Graphene晶體管問世 有望替代硅電路

時間:2007-03-10

來源:中國傳動網(wǎng)

導語:graphene的物質(zhì)被描述二維材料,具有極高的晶體和電子特性

曼徹斯特大學(UniversityofManchester)的研究人員與德國MaxPlanckInstitute的研究人員一起開發(fā)出采用一種新型材料的只有一個原子厚、不到50個原子寬的晶體管。這種被稱為graphene的物質(zhì)被描述二維材料,具有極高的晶體和電子特性,在凝聚態(tài)物理學和電子學中具有非常多的潛在應(yīng)用。 研究人員在"NatureMaterials"中透露,這種晶體管由一種新型的炭素同素體組成,可用于制造一次只允許一個電子通過的高速產(chǎn)品。極為關(guān)鍵的是,這種晶體管在室溫下工作,可用于制造未來的電子器件。 該研究團隊由曼切斯特介觀科學與納米科技研究中心(ManchesterCentreforMesoscienceandNanotechnology)教授AndreGeim領(lǐng)導,他認為未來的電子電路可能只包括一層graphene材料。這種電路可能包括中央元素(或稱量子點)、控制單個電子運動的半透明屏障、連接件和邏輯門,完全采用graphene。他透露研究小組已經(jīng)制造出了概念驗證產(chǎn)品,將這種技術(shù)轉(zhuǎn)移到其他領(lǐng)域非常直接,真正的挑戰(zhàn)在于使這種薄膜成本低廉及適于大 規(guī)模應(yīng)用。 研究人員表示,graphene薄膜可能最終替代硅,因為graphene晶體管有效得多,更快而耗能更低。晶體管不僅非常小,用于開啟和關(guān)閉的電壓非常低,因而非常敏感,被視為目前的芯片晶體管的快速低耗能接班人。 以前制造單電子晶體管的嘗試更多地采用標準的半導體材料,需要冷卻到接近絕對零度才能使用。graphene單電子晶體管在室溫下工作。 Geim教授認為,基于graphene的電路要到2025年之后才會出現(xiàn),在此之前硅電路還會占主導地位。 研究人員表示,技術(shù)已經(jīng)從毫米及晶體管發(fā)展到目前的10納米級微處理器,下一步就將使真正的納米級電路。
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