甬矽電子：募資12億元加碼多維異構(gòu)先進封裝項目

時間：2024-05-29

來源：全球半導(dǎo)體觀察

導(dǎo)語：5月27日，甬矽電子發(fā)布公告稱，公司擬向不特定對象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券的募集資金總額不超過12億元，扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于多維異構(gòu)先進封裝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、補充流動資金及償還銀行借款。

       5月27日，甬矽電子發(fā)布公告稱，公司擬向不特定對象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券的募集資金總額不超過12億元，扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于多維異構(gòu)先進封裝技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、補充流動資金及償還銀行借款。

　　根據(jù)公告，甬矽電子本項目總投資額為14.64萬元，擬使用募集資金投資額為9億元。實施地點位于公司浙江寧波的二期工廠，屆時將購置臨時健合設(shè)備、機械研磨設(shè)備、化學研磨機、干法刻硅機、化學氣相沉積機、晶圓級模壓機、倒裝貼片機、助焊劑清洗機、全自動磨片機等先進的研發(fā)試驗及封測生產(chǎn)設(shè)備，同時引進行業(yè)內(nèi)高精尖技術(shù)、生產(chǎn)人才，建設(shè)與公司發(fā)展戰(zhàn)略相適應(yīng)的研發(fā)平臺及先進封裝產(chǎn)線。

　　公告指出，該項目建成后，甬矽電子將開展“晶圓級重構(gòu)封裝技術(shù)(RWLP)”、“多層布線連接技術(shù)(HCOS-OR)”、“高銅柱連接技術(shù)(HCOS-OT)”、“硅通孔連接板技術(shù)(HCOS-SI)”和“硅通孔連接板技術(shù)(HCOS-AI)”等方向的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，并在完全達產(chǎn)后形成年封測扇出型封裝(Fan-out)系列和 2.5D/3D 系列等多維異構(gòu)先進封裝產(chǎn)品9萬片的生產(chǎn)能力。本項目的實施將進一步深化公司在先進封裝領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局，持續(xù)提升公司核心競爭力。

　　在先進晶圓級封裝技術(shù)方面，甬矽電子表示公司已有一定的技術(shù)儲備，包括對先進制程晶圓進行高密度、細間距重布線的技術(shù)(RedistributionLayer，即 RDL)、晶圓凸塊技術(shù)(Bumping)、扇入(Fan-in)技術(shù)等。同時，公司還在積極開發(fā)扇出(Fan-out)封裝、蝕刻技術(shù)等晶圓級多維異構(gòu)封裝技術(shù)，并已取得了部分發(fā)明專利。

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