SuVolta公司，前身名為DSM Solutions的新興公司，近期透露了關于該公司計劃通過采用互補結FET技術實現低功耗IC運行的一些細節(jié)。
      SuVolta公司的CTO－－Ashok Kapoor于不久前在英國哥倫比亞省惠斯勒市舉行的2010 CMOS新興技術研討會上進行了發(fā)言。在這種情況下，CMOS面向通信、微系統(tǒng)、光電產品和傳感器。Kapoor的演講題目分別是“采用互補JFET的VLSI”和“用于實現極低功耗的JFET技術”。橫向結FET和MOSFET不同之處在于，前者采用反向偏置P-N結來將柵極與晶體管的襯底隔離，而不是一個絕緣層。并且其溝道摻雜與其源極和漏極的摻雜完全相同，在提出的結少納米線晶體管中產生類似的動作。
      Kapoor是成立于2005年的DSM Solutions公司的創(chuàng)始人之一。該公司籌集到2,500萬美元，從那以后，由董事長Bill Joy和Andy Rappaport分別代表風險投資Kleiner Perkins Caufield& Byers公司和August Capital公司的利益。在2009年12月SuVolt 公司（當時該公司已更名為SuVolta）籌集到300萬美元，由芯片封裝公司Tessera Technologies的前董事長、總裁兼CEO總裁Bruce McWilliams作為CEO加入。SuVolta公司已經獲得了一系列將JFET技術用于實現低功耗邏輯、內存和信號傳送的專利。
      在惠斯勒的發(fā)言中，Kapoor提出采用雙柵極JFET，因為它有一個接近理想的亞閾值擺幅。他給出了采用60nm柵極的NFET和PFET結構的尺寸量測。
      Kapoor還展示了利用基于體硅的互補JFET構造出的99級環(huán)路振蕩器的結果。他還討論了高p-井的電容的不足，和由于面積的不足導致了為在體硅中實現JFET而隔離晶體管。Kapoor提出的解決方案是在硅絕緣體（SOI）基板搭建立互補JFET。
      Kapoor在其惠斯勒的演講中總結到：“隨后，在SOI上用JFET產生功能性邏輯電路也得到了驗證?！彼偨Y說：“JFET操作已被仿真用于溝道長度低于于20nm，有合理的Ion/Ioff比，電源電壓為0.5V，這使得其成為更短尺寸的備選?！?
      最近上任的市場營銷和業(yè)務開發(fā)副總裁Jeff Lewis表示，SuVolta公司正在“開發(fā)一系列能夠顯著降低半導體功率消耗的技術和方法”。Lewis還告訴EE Times記者：“我們沒有打算生產我們自己的芯片;而是計劃將技術提供給其它公司，這樣他們可以用到自己的產品中。”