消費(fèi)性應(yīng)用推動(dòng)，2009增至80億美元 來(lái)自InformationNetwork的數(shù)據(jù)表示，2008年全球MEMS器件出貨量增長(zhǎng)25%，達(dá)到25億顆，營(yíng)收也隨之增長(zhǎng)11%左右，接近78億美元。該公司預(yù)計(jì)，到2012年MEMS市場(chǎng)總額將會(huì)達(dá)到154億美元，而消費(fèi)類電子仍將占據(jù)46%的份額，消耗掉價(jià)值為71億美元的MEMS器件?！癕EMS已經(jīng)成為噴墨打印機(jī)以及數(shù)碼相機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)配置，此外采用了3D傳感器和加速計(jì)的MEMS器件正在包括手機(jī)、游戲控制器、玩具、GPS、筆記本電腦以及硬盤(pán)等在內(nèi)的新興應(yīng)用中找到新的市場(chǎng)?！盡ckie表示。 多年來(lái)一直追蹤MEMS市場(chǎng)變化的法國(guó)市場(chǎng)研究與戰(zhàn)略咨詢公司YoleDevelopment不久前發(fā)布的一份報(bào)告顯示，2009年全球MEMS市場(chǎng)仍將溫和增長(zhǎng)。這份由EETimes轉(zhuǎn)載的報(bào)告稱，該公司CEOJeanChirstopheEloy表示，2009年全球MEMS市場(chǎng)總額將增長(zhǎng)至80億美元左右。雖然權(quán)重較小的汽車(chē)類業(yè)務(wù)會(huì)下降10%左右，不過(guò)，占大頭的消費(fèi)類應(yīng)用則會(huì)增長(zhǎng)5%，從32.6億美元增長(zhǎng)至36億美元。 Mckie是在一年一度的Semicon針對(duì)全球MEMS市場(chǎng)做出上述評(píng)論的。與此同時(shí)，該公司還展示了旨在為MEMS設(shè)計(jì)師提供更多生產(chǎn)選擇、并提供更加寬泛的工藝窗口和各種工藝控制的汽相氧化物釋放蝕刻模塊技術(shù)。來(lái)自英國(guó)蘇格蘭的Point35Microstructure創(chuàng)建于2003年，以提供各種高質(zhì)量的翻新半導(dǎo)體制造系統(tǒng)起家。2004年，該公司進(jìn)入MEMS領(lǐng)域，推出了自有的messtar系統(tǒng)。 創(chuàng)新工藝帶來(lái)更大設(shè)計(jì)自由度 Mckie表示，目前晶圓廠中鮮有專為MEMS制造而設(shè)計(jì)的。相反，大部分都采用已有的設(shè)備進(jìn)行MEMS生產(chǎn)。雖然部分MEMS制造的確可以采用現(xiàn)有的光刻、薄膜氣相沉積等工藝進(jìn)行，但諸如深反應(yīng)離子蝕刻、等向性蝕刻、抗粘滯薄膜等被認(rèn)為是MEMS發(fā)展趨勢(shì)工藝制程卻必須要使用特定的制造設(shè)備。 傳統(tǒng)的MEMS工藝主要以干法蝕刻為主，不過(guò)由于它是一種垂直工藝，比如在如圖所示的需要橫向工藝來(lái)將底部掏空的場(chǎng)合就無(wú)法勝任?！斑@無(wú)疑會(huì)對(duì)MEMS設(shè)計(jì)工程師的自由度造成局限，進(jìn)而影響到他們無(wú)法再特定的器件技術(shù)下無(wú)法選擇最優(yōu)的工藝集成方案?！盡ckie表示，“此外，濕法刻蝕（如KOH溶液）還無(wú)法同CMOS技術(shù)兼容，并帶來(lái)工藝控制程度低、釋放粘滯（Releasestiction）、對(duì)集成電路可能造成破壞以及環(huán)境問(wèn)題等諸多不良影響?！? MEMS制造如何擺脫濕法刻蝕帶來(lái)的困境？選擇新的材料無(wú)疑是一條必由之路。不過(guò)，這里要強(qiáng)調(diào)的是，尋找一種能適應(yīng)某種工藝的材料可能是一個(gè)錯(cuò)誤的方向。Point35的選擇是——尋找一種能夠適應(yīng)器件需求的材料。這就是被稱之為犧牲性汽相釋放（SVR）模塊技術(shù)的由來(lái)。 Mckie介紹，與濕法化學(xué)的蝕刻不同，SVR可以完全取出材料而不損壞機(jī)械結(jié)構(gòu)或產(chǎn)生黏附問(wèn)題，而且還具有高度的可選擇性、可重復(fù)性以及均勻性。此外，SVR保留了干燥的表面，省去了包含在濕法工藝中的表面準(zhǔn)備、引入酸、中和以及隨后的干燥等步驟。而同CMOS工藝兼容的優(yōu)勢(shì)也令MEMS器件如IC般在相同的設(shè)施和基板上進(jìn)行生產(chǎn)，并適用于新類型的單芯片MEMS/CMOS器件。 Point35Microstructure的SVR工藝采用XeF2作為升華物（SublimatingSolid），無(wú)水氫氟蒸汽aHF來(lái)去除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)。 拿下中國(guó)買(mǎi)家 “汽相工藝對(duì)滿足MEMS設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展需求起著至關(guān)重要的作用?！盡ckie指出，“Point35Microstructure完備的SVR工藝組合支持氧化物和硅釋放技術(shù)，這些將領(lǐng)設(shè)計(jì)師和制造商充分認(rèn)識(shí)到MEMS廣泛的應(yīng)用中蘊(yùn)藏的巨大市場(chǎng)潛力?！? 由于Memssstar可以覆蓋從設(shè)計(jì)研發(fā)到產(chǎn)品量產(chǎn)的全面需求，經(jīng)過(guò)更換模塊就能輕松實(shí)現(xiàn)，為研發(fā)到量產(chǎn)節(jié)省重新購(gòu)置機(jī)臺(tái)的費(fèi)用。Point35Microstructure技術(shù)也吸引了中國(guó)晶圓廠的注意。 “今年7月，將有一臺(tái)Memsstar機(jī)臺(tái)進(jìn)入中國(guó)晶圓廠?！盡ckie透露。