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MEMS硅膜電容式氣象壓力傳感器的研制

時(shí)間:2008-05-08 10:51:00來(lái)源:ronggang

導(dǎo)語(yǔ):?利用硅膜的良好機(jī)械特性,采用接觸式的結(jié)構(gòu),通過(guò)簡(jiǎn)單標(biāo)準(zhǔn)的工藝制造出了電容式壓力傳感器樣片。經(jīng)過(guò)對(duì)傳感器的測(cè)試和分析,證明這種傳感器可應(yīng)用于氣象壓力的測(cè)量
1 引言   大氣壓力傳感器在工業(yè)生產(chǎn)、氣象預(yù)報(bào)、氣候分析、環(huán)境監(jiān)測(cè)、航空航天等方面發(fā)揮著不可替代的作用。傳統(tǒng)的壓力傳感器一般為機(jī)械式,體積比較大,不利于微型化和集成化。利用MEMS技術(shù)不僅可以解決上述缺點(diǎn),還能極大地降低成本,而性能更為優(yōu)異。如今基于MEMS技術(shù)得到廣泛應(yīng)用的壓力傳感器主要有壓阻式和電容式兩大類,壓阻式壓力傳感器的線性度很好,但精度一般,溫漂大,一致性差;電容式壓力傳感器與之相比,精度更高,溫漂小,芯片結(jié)構(gòu)更具魯棒性,但線性度差且易受寄生電容的影響。目前MEMS電容式壓力傳感器多用于過(guò)壓測(cè)量,用于氣象壓力測(cè)量的較少且價(jià)格昂貴。為此,本文研制了一種高性能、低成本的微型電容氣象壓力傳感器,整個(gè)流程工藝簡(jiǎn)單標(biāo)準(zhǔn),薄膜材料選擇單晶硅,采用接觸式結(jié)構(gòu),利用陽(yáng)極鍵合形成真空腔,最后由KOH各向異性腐蝕和深刻蝕形成硅薄膜。試驗(yàn)結(jié)果表明,該傳感器適用于氣象壓力測(cè)量。 2 基本原理和結(jié)構(gòu)   電容式壓力傳感器的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。式中:ε0為真空中的介電常數(shù);t為絕緣層的厚度;εr為絕緣層的相對(duì)介電常數(shù);g為零載荷時(shí)電容器兩極板之間的初始距離;ω(x,y)為極板膜的中平面的垂向位移。
  由公式可知,外界壓力通過(guò)改變電容的極板面積和間距來(lái)改變電容。隨著壓力慢慢增大,電容因極板間距減小而增大,此時(shí)電容值由非接觸電容來(lái)決定;當(dāng)兩極板接觸時(shí),電容的大小則主要由接觸電容來(lái)決定。 3 傳感器的設(shè)計(jì)與制造   敏感薄膜是傳感器最核心的部件,其材料、尺寸和厚度決定著傳感器的性能。   目前敏感薄膜的材料多采用重?fù)诫sp型硅、Si3N4、單晶硅等。這幾種材料都各有優(yōu)缺點(diǎn),其選擇與目標(biāo)要求和具體工藝相關(guān)。硅膜不破壞晶格,機(jī)械性能優(yōu)異,適于陽(yáng)極鍵合形成空腔,從簡(jiǎn)化工藝的目的出發(fā),本方案選擇硅膜。   利用有限元分析軟件ANSYS對(duì)接觸式結(jié)構(gòu)的薄膜工作狀態(tài)進(jìn)行了模擬。材料為Si,膜的形狀為正方形,邊長(zhǎng)1000 μm,膜厚5 μm,極板間距10 μm。在1.01×105Pa的大氣壓力下,薄膜中央接觸部分及四個(gè)邊角基本不受應(yīng)力,四邊中央應(yīng)力最大為1.07 MPa,小于硅的屈服應(yīng)力7 MPa,其應(yīng)力分布如圖2所示。
  整個(gè)制造流程都采用標(biāo)準(zhǔn)工藝,如圖3所示。先熱氧化100 nm的SiO2,既作為腐蝕Si的掩膜,又作為電容兩電極的絕緣層。利用各向異性腐蝕形成電容空腔和將來(lái)露電極的??滩?,如果硅片厚度一致且KOH腐蝕速率均勻,此法可以在相當(dāng)程度上等效于自停止腐蝕。從玻璃上引出電容兩電極,然后和硅片進(jìn)行陽(yáng)極鍵合。鍵合片利用KOH腐蝕減薄后反應(yīng)離子深刻蝕露出測(cè)量電極。
