羅姆半導(dǎo)體首次亮相PCIM-ASIA 2012電力電子展

時(shí)間:2012-05-21

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語(yǔ):日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)將參加2012年6月19-21日在上海世博展覽館舉辦的“PCIM-ASIA 2012電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源管理國(guó)際展覽會(huì)暨研討會(huì)”。

  日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)將參加2012年6月19-21日在上海世博展覽館舉辦的“PCIM-ASIA2012電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源管理國(guó)際展覽會(huì)暨研討會(huì)”。

圖一:羅姆“全SiC”功率模塊

圖一:羅姆“全SiC”功率模塊

  首次亮相PCIM-ASIA展覽會(huì)的羅姆半導(dǎo)體將為觀眾及采購(gòu)商帶來(lái)全新的產(chǎn)品羅姆“全SiC”功率模塊。該模塊內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(SiliconCarbide:碳化硅)構(gòu)成,應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能電池、電動(dòng)汽車、鐵路等中負(fù)責(zé)電力轉(zhuǎn)換的變頻器、轉(zhuǎn)換器。

  特點(diǎn):

 ?、匍_(kāi)關(guān)損耗降低85%。內(nèi)置最先進(jìn)的SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”模塊,

  與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比,開(kāi)關(guān)損耗可降低85%

 ?、谂c傳統(tǒng)的400A級(jí)別的Si-IGBT模塊相替換時(shí),體積減小約50%

 ?、蹞p耗低,因此發(fā)熱少,可減小冷卻裝置體積,實(shí)現(xiàn)設(shè)備整體的小型化

  據(jù)悉,通過(guò)羅姆開(kāi)發(fā)出的獨(dú)創(chuàng)的缺陷控制技術(shù)和篩選法,使可靠性得以確保。另外,針對(duì)SiC制備過(guò)程中特有的1700℃高溫工序,為了防止其發(fā)生特性劣化,羅姆開(kāi)發(fā)了控制技術(shù),于世界首家確立了"全SiC"功率模塊的量產(chǎn)體制。羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰(zhàn)略之一定位,今后,加強(qiáng)實(shí)現(xiàn)更高耐壓、更大電流的SiC元件/模塊的產(chǎn)品陣容的同時(shí),不斷推進(jìn)完善SiC溝槽式MOSFET和SiC-IPM(智能電源模塊)等SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容與量產(chǎn)化。

圖二:羅姆面向車載“內(nèi)置絕緣元件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)”

圖二:羅姆面向車載“內(nèi)置絕緣元件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)”

  同時(shí),羅姆半導(dǎo)體帶來(lái)了面向車載“內(nèi)置絕緣元件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)”,此款驅(qū)動(dòng)行業(yè)唯一對(duì)應(yīng)SiC的內(nèi)置絕緣元件門(mén)極驅(qū)動(dòng),有效促進(jìn)EV、HEV變頻器電路的小型化和低電力消耗。主要應(yīng)用于:EV/HEV/PHEV用變頻器、EV/HEV/PHEV用DC/DC轉(zhuǎn)換器、EV/PHEV用車載充電器。

  特點(diǎn)

     ①采用羅姆自主研發(fā)的無(wú)鐵芯變壓器技術(shù),內(nèi)置2,500Vrms絕緣元件

 ?、谛⌒头庋b:與以往產(chǎn)品相比,封裝面積降低50%以上SSOP-B20W(6.5mm×8.1mmH=Max2.01mm)

 ?、鄞钶d所有車載變頻器電路的保護(hù)功能,實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì):米勒鉗位功能、故障輸出功能、

  低電壓時(shí)防止誤操作功能、熱保護(hù)功能、短路保護(hù)功能、短路保護(hù)時(shí)軟關(guān)斷功能

  電力電子元件方面,羅姆半導(dǎo)體將展出應(yīng)用于電流線路變更時(shí)的循環(huán)、電源線路的切換、電路設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)易化的“適用大電流的“超低阻值跳線電阻-金屬板型”(圖三),它具有:降低大電流電源電路的電壓漏失;導(dǎo)通阻值0.5mΩMax.(厚膜跳線電阻的1/100);適用大電流(15.8A~63.2A);適用于從便攜設(shè)備到車載設(shè)備的大范圍需求;實(shí)現(xiàn)完全無(wú)鉛化以及額定電流與以往產(chǎn)品相比為20倍以上等特點(diǎn)。

