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ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級高效率與軟開關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”

時間:2018-04-23 18:47:29來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:?全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關(guān)版)”,共21種機(jī)型。

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關(guān)版)”,共21種機(jī)型。這些產(chǎn)品非常適用于UPS(不間斷電源)、焊接機(jī)及功率控制板工業(yè)設(shè)備、空調(diào)、IH(感應(yīng)加熱)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的通用變頻器及轉(zhuǎn)換器的功率轉(zhuǎn)換。

此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品采用薄晶圓技術(shù)及ROHM獨(dú)有結(jié)構(gòu),在具有權(quán)衡關(guān)系的低導(dǎo)通損耗和高速開關(guān)特性方面,獲得了業(yè)界頂級的性能。例如,在交錯式PFC電路中使用時,與以往產(chǎn)品相比,輕負(fù)載時效率提升1.2%,重負(fù)載時效率提升0.3%,有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用的功耗。另外通過元器件內(nèi)部的優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了順暢的軟開關(guān)。與同等效率的普通產(chǎn)品相比,成功減少50%電壓過沖※4,從而減少以往需要用來對策的部件數(shù)量,可顯著減輕設(shè)計負(fù)擔(dān)。

本系列產(chǎn)品已于2017年10月開始出售樣品(樣品價格400日元~/個:不含稅),并于2017年12月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模開始量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎株式會社(日本宮崎縣),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHMIntegratedSystems(Thailand)(泰國)。

<背景>

近年來,隨著IoT進(jìn)程帶來的數(shù)據(jù)量増加,對數(shù)據(jù)中心高性能化的要求越來越高。不僅服務(wù)器本身,包括進(jìn)行主體電源穩(wěn)定供給所不可欠缺的UPS等在內(nèi),系統(tǒng)整體的功耗量顯著增加,進(jìn)一步降低功耗已成為重要課題。

另外,在使用IGBT的大功率應(yīng)用中,為確保設(shè)備的可靠性,必須對可引發(fā)元器件故障或設(shè)備誤動作的開關(guān)時的過沖采取措施,簡化需求日益迫切。

<特點(diǎn)>

1.實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能

在本新系列產(chǎn)品中,利用薄晶圓技術(shù)使晶圓厚度比以往產(chǎn)品再薄15%,另外采用ROHM獨(dú)創(chuàng)的單元微細(xì)化結(jié)構(gòu),成功實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級的低導(dǎo)通損耗(VCE(sat)=1.5V)和高速開關(guān)特性(tf=30~40ns)。

2.實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),減輕設(shè)備的設(shè)計負(fù)擔(dān)

通過元器件內(nèi)部優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了ON/OFF順暢切換的軟開關(guān)。由此,開關(guān)時產(chǎn)生的電壓過沖與普通產(chǎn)品相比減少了50%,可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數(shù)量。使用IGBT時,應(yīng)用端不再需要以往需要的過沖對策,有利于減輕設(shè)計負(fù)擔(dān)。

<產(chǎn)品陣容>

產(chǎn)品陣容又新增了以“短路耐受能力保持2μs”為特點(diǎn)的RGTV系列和以“高速開關(guān)性能”為特點(diǎn)的RGW系列,能夠支持更廣泛的應(yīng)用。

RGTV系列(短路耐受能力保持版)

RGW系列(高速開關(guān)版)

<應(yīng)用>

工業(yè)設(shè)備(UPS(不間斷電源)、焊接機(jī)、功率控制板等)、空調(diào)、IH(感應(yīng)加熱)等

<術(shù)語解說>

※1導(dǎo)通損耗

MOSFET和IGBT等晶體管因元器件結(jié)構(gòu)的緣故,在電流流動時發(fā)生電壓下降。

導(dǎo)通損耗是因這種元器件的電壓下降而產(chǎn)生的損耗。

※2 IGBT:InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極晶體管)

MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性兼?zhèn)涞墓β示w管。

※3短路耐受能力

對引起元器件損壞的短路(電子電路的2點(diǎn)用低阻值的電阻器連接)

的耐受能力。

※4電壓過沖

開關(guān)ON/OFF時產(chǎn)生超出規(guī)定電壓值的電壓。

電壓值因過沖而暫時超出穩(wěn)態(tài)值,之后返回到接近穩(wěn)態(tài)值。

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