由于集成電路產業(yè)鏈極其復雜，因而對半導體產業(yè)鏈有很多認知誤區(qū)，本文集中回答了最常見國產芯片五大誤區(qū)：

　　一、有了光刻機就能造芯片?

　　其實光刻只是半導體前道7大工藝環(huán)節(jié)(光刻、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測)中的一個環(huán)節(jié)，雖然是最重要的環(huán)節(jié)之一，但是離開了其他6個環(huán)節(jié)中的任何一個都不行。

　　集成電路的制造工藝分為“三大”+“四小”工藝：

　　三大(75%)：光刻、刻蝕、沉積;

　　四小(25%)：清洗、氧化、檢測、離子注入。

　　一般情況下光刻占整條產線設備投資的30%，與刻蝕機(25%)、PVD/CVD/ALD(25%)并列成為最重要的三大前道設備之一，所以并不是有了光刻機就能造芯片，光刻只是芯片制造工藝流程的中的一個，還需要其他6大前道工藝設備的支撐，其重要程度與光刻機同等重要。

　　二、中國最緊迫的是造出光刻機?

　　其實目前中國并不缺光刻機，缺的是其他6大類被美國廠商把持的工藝設備(沉積、刻蝕、離子注入、清洗、氧化、檢測)。

　　光刻機大致分為兩類：

　　1、DUV深紫外線光刻機：可以制備0.13um到7nm芯片;

　　2、EUV極紫外線光刻機：適合7nm到3nm以下芯片。

　　目前情況下DUV光刻機并不限制中國，還在正常供應，因為供應商重要來自于歐洲荷蘭的ASML以及日本Nikon、佳能，并不直接受美國禁令，但EUV目前并未買到。

　　在前序報告里提到，我們認為中國半導體未來將從全部外循環(huán)，轉向外循環(huán)+內循環(huán)的雙循環(huán)架構，基于半導體是全球化深度分工的現實，外循環(huán)也就是團結非美系設備商依舊是重點和現實的選擇。目前前道設備格局是：

　　1、光刻機：由歐洲ASML和日本Nikon和Canon壟斷;

　　2、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測設備：由美國和日本壟斷，其中檢測設備由美系的KLA深度壟斷。

　　所以現在中國半導體擴產大背景下的內外雙循環(huán)的當務之急是依靠國產和聯合歐洲、日本去替代美國把持的非光刻設備，所以，與絕大多數人理解的不同，中國半導體制造并不缺光刻機。

　　三、“自研”就能解決芯片缺口?

　　其實目前大多數“自研”不僅不能解決目前的芯片缺口，反倒會加劇芯片短缺。

　　因為所謂的各大互聯網公司/車廠/手機廠商的“自研”芯片，其實只是芯片的設計環(huán)節(jié)，是芯片制造工藝的一個步驟，與我們所缺的芯片成品差了最為關鍵的芯片制造?，F在全球缺芯，缺的不是芯片設計，而是最為核心重要的芯片制造。

　　現在全民自研芯片，會加大晶圓廠的流片訂單，會持續(xù)加大芯片代工產能供需缺口。所以未來解決芯片缺口只能靠Fab制造廠(中芯、華虹)、IDM廠(華潤微、長存、長鑫)，而不是靠“自研”(芯片設計)。

　　相對來說，芯片設計門檻相對較低，啟動快，見效快，商業(yè)模式與軟件開發(fā)類似，中國在諸多芯片設計fabless領域都已經全球領先，以華為海思為例，在被限制芯片代工之前，海思的各類芯片設計實力已經是全球前二。

　　所以現在更需要支持的是芯片制造領域，而不是芯片設計(自研)，如果沒有穩(wěn)固的fab代工廠的支撐，fabless也不過是空中樓閣海市蜃樓。

　　四、目前中國只缺高端芯片?

　　當下其實中國缺的更多的反倒是成熟工藝，8寸比12寸緊缺，12寸的90/55nm比7/5nm緊缺。

　　成熟/先進工藝都很重要，缺一不可，一臺手機里面除了AP和DRAM外，其他絕大多數芯片都是成熟工藝。電車需要的芯片，特別是功率半導體芯片/MCU芯片都是成熟12寸或是8寸。

　　對于中國來說，不僅在先進工藝7/5/3nm與臺積電差距巨大，更大的差距體現在成熟工藝的產能。以等效8英寸產能計算，中芯國際的產能也就只有臺積電的10%～15%，差距依舊巨大，根本無法滿足國內的需求。

　　特別是國內的芯片設計上市公司，絕大多數都在成熟工藝節(jié)點，但是根本沒有本土配套的成熟代工產能與其配套;

　　韋爾股份的CIS/PMIC/Driver、兆易創(chuàng)新的NOR和MCU、匯頂科技的指紋識別、圣邦股份的模擬IC、卓勝微的射頻等芯片都在12寸的成熟工藝(90～45nm)，而不是所謂的14/10/7/5nm先進工藝。更為重要的是，當下需求量最大的電車和光伏逆變器/MCU/功率芯片都是在8寸成熟產能上完成，這也是目前最缺的板塊，稀缺程度超過所謂的“先進”芯片。

　　所以，現在的當務之急反倒不是7/5/3nm，而是先做好成熟工藝。

　　五、中國要獨立建成自己的半導體工業(yè)體系?

　　其實半導體是一個深度全球化的行業(yè)，沒有任何一個國家能夠實現完全“國產化”。

　　目前的半導體全球布局是：

　　半導體設備：美國為主、歐洲日本為輔;

　　半導體材料：日本為主，美國歐洲為輔;

　　芯片代工：中國臺灣省為主，韓國為輔;

　　存儲芯片：韓國為主、美國日本為輔;

　　芯片設計：美國為主，中國大陸為輔;

　　芯片封測：中國臺灣省為主，中國大陸為輔;

　　EDA/IP：美國為主，歐洲為輔。

　　所以，我們可以看到全球沒有哪一個國家能夠覆蓋半導體的全產業(yè)鏈，所以全球化合作依舊是行業(yè)主流。

　　但是，由于中美的科技摩擦，對于中國來說，必須要進行雙循環(huán)。也就是從之前的外循環(huán)為主、內循環(huán)為輔，改變成現在的外循環(huán)為輔、內循環(huán)為主。

　　所以，面對美國對中國的條件約束，當務之急就是針對美國的強勢領域進行替代，并盡最大努力對美國之外的(歐洲、日本等)繼續(xù)進行外循環(huán)。

　　目前美國把持的核心技術集中體現在除光刻機之外的半導體設備(PVD、檢測、CVD、刻蝕機、清洗機、離子注入、氧化、外延、退火)，另外就是EDA開發(fā)軟件。

　　風險提示：中美貿易摩擦加劇、地緣政治加劇的風險;國產替代不及預期的風險;半導體下游需求不及預期的風險。

　　前序報告：《中國半導體走向何方?》《認知華為的三個階段》《國產設備的格局》《分析師眼里的半導體變局》