日本乱人伦中文三区,91视频国产高清

　　富士電機株式會社（東京都品川區(qū)、代表取締役社長：北澤通宏）推出業(yè)內(nèi)最高水平的低損耗MOSFET“SuperJ-MOS系列”產(chǎn)品。

　　1．上市目的

　　如今，人們對地球環(huán)境越來越關(guān)心，在不斷清潔化的IT領(lǐng)域及新能源等領(lǐng)域中，可實現(xiàn)高效電力變換的功率半導(dǎo)體受到廣泛矚目。

　　其中，MOSFET注1作為電力轉(zhuǎn)換過程所使用的主要裝置，對其降低損耗的要求越來越高。

　　此次，富士電機推出的SuperJ-MOS系列產(chǎn)品，采用具有新開發(fā)的低通態(tài)電阻特性的SJ結(jié)構(gòu)注2，可大幅度地降低損耗。

　　據(jù)此，可通過提高設(shè)備的電力變換效率減少耗電，為實現(xiàn)低碳社會作貢獻(xiàn)。

　　2．產(chǎn)品特點

　　・降低通態(tài)電阻70％注3，達(dá)到業(yè)內(nèi)最高水平的低損耗。

　　・結(jié)合最新降低開關(guān)損耗的技術(shù)，使元器件總損耗降低14％注4。

　　3．主要規(guī)格（代表機型）

　　4．主要用途

　　・服務(wù)器、不間斷電源、播放設(shè)備等信息通信設(shè)備；

　　・面向太陽能電力調(diào)節(jié)器等新能源領(lǐng)域的電力變換裝置等。

　　5．詢問處

　　富士電機株式會社營業(yè)本部電力電子設(shè)備統(tǒng)括本部第3統(tǒng)括部營業(yè)第1部

　　☎03-5435-7256

　　注1MOSFET：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。

　　注2SJ結(jié)構(gòu)：電荷非平衡Superjunction結(jié)構(gòu)

　　其特點是，由于是使MOSFET的耐壓層的p區(qū)和n區(qū)交互存在的結(jié)構(gòu)，可使n區(qū)的雜質(zhì)濃度提高，所以可大幅度降低阻值。

　　以往面狀結(jié)構(gòu)的MOSFET，由于是通過向高阻抗的n層延展電絕緣區(qū)（過流層）來確保耐壓水平的，因此通態(tài)電阻無法降至一定值以下。

　　而SJ結(jié)構(gòu)，是通過在n區(qū)形成p區(qū)，這既可以在縱向又可在橫向延展過流層，因此，即使n層阻抗下降，依然可以確保耐壓水平。據(jù)此，可實現(xiàn)超過以往面狀結(jié)構(gòu)理論極限的低通態(tài)電阻。

　　注3、4與本公司以往產(chǎn)品相比

　?。觰perＪ-MOS產(chǎn)品照片

ＳuperＪ-MOS產(chǎn)品照片