驅(qū)動電路的性能很大程度上影響整個系統(tǒng)的工作性能。有許多問題需要慎重設計，例如，導通延時、泵升保護、過壓過流保護、開關(guān)頻率、附加電感的選擇等。 1.開關(guān)頻率和主回路附加電感的選擇 力矩波動也即電流波動，由系統(tǒng)設計給定的力矩波動指標為ΔI/IN，對有刷直流電動機而言，通常在（5～10）%左右。為了便于分析可認為 ΔI/IN=ΔI/（Us/Rd） （1） 式中Rd為電樞回路總電阻。代入前面各種驅(qū)動控制方式的ΔI表達式中，消去Us，可求出： 對于單極性控制 Ld/Rd≥5T～2.5T（可逆或不可逆） （2） 對于雙極性控制 Ld/Rd≥10T～5T （3） 式中T為功率開關(guān)的開關(guān)周期。 對于有刷直流電動機，電磁時間常數(shù)Ld/Rd一般在10ms至幾十毫秒。若采用GTR，開關(guān)頻率可取2KHz左右，T=0.5ms。若采用IGBT，開關(guān)頻率可取18KHz以上，所以上式均能滿足。若采用GTO或可控硅功率器件，由于工作頻率只有100Hz左右，此時應考慮在主回路附加電抗器，且 Ld="Lf"+La （4） 　　對不可逆系統(tǒng)還應進一步檢查臨界電流，IaL=UsT/8Ld≤Ia0應小于電機空載電流，防止空載失控。 　　對于低慣量電機、力矩電動機，由于電磁時間常數(shù)很?。◣讉€毫秒或更?。?，此時應考慮采用開關(guān)頻率高的IGBT功率開關(guān)器件。 2. 功率驅(qū)動電路的選擇 [align=center] 圖1 H橋開關(guān)電路（Ⅰ） 圖2 H橋開關(guān)電路（Ⅱ）[/align] 小功率驅(qū)動電路可以采用如圖1所示的H橋開關(guān)電路。UA和UB是互補的雙極性或單極性驅(qū)動信號，TTL電平。開關(guān)晶體管的耐壓應大于1.5倍Us以上。由于大功率PNP晶體管價格高，難實現(xiàn)，所以這個電路只在小功率電機驅(qū)動中使用。當四個功率開關(guān)全用NPN晶體管時，需要解決兩個上橋臂晶體管（BG1和BG3）的基極電平偏移問題。圖2中H橋開關(guān)電路利用兩個晶體管實現(xiàn)了上橋臂晶體管的電平偏移。但電阻R上的損耗較大，所以也只能在小功率電機驅(qū)動中使用。 　　當驅(qū)動功率比較大時，一般橋臂電壓也比較高，例如直接取工頻電壓，單相220V，或三相380V。為了安全和可靠，希望驅(qū)動回路（主回路）與控制回路絕緣。此時，主回路必須采用浮地前置驅(qū)動。圖3所示的浮地前置驅(qū)動電路都是互相獨立的，并由獨立的電源供電。由于前置驅(qū)動電路中采用了光電耦合，使控制信號分別與各自的前置驅(qū)動電路電氣絕緣，于是使控制信號對主回路浮地（或不共地）。 [align=center] 圖3 大功率驅(qū)動電路[/align] 3. 具有光電耦合絕緣的前置驅(qū)動電路 對于大功率驅(qū)動系統(tǒng)，希望將主回路與控制回路之間實行電氣隔離，此時常采用光電耦合電路來實現(xiàn)。有三種常用的光電耦合電路如圖4所示，其中普通型的典型型號是4N25、117等，高速型的典型型號有985C，高電流傳輸比型也稱達林頓型，典型型號有113等。 [align=center] 圖4 典型光電耦合器電路[/align] 　　圖中，普通型光耦的Ic/Id=0.1～0.3；高速型光耦采用光敏二極管；高電流傳輸比型光耦的Ic/Id=0.5；它們的上升延時時間和關(guān)斷延時時間分別為tr，ts>4～5μs；tr，ts<1.5μs；tr，ts為10μs左右。 　　光電耦合器與后續(xù)電路結(jié)合就能構(gòu)成前置驅(qū)動電路，如圖5所示。這個前置驅(qū)動電路的上升延時tr——3.9μs，關(guān)斷延時ts——1.6μs，可以在中等功率系統(tǒng)中使用。 [align=center] 圖5 前置驅(qū)動電路[/align] 　　為了對功率開關(guān)提供最佳前置驅(qū)動，現(xiàn)在已有很多專用的前置驅(qū)動模塊。這種驅(qū)動模塊對功率開關(guān)提供理想前置驅(qū)動信號，保證功率開關(guān)迅速導通，迅速關(guān)斷，對功率開關(guān)的飽和深度進行最佳控制，對功率開關(guān)的過電流、過熱進行檢測和保護。例如，EX356、EX840等等。 4. 防直通導通延時電路 　　對H橋驅(qū)動電路上下橋臂功率晶體管加互補信號，由于帶載情況下，晶體管的關(guān)斷時間通常比開通時間長，這樣，例如當下橋臂晶體管未及時關(guān)斷，而上橋臂搶先開通時就出現(xiàn)所謂“橋臂直通”故障。橋臂直通時電流迅速變大，造成功率開關(guān)損壞。所以設置導通延時，是必不可少的。圖6是導通延時電路及其波形。 [align=center] 圖6 導通延時電路及波形[/align] 　　導通延時，有時也稱死區(qū)時間，可通過RC時間常數(shù)來設置；對GTR可按0.2μs/A來設置；對MOSFET可按0.1～0.2μs設計，且與電流無關(guān)，IGBT可按2～5μs設計。舉例說明，若為GTR，f=5kHz，雙極性工作，調(diào)寬區(qū)域為T/2=1/10=0.1ms。若I=100A，則Δt=0.2X100=20μs，則PWM調(diào)制分辨率最大可能性為 （T/2）Δt=0.1/0.02=5 （5） 　　這說明死區(qū)時間占據(jù)了調(diào)制周期的1/5，顯然是不可行的。所以對于100A的電機系統(tǒng)，GTR的開關(guān)頻率必須低于5kHz。例如，2kHz以下，此時分辨率達12.5左右。 驅(qū)動電路的設計還有很多問題，例如過壓、過流、過熱、泵升保護等等。