安森美半導體推出低靜態(tài)電流4通道及6通道開關,支持下一代高速接口

時間:2012-04-05

來源:安森美電子有限公司

導語:推出的產品符合筆記本、臺式機、服務器及網絡存儲設備應用中PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2接口規(guī)定的信號完整性要求

新推出的產品符合筆記本、臺式機、服務器及網絡存儲設備應用中PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2接口規(guī)定的信號完整性要求

Low Quiescent Current Switches for High-Speed Interfaces

      2012年3月28日 – 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出兩款采用單刀雙擲(SPDT)開關配置的新多通道差分開關集成電路(IC),應用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2輸入/輸出(I/O)信號等高頻信號,目標應用包括筆記本、臺式計算機、服務器及網絡存儲設備。

      6通道差分SPDT開關NCN3612B由于它的高帶寬,支持8 Gbps的數據傳輸速率。它的導通電容(CON)為2.1 pF(典型值),導通電阻(RDSON)為8 Ω(典型值)。與這器件相輔相成的是同樣能支持8 Gbps工作的4通道差分開關NCN3411。NCN3411的導通電容為2 pF(典型值),導通電阻(RDSON)為7.5 Ω(典型值)。這些特性使這兩款新器件非常適合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信號路由。

      安森美半導體接口及電源產品總監(jiān)高天寶(Thibault Kassir)說:“NCN3612B和NCN3411固有低導通電容及低導通電阻,令其能提供更低的數據邊緣速率及更低的插入損耗。因此,這些器件能配合當今系統(tǒng)設計指定的最新高速接口標準提供所需的信號完整性水平。”

      NCN3612B的電源電壓范圍為3伏(V)至3.6 V,消耗的供電電流僅為250微安(µA)(典型值);而NCN3411的電源電壓范圍為1.5 V至2.0 V,消耗的供電電流為200 µA。這些新器件的環(huán)境工作溫度范圍為−40 °C至+85 °C

      封裝及價格

      NCN3612B采用無鉛56引腳WQFN (5 mm x 11 mm x 0.75 mm)封裝,每2,000片批量的單價為1.30美元。NC3411采用無鉛42引腳WQFN (3.5 mm x 9 mm x 0.75 mm)封裝,每2,000片批量的單價為1.15美元。  

      關于安森美半導體
      安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰(zhàn),既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。

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