4 關(guān)鍵工藝   4.1 KOH各向異性腐蝕   在各種各向異性腐蝕方法里面,KOH腐蝕簡(jiǎn)單實(shí)用,成本低廉。在硅片大面積、大深度腐蝕的情況下,KOH腐蝕容易影響硅片表面的形狀和光潔度,如何選擇合適的溶液配比起著重要的作用。在KOH質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%~40%,硅片電阻率為0.05 Ω?cm,80℃水浴恒溫的條件下,隨著KOH濃度的提高,腐蝕表面有著很明顯的變化:凸起的小丘逐漸由圓錐變成八棱錐進(jìn)而變成四棱錐,如圖4(a)所示,棱錐高度多為幾十微米,底邊長(zhǎng)一兩百微米;提高KOH濃度,小丘消失,出現(xiàn)四棱臺(tái),如圖4(b)所示,棱臺(tái)深度多為幾個(gè)微米,底邊長(zhǎng)一兩百微米;再加大KOH濃度,小坑形狀發(fā)生變化,完整的四棱臺(tái)坑幾乎消失,多為斜坡狀的半四棱臺(tái)小坑,如圖4(c)所示,坡高1~2μm,邊長(zhǎng)10μm以內(nèi)。   四棱錐和四棱臺(tái)的四個(gè)斜面對(duì)應(yīng)于腐蝕速率最低的(111)系列晶面。當(dāng)濃度較低時(shí),(100)和(111)晶面的腐蝕速率比小,所以出現(xiàn)小丘;當(dāng)濃度增大時(shí),(100)和(111)晶面的腐蝕速率比增大,所以出現(xiàn)小坑;濃度達(dá)到一定程度后,(100)和(111)晶面的腐蝕速率比趨于穩(wěn)定,依然出坑,而(110)和(111)晶面的腐蝕速率比增大,從而產(chǎn)生斜坡。只有調(diào)整KOH的濃度,得到匹配的(100)、(110)、(111)晶面的腐蝕速率,才能獲得較好的腐蝕表面。試驗(yàn)還表明,溫度主要影響腐蝕速率,對(duì)硅片腐蝕形貌影響不大。
  4.2 陽(yáng)極鍵合   目前真空腔的形成多采用Si—Si鍵合或者陽(yáng)極鍵合。本方案采用陽(yáng)極鍵合,是因?yàn)殛?yáng)極鍵合比Si—Si鍵合的要求低。首先溫度只需要400~500℃,其次表面光潔度要求也相對(duì)較低。本工藝過(guò)程中存在金屬電極,不適于用高溫;鍵合面存在高約1400 nm,寬為20μm的電極引線,鍵合面的SiO2經(jīng)過(guò)一定程度的KOH各向異性腐蝕后粗糙度為100nm左右,經(jīng)過(guò)試驗(yàn)證明,鍵合情況良好(圖5),并具有良好的密封效果。
  4.3 反應(yīng)離子深刻蝕   反應(yīng)離子深刻蝕(DRIE)能刻出非常深的垂直結(jié)構(gòu),本試驗(yàn)用于最后硅薄膜的形成。DRIE的刻蝕效果(刻深為250 μm)沒(méi)有KOH腐蝕的平坦,刻蝕表面比較粗糙,表面顆粒起伏為幾個(gè)微米,如圖6。此外刻蝕存在不均勻性,75 mm硅片四周已經(jīng)刻到電極露出,而硅片中央的電極還沒(méi)有露出。深刻蝕的不均勻性與刻蝕表面的圖形有著密切的聯(lián)系,但其中的成因和機(jī)理目前還沒(méi)有具體合理的理論和解釋說(shuō)明。因而無(wú)法從理論上指導(dǎo)規(guī)劃刻蝕表面的形狀設(shè)計(jì),更多的是依靠經(jīng)驗(yàn)手動(dòng)凋整。
5 試驗(yàn)結(jié)果與分析   制成的傳感器樣片。薄膜尺寸為2 mm×2 mm,膜厚理淪設(shè)計(jì)為10 μm,但由于硅片本身厚度存在±20 μm的起伏誤差,且經(jīng)過(guò)KOH各向異性腐蝕以及反應(yīng)離子深刻蝕之后已經(jīng)難以保證設(shè)計(jì)要求,實(shí)際膜厚10~30μm不等。   在室溫19.34℃的條件下,對(duì)壓力傳感器進(jìn)行測(cè)量。測(cè)量設(shè)備為Druck的DPI610IS,測(cè)量電路采用了AD公司的AD7745電容測(cè)量芯片,精度能達(dá)到4 fF。測(cè)量曲線如圖7所示,測(cè)試精度為8.1‰。由于硅薄膜較厚,測(cè)量范圍內(nèi)的線性部分不多,此外電容電極的面積利用率不高使得電容的變化量也小,這些都是造成性能不高的主要原因,但由圖可以看出測(cè)量曲線存在很好的一致性和重復(fù)性。
6 結(jié)論   利用硅膜的良好機(jī)械特性,采用接觸式的結(jié)構(gòu),通過(guò)簡(jiǎn)單標(biāo)準(zhǔn)的工藝制造出了電容式壓力傳感器樣片。經(jīng)過(guò)對(duì)傳感器的測(cè)試和分析,證明這種傳感器可應(yīng)用于氣象壓力的測(cè)量。如何改進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝制造,提高傳感器的測(cè)量精度是下一步研究工作的重點(diǎn)。

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