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一種數(shù)字型IGBT驅(qū)動(dòng)器

時(shí)間:2016-09-13 11:19:35來源:中國電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng)

導(dǎo)語:?目前工程中使用的大功率IGBT驅(qū)動(dòng)器,多采用單一柵極電阻開關(guān)器件,不能將器件的效率發(fā)揮到最大。針對這些驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品存在的弊端,提出以CPLD為核心控制器,利用數(shù)字技術(shù)提升器件工作時(shí)性能。

摘要:目前工程中使用的大功率IGBT驅(qū)動(dòng)器,多采用單一柵極電阻開關(guān)器件,不能將器件的效率發(fā)揮到最大。針對這些驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品存在的弊端,提出以CPLD為核心控制器,利用數(shù)字技術(shù)提升器件工作時(shí)性能。文中論述了該數(shù)字驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)及各部分的工作原理及作用。該驅(qū)動(dòng)器利用全面地IGBT狀態(tài)檢測電路、多路故障檢測和保護(hù)電路,提高驅(qū)動(dòng)器及整個(gè)系統(tǒng)的安全性和可靠性。最后給出數(shù)字驅(qū)動(dòng)器電源、驅(qū)動(dòng)級運(yùn)行的試驗(yàn)波形,證明了此方案的正確性和可行性。

1、引言

隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展,大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的市場迅猛發(fā)展,其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出,在具體的應(yīng)用工況中,每一個(gè)IGBT模塊都需要一個(gè)專門的驅(qū)動(dòng)器,IGBT驅(qū)動(dòng)器對IGBT的運(yùn)行性能有著重大影響[1-3]。

傳統(tǒng)利用模擬電路實(shí)現(xiàn)的IGBT驅(qū)動(dòng)器技術(shù)較成熟,運(yùn)行穩(wěn)定,但是由于其驅(qū)動(dòng)器各參數(shù)設(shè)置大都采用硬件實(shí)現(xiàn),參數(shù)調(diào)整比較復(fù)雜,不同型號的IGBT必須設(shè)計(jì)不同的驅(qū)動(dòng)器,本文利用數(shù)字控制器對柵極控制,可以靈活的修改驅(qū)動(dòng)器的軟件參數(shù)設(shè)置,來調(diào)整IGBT工作的性能,對于不同的IGBT型號,只需要加載不同的驅(qū)動(dòng)程序,即可以解決傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品的型號匹配問題。

2、驅(qū)動(dòng)器整體方案

如圖1示,驅(qū)動(dòng)器主要包括:高等級隔離電源、光纖通信接口、功率放大電路、檢測保護(hù)電路、數(shù)字控制器等五部分。

2.1高等級隔離電源

高壓IGBT驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中,電源設(shè)計(jì)是關(guān)鍵部分之一,電源的輸出功率決定了IGBT在實(shí)際工作中能夠使用的工作頻率,如果電源輸出功率不足,可能會在IGBT器件高頻工作時(shí),出現(xiàn)欠壓現(xiàn)象,導(dǎo)致IGBT損耗增加,甚至造成IGBT損壞。

本設(shè)計(jì)中采用Ti公司的LM5025芯片設(shè)計(jì)反激式DC-DC電路(電路圖見圖2),電路中的初級具有電流檢測軟起動(dòng)功能,當(dāng)電流檢測電阻上的壓降達(dá)到0.25V時(shí),對電源起到很好的過流保護(hù)作用。

2.2光纖通信接口

在用戶主控系統(tǒng)通信的接口設(shè)計(jì)上,選擇抗干擾能力強(qiáng)的光纖通信,防止控制信號被干擾出現(xiàn)誤觸發(fā)。光纖選用HFBR-1522、HFBR-2522,光纖電路如圖3。

2.3功率放大電路

選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開關(guān)器件,構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路,如圖4,同時(shí),采用多個(gè)柵極電阻切換的方式,實(shí)現(xiàn)不同條件下對IGBT性能的調(diào)整。在IGBT正常開關(guān)時(shí),可以通過調(diào)整柵極電阻來控制器件的開關(guān)速度,達(dá)到優(yōu)化器件效率的目的。在IGBT出現(xiàn)工作異常時(shí)(例如短路),可以通過調(diào)整柵極電阻來控制器件的工作狀態(tài),防止器件損壞達(dá)到保護(hù)器件的目的。

2.4檢測保護(hù)電路

為防止IGBT器件工作中出現(xiàn)任何異常故障,驅(qū)動(dòng)器需要對IGBT的狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行檢測,如果發(fā)現(xiàn)異常,驅(qū)動(dòng)器自動(dòng)采取保護(hù)動(dòng)作,并通知主控器。

