成本可降低10%,日本推碳化硅襯底新技術(shù)

時間:2024-07-01

來源:集邦化合物半導(dǎo)體

導(dǎo)語:據(jù)介紹,中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(升華法)的傳統(tǒng)技術(shù)相比,液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上,良率也會大幅度提升。

       據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,日本中央硝子(Central Glass)開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅(SiC)”襯底的新制造技術(shù)。

  據(jù)介紹,中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(升華法)的傳統(tǒng)技術(shù)相比,液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上,良率也會大幅度提升。

  由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜,此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實際生產(chǎn)中。中央硝子運(yùn)用基于計算機(jī)的計算化學(xué),通過推算溶液的動態(tài)等,成功量產(chǎn)出了6英寸SiC襯底。在此基礎(chǔ)上,公司打算最早于2030年把尺寸擴(kuò)大到8英寸。

  據(jù)了解,自2022年4月起,中央硝子就已經(jīng)開始使用液相法研究和開發(fā)SiC晶圓。

  今年4月,中央硝子宣布其“高質(zhì)量8英寸SiC單晶/晶片制造技術(shù)開發(fā)”項目通過審查,被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織(NEDO)的視為綠色創(chuàng)新基金項目(項目期限為2022財年至2029財年)。該項目后續(xù)將獲得來自NEDO的資助,這一進(jìn)展將有助于中央硝子加速8英寸SiC襯底的開發(fā)。

  報道指出,為了讓客戶采用以新技術(shù)制作的SiC襯底,中央硝子已開始與歐美的大型半導(dǎo)體企業(yè)等展開商討。中央硝子最早將于2024年夏天開始向客戶提供樣品,2027~2028年實現(xiàn)商業(yè)化。該公司將在日本國內(nèi)的工廠實施數(shù)十億日元規(guī)模的投資,爭取將市場份額超過10%。

中傳動網(wǎng)版權(quán)與免責(zé)聲明:

凡本網(wǎng)注明[來源:中國傳動網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權(quán)均為中國傳動網(wǎng)(m.u63ivq3.com)獨(dú)家所有。如需轉(zhuǎn)載請與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個人轉(zhuǎn)載使用時須注明來源“中國傳動網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責(zé)任。

本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權(quán)屬于原版權(quán)人。轉(zhuǎn)載請保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負(fù)版權(quán)法律責(zé)任。

如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

關(guān)注伺服與運(yùn)動控制公眾號獲取更多資訊

關(guān)注直驅(qū)與傳動公眾號獲取更多資訊

關(guān)注中國傳動網(wǎng)公眾號獲取更多資訊

最新新聞
查看更多資訊

娓娓工業(yè)

廣州金升陽科技有限公司

熱搜詞
  • 運(yùn)動控制
  • 伺服系統(tǒng)
  • 機(jī)器視覺
  • 機(jī)械傳動
  • 編碼器
  • 直驅(qū)系統(tǒng)
  • 工業(yè)電源
  • 電力電子
  • 工業(yè)互聯(lián)
  • 高壓變頻器
  • 中低壓變頻器
  • 傳感器
  • 人機(jī)界面
  • PLC
  • 電氣聯(lián)接
  • 工業(yè)機(jī)器人
  • 低壓電器
  • 機(jī)柜
回頂部
點(diǎn)贊 0
取消 0