為共同推動香港微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司于7月30日舉行了香港首條超高真空“第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延片中試線”啟動禮。

　　此次麻省光子技術(shù)將入駐新建的微電子中心(MEC)，建設(shè)香港首條8英寸氮化鎵外延片中試線。

　　據(jù)中國新聞網(wǎng)等多家媒體報道，麻省光子技術(shù)計劃在港投資至少2億港元，于香港科學(xué)園設(shè)立全港首個第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)外延工藝全球研發(fā)中心，開發(fā)8寸先進GaN外延片工藝及設(shè)備平臺，用于制作氮化鎵光電子和功率器件。

　　此外，麻省光子技術(shù)還將在創(chuàng)新園設(shè)立全港首條超高真空量產(chǎn)型GaN外延片中試線，進行小批量生產(chǎn);預(yù)計完成中試并啟動香港的GaN外延量產(chǎn)產(chǎn)線建設(shè)，帶動創(chuàng)造超過250個微電子相關(guān)的就業(yè)職位，包括外延片及設(shè)備設(shè)計、生產(chǎn)流程發(fā)展等，創(chuàng)造實質(zhì)經(jīng)濟價值。

　　氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體的主要代表材料之一，具有寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強以及卓越的擊穿電場等特性，可在高溫和高電壓下進行長時間運作，被廣泛應(yīng)用于LED、激光器、太陽能電池、無線通訊、快充、工業(yè)和汽車等領(lǐng)域。

　　當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，帶動氮化鎵市場規(guī)模同步提升。據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前預(yù)測，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達65%。

　　近年來，香港將第三代半導(dǎo)體作為重點發(fā)展的科技領(lǐng)域。2024年5月，香港立法會財務(wù)委員會批準一項重大投資，即28.3億港元，用于建立“香港微電子研發(fā)中心”，專注于第三代半導(dǎo)體。這項計劃包括建立一條試驗生產(chǎn)線，配備I線光刻設(shè)備、光刻膠顯影工具、高溫離子注入機、高溫退火爐和薄膜工具等必要工具。

　　據(jù)香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東介紹，特區(qū)政府正積極推進微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展。香港微電子研發(fā)院將于年內(nèi)成立，并設(shè)立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協(xié)助初創(chuàng)、中小企業(yè)進行試產(chǎn)、測試和認證，促進產(chǎn)、學(xué)、研在第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)上的合作。