欠壓檢測:目前各個(gè)IGBT廠商推薦IGBT器件工作時(shí)的柵極電壓為±15V(柵極最大承受電壓為±20V),如果IGBT器件在工作中出現(xiàn)低于15V的情況,根據(jù)IGBT器件飽和壓降VCE與柵極電壓的關(guān)系(如圖5示),隨著柵極電壓的下降,IGBT飽和壓降會增加,造成IGBT器件損耗增加,有可能會損壞器件,所以,必須對驅(qū)動(dòng)器輸出柵極的電壓進(jìn)行檢測,如果出現(xiàn)欠壓開通情況,驅(qū)動(dòng)器要立即進(jìn)行保護(hù)。同時(shí)需要注意,IGBT的短路電流與柵極電壓成正比,所以當(dāng)器件開通時(shí)柵極出現(xiàn)高于+15V電壓,器件如果出現(xiàn)故障會出現(xiàn)比正常工況更大的短路電流,所以驅(qū)動(dòng)器必須確保柵極開通電壓處于合理的范圍內(nèi)。

Vce電壓檢測:Vce電壓檢測可以為數(shù)字控制器提供IGBT器件參數(shù),控制器通過Vce電壓可以判斷IGBT的工作狀態(tài),從而采取對應(yīng)的策略對IGBT進(jìn)行不同的控制方式。

過壓保護(hù):在IGBT器件關(guān)斷過程中,由于母線回路寄生電感的存在,關(guān)斷電壓會產(chǎn)生一個(gè)電壓過沖尖峰,過沖幅值為△V=Ls*di/dt,如果尖峰電壓超過IGBT器件的額定電壓,IGBT器件會被擊穿,造成器件損壞。

過壓保護(hù)電路采用的是TVS管與限流電阻串聯(lián)的方式,由集電極接入柵極(如圖6示),當(dāng)關(guān)斷過程中集電極出現(xiàn)超過設(shè)定值(設(shè)定值小于IGBT額定值)的電壓尖峰時(shí),TVS管反向?qū)?,通過限流電阻向柵極注入電流,減慢IGBT關(guān)斷速度(減小di/dt),從而達(dá)到限制電壓尖峰的目的。用戶根據(jù)具體的應(yīng)用工況,選擇適合的TVS管的數(shù)量和單個(gè)TVS擊穿電壓參數(shù)。

di/dt檢測:(如圖示7),IGBT模塊內(nèi)部等效圖可以看到,由于IGBT模塊內(nèi)部鏈接的主電極回路與輔助電極回路之間存在寄生電感,在IGBT模塊工作時(shí),主電流IC從主電極流入,經(jīng)過寄生電感L流出,依據(jù)電感感生電壓V=-L*di/dt,從公式可以看出,感生電壓V值與di/dt值成正比關(guān)系,通過檢測L上產(chǎn)生的感生電壓可以獲得主電流Ic的di/dt值。在IGBT模塊工作的過程中,如果感生電壓高于或低于設(shè)定值都認(rèn)為器件di/dt出現(xiàn)異常狀態(tài),需要進(jìn)行保護(hù),并向主控系統(tǒng)報(bào)告出現(xiàn)di/dt故障。

數(shù)字控制器功能

數(shù)字控制器主要完成根據(jù)輸入信號控制功率放大電路,驅(qū)動(dòng)IGBT器件。同時(shí),根據(jù)檢測電路的反饋信號判定IGBT器件的工作狀態(tài),如果出現(xiàn)異常狀況,立即按照設(shè)定策略對IGBT器件進(jìn)行保護(hù)。

3、驅(qū)動(dòng)級測試

為初步確定驅(qū)動(dòng)級基本功能的正確性和可行性,利用圖8樣品板進(jìn)行測試,測試樣品為3300V-1500AIGBT模塊,采用通用型雙脈沖測試方法,測試波形如圖9。

從上圖測試結(jié)果可以看出,驅(qū)動(dòng)板可以在測試條件下安全的開通和關(guān)斷IGBT模塊。

4、改進(jìn)方向

本論文提出的數(shù)字型IGBT驅(qū)動(dòng)器在過壓保護(hù)檢測上采用的TVS管串聯(lián)的方式,只可以對IGBT器件關(guān)斷中di/dt產(chǎn)生的寄生過壓有較好的效果,但是這種方法也存在弊端,如果用戶對于過壓保護(hù)的閾值設(shè)定不合理,及系統(tǒng)在運(yùn)行中會出現(xiàn)較多的過壓,或較長時(shí)間過壓,此時(shí)IGBT器件會出現(xiàn)柵極被高壓損壞,或本應(yīng)關(guān)斷的IGBT被動(dòng)強(qiáng)行開通,出現(xiàn)上下管短路的狀態(tài),損壞上下管IGBT。所以可以加入Vce檢測電路,實(shí)時(shí)檢測集電極電壓,制定保護(hù)策略。

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