5月9日，據(jù)湖南三安半導(dǎo)體消息，湖南三安半導(dǎo)體董事長林志東近日作為中國半導(dǎo)體企業(yè)代表應(yīng)邀參加了中法企業(yè)家委員會第六次會議。

　　在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項(xiàng)目最新進(jìn)展。據(jù)介紹，位于湖南湘江新區(qū)的湖南三安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司，2020年落戶長沙，僅用一年時(shí)間就點(diǎn)火試產(chǎn)。目前，一期已經(jīng)全線投產(chǎn)，目前SiC年產(chǎn)能已達(dá)到25萬片(6英寸)。二期正在建設(shè)中，將全部導(dǎo)入8英寸生產(chǎn)設(shè)備和工藝，計(jì)劃今年三季度投產(chǎn)。整個(gè)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)總計(jì)年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。

　　據(jù)悉，該項(xiàng)目作為國內(nèi)首個(gè)、世界第三個(gè)SiC全產(chǎn)業(yè)鏈整合研發(fā)與制造項(xiàng)目，總投資160億元，規(guī)劃用地面積約1000畝，主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié)。該項(xiàng)目一期于2020年7月破土動工，2021年6月23日正式投產(chǎn)，并于同年11月量產(chǎn)下線SiC SBD全系列產(chǎn)品。2022年7月，該項(xiàng)目二期工程開工。

　　產(chǎn)品方面，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應(yīng)用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計(jì)出貨量超2億顆;SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進(jìn)行模塊驗(yàn)證;湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點(diǎn)客戶批量導(dǎo)入。

　　此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國際車展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產(chǎn)品是湖南三安目前1200V電壓平臺最小導(dǎo)通電阻、最大額定電流產(chǎn)品。

　　合作方面，湖南三安與維諦技術(shù)于3月28日宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，雙方將共同推動數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展?；诖?，湖南三安SiC業(yè)務(wù)有望向數(shù)據(jù)中心、通信等領(lǐng)域加速滲透。