SEMiX功率模塊是為溝槽式IGBT開發(fā)的，該產(chǎn)品系列的設(shè)計(jì)最大限度地發(fā)揮了芯片的性能。因此，溝槽式IGBT和賽米控相應(yīng)的CAL反向二極管的優(yōu)點(diǎn)可以在變頻器內(nèi)得到充分的發(fā)揮。通過(guò)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改進(jìn)，溝槽式IGBT的低飽和壓降特性可以被充分地利用。故而，SEMiXTM半橋模塊的導(dǎo)通損耗要比同類產(chǎn)品低40%。

SEMiX產(chǎn)品系列有四種不同的外殼尺寸：SEMiX1、SEMiX 2、SEMiX 3、SEMiX 4；在半橋和制動(dòng)斬波器布局中；SEMiX 33 為6單元模塊。SEMiX模塊的電壓等級(jí)為600伏、1200伏和1700伏；其相應(yīng)的電流范圍為190安至1000安。功率大于200千瓦的變頻器可采用并聯(lián)半橋的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。

    客戶有三種接口形式可選：第一種是帶驅(qū)動(dòng)的IPM、第二種是帶輔助接觸端子的模塊、第三種模塊內(nèi)部的每個(gè)IGBT芯片都可以就驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能被分別優(yōu)化?；趯拸V的功率范圍和各種不同的功能，這個(gè)產(chǎn)品系列組成了一個(gè)單一的技術(shù)平臺(tái)，同時(shí)滿足了變頻器市場(chǎng)的所有要求。

在新的設(shè)計(jì)理念和生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上，不同接口的模塊只是在生產(chǎn)鏈的最終階段才分化開來(lái)。除了幾種電路和尺寸的變化之外，其基本構(gòu)造是完全相同的。因而，即使是為客戶定制的模塊，交貨時(shí)間也可以很短。

在此創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，一個(gè)變頻器可以配置一個(gè)6單元模塊或者三個(gè)相同、獨(dú)立的半橋。而且，半橋型配置可以使熱阻大約降低20%，如溫度不變，變頻器的輸出電流可增加15%，或芯片溫度可降低10-15°C，從而顯著地延長(zhǎng)了壽命。