圖三:羅姆適用大電流的“超低阻值跳線電阻 -金屬板型-

圖三:羅姆適用大電流的“超低阻值跳線電阻 -金屬板型-

圖四:羅姆適用于面向太陽(yáng)能電池組件的“低VF、高可靠性肖特基勢(shì)壘二極管

圖四:羅姆適用于面向太陽(yáng)能電池組件的“低VF、高可靠性肖特基勢(shì)壘二極管

圖五:羅姆面向高效率電源回路的“高耐壓超級(jí)接點(diǎn)MOSFET

圖五:羅姆面向高效率電源回路的“高耐壓超級(jí)接點(diǎn)MOSFET

  另一款是“適用于面向太陽(yáng)能電池組件的低VF、高可靠性肖特基勢(shì)壘二極管”(圖四),應(yīng)用于電源(二次整流電路)、太陽(yáng)能電池板用分線盒等,具有提高電流效率,實(shí)現(xiàn)低VF化和滿足Tj=175℃的特點(diǎn)。圖五是羅姆面向高效率電源回路的“高耐壓超級(jí)接點(diǎn)MOSFET”應(yīng)用于高效率電源回路,具有低導(dǎo)通電阻、低噪音和可進(jìn)行小型封裝的良好特點(diǎn)。

  PCIM是電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)的英文縮寫(xiě),為來(lái)自電力電子產(chǎn)品及其驅(qū)動(dòng)技術(shù)和變電質(zhì)量應(yīng)用界的廣大專業(yè)人士提供了一個(gè)良好的交流平臺(tái),使他們有機(jī)會(huì)領(lǐng)略電力電子產(chǎn)品和系統(tǒng)領(lǐng)域的最新研發(fā)成果。其展覽會(huì)與研討會(huì)內(nèi)容涵蓋分立器件、無(wú)源器件、電源管理與IC、散熱管理以及測(cè)試測(cè)量、伺服技術(shù)和測(cè)試設(shè)備等。更多信息盡在www.pcim-asia.com

  想要了解更多產(chǎn)品?歡迎光臨我們的展臺(tái)!

  羅姆半導(dǎo)體誠(chéng)邀您的光臨!

  時(shí)間:2012/6/19-6/21

  地點(diǎn):上海世博展覽館4號(hào)館國(guó)展路1099號(hào)

  展位:507

 

  關(guān)于羅姆

  羅姆(ROHM)是全球著名半導(dǎo)體廠商之一,創(chuàng)立于1958年,是總部位于日本京都市的跨國(guó)集團(tuán)公司。"品質(zhì)第一"是羅姆的一貫方針。我們始終將產(chǎn)品質(zhì)量放在第一位。無(wú)論遇到多大的困難,都將為國(guó)內(nèi)外用戶源源不斷地提供大量?jī)?yōu)質(zhì)產(chǎn)品,并為文化的進(jìn)步與提高作出貢獻(xiàn)。

  歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,羅姆的生產(chǎn)、銷售、研發(fā)網(wǎng)絡(luò)遍及世界各地。產(chǎn)品涉及多個(gè)領(lǐng)域,其中包括IC、分立半導(dǎo)體、光學(xué)半導(dǎo)體、被動(dòng)元件以及模塊產(chǎn)品。在世界電子行業(yè)中,羅姆的眾多高品質(zhì)產(chǎn)品得到了市場(chǎng)的許可和贊許,成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。

  羅姆十分重視中國(guó)市場(chǎng),已陸續(xù)在全國(guó)設(shè)立多家代表機(jī)構(gòu),在大連和天津先后開(kāi)設(shè)工廠,并在上海和深圳設(shè)立技術(shù)中心和品質(zhì)保證中心提供技術(shù)和品質(zhì)支持。

  了解更多,歡迎點(diǎn)擊:http://www.rohm.com.cn

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