三星在美國大批量生產(chǎn)50納米NAND閃存芯片

時間:2007-11-26

來源:中國傳動網(wǎng)

導(dǎo)語:11月25日消息,三星電子宣布在美國得克薩斯州的生產(chǎn)設(shè)施已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)50納米NAND閃存芯片。

11月25日消息,三星電子宣布在美國得克薩斯州的生產(chǎn)設(shè)施已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)50納米NAND閃存芯片。這個生產(chǎn)設(shè)施是在2007年6月開始投產(chǎn)的。三星電子在2007年至2008年將向這個生產(chǎn)廠投資35億美元。 NAND閃存是目前兩種閃存芯片之一,用于在優(yōu)盤、存儲卡和MP3播放機(jī)中提供更大的容量和更快的速度。 這家公司的一位發(fā)言人James Chung稱,三星將在位于得克薩斯州奧斯汀的工廠使用先進(jìn)的50納米技術(shù)用300毫米晶圓制造芯片。 這條心的生產(chǎn)線最初的產(chǎn)量為每月2萬個16GB NAND閃存芯片。到2008年,產(chǎn)量將提高到6萬個。 三星電子還宣布投資22億美元擴(kuò)大46英寸和52英寸液晶電視生產(chǎn)線。
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