橫河電機(jī)有限公司宣布用于DRAM[＊1]量產(chǎn)的存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)MT6111正式投放市場(chǎng)。 最新發(fā)布的MT6111系統(tǒng)，是市場(chǎng)現(xiàn)有的MT6060系統(tǒng)的改進(jìn)型。和MT6060系統(tǒng)相比較，MT6111系統(tǒng)提高了測(cè)試效率，減少了將近20%的量產(chǎn)測(cè)試時(shí)間。MT6111系統(tǒng)是為占據(jù)了很大半導(dǎo)體市場(chǎng)份額的DRAM的量產(chǎn)而設(shè)計(jì)的高性價(jià)比存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī)。除測(cè)試DRAM之外，MT6111也能應(yīng)用于市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)的NAND/NOR類型閃存[＊2]的測(cè)試。 發(fā)展背景 半導(dǎo)體市場(chǎng)在過去30年內(nèi)持續(xù)增長(zhǎng)并且這種增長(zhǎng)勢(shì)頭在未來還將繼續(xù)。DRAM半導(dǎo)體器件的需求促動(dòng)了這種市場(chǎng)增長(zhǎng)。DRAM不僅在個(gè)人電腦上大量使用，也正在越來越廣泛地應(yīng)用于家用數(shù)碼產(chǎn)品?？梢灶A(yù)測(cè)到DRAM在半導(dǎo)體市場(chǎng)將持續(xù)地占有較大份額。 在半導(dǎo)體市場(chǎng)快速成長(zhǎng)的同時(shí)，IC的制造廠家正在努力降低IC的制造成本來增強(qiáng)其在全球的競(jìng)爭(zhēng)力。例如，早期微制成技術(shù)的應(yīng)用就是為了能從一塊晶圓上制造出更多的芯片。減少測(cè)試成本是半導(dǎo)體制造商增強(qiáng)其在全球競(jìng)爭(zhēng)力的另一關(guān)鍵所在。為了迎合客戶的此種需求，橫河電機(jī)開發(fā)出高效能，低成本的DRAM測(cè)試系統(tǒng)。 系統(tǒng)性能 1. 并行測(cè)試 系統(tǒng)最大配置兩個(gè)獨(dú)立的測(cè)試站，最大的同測(cè)數(shù)目達(dá)到1024 DUT（MT6060產(chǎn)能的兩倍），因此提高了系統(tǒng)的性能并且增強(qiáng)了測(cè)試制程的產(chǎn)出。 2. 低成本高效率的量產(chǎn)測(cè)試 為了提高DRAM的測(cè)試效率并降低測(cè)試成本，MT6111的最大工作主頻率達(dá)到140MHz。 3. 體積小重量輕 MT6111系統(tǒng)僅占據(jù)橫河電機(jī)先前同類系統(tǒng)60%的空間，給測(cè)試制程節(jié)省了大量的空間并且有利于整體運(yùn)行成本的降低。 主要特性參數(shù) 最大工作頻率: 140MHz 數(shù)據(jù)傳輸率: 280Mbits每秒 同測(cè)數(shù)目: 最大1024 DUT（兩個(gè)測(cè)試站時(shí)） 測(cè)試站配置: 2個(gè)（單個(gè)測(cè)試站亦可） 主要市場(chǎng) 半導(dǎo)體制造商和半導(dǎo)體測(cè)試公司 應(yīng)用 半導(dǎo)體器件DRAM ，NAND和NOR類閃存的前道工藝晶圓測(cè)試。 [＊1] DRAM DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，是一類需定期刷新的隨機(jī)存儲(chǔ)器，主要應(yīng)用于個(gè)人電腦。 [＊2] 閃存 閃存是一類可讀寫的穩(wěn)定存儲(chǔ)介質(zhì)。NAND類閃存儲(chǔ)器存儲(chǔ)密度較高，主要應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)的存儲(chǔ)卡等等。NOR類閃存儲(chǔ)器能提供較高的隨機(jī)存儲(chǔ)性能，通常作為手機(jī)的存儲(chǔ)介質(zhì)。