,盡管TLC和QLC NAND的速度相對較慢,但在DRAM和SLC緩存策略的加持下,其依然很適合用于制造更具成本效益的大容量SSD。

  有趣的是,由Andy Hsu在2012年成立的閃存設(shè)計與半導體初創(chuàng)企業(yè)Neo Semiconductor,宣稱能夠借助全新的的X-NAND閃存技術(shù)來獲得更高的性能與成本效益。

  早在去年的閃存峰會上,外媒就已經(jīng)報道過X-NAND。不過直到本月,這家公司才被正式授予了兩項關(guān)鍵專利。

  X-NAND的特點,是在單個封裝中結(jié)合SLC NAND的性能優(yōu)勢以及多bit的存儲密度。

  與傳統(tǒng)方案相比,X-NAND可將閃存芯片的緩沖區(qū)大小減少多達94%,使得制造商能夠?qū)⒚總€芯片的平面數(shù)量,從2-4個大幅增加到16-64個。

  基于此,NAND芯片可實現(xiàn)更高的讀取和寫入并行性能,進而甚至可提升SLC NAND的性能。

  理論上,X-NAND可將順序讀取速率提升至QLC的27倍、將順序?qū)懭胨俾侍嵘?5倍、以及將隨機讀寫性能提升3倍。

  同時得益于NAND芯片的更小、更低功耗,其制造成本也可控制到QLC相當。至于耐用性會有多大的改善,說起來就有些復雜了。即便如此,該公司還是聲稱會較傳統(tǒng)TLC/QLC閃存有所改善。

  目前Neo Semiconductor正在尋求與三星、英特爾、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士等 NAND制造商建立合作伙伴關(guān)系。截止發(fā)稿時,該公司已擁有22項相關(guān)專利。


標簽: 芯片

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