韓媒《朝鮮日報》(Chosun)引述業(yè)界人士的話表示，三星已開始制造第二代3納米制程(SF3)試制品，并測試芯片性能和可靠性，目標是6個月力拼良率超過60%。
臺積電、三星都在積極爭取客戶，準備上半年量產第二代3納米GAA架構制程，能否滿足Nvidia、高通、AMD等大客戶需求，同時迅速提高產量，是競爭中能否成功的關鍵。
三星正測試 SF3 試制芯片的性能和可靠性，首款產品將搭載即將推出的 Galaxy Watch 7 應用處理器(AP)，預計用在 Galaxy S25 系列 Exynos 2500 芯片。
如果SF3產量和性能穩(wěn)定，轉向臺積電的客戶將有機會回流，例如三星就相當關注與高通的合作。后者在新一代 Snapdragon 8 Gen 3 中與臺積電合作生產。此外，Nvidia H200、B100和AMD MI300X預計也將采臺積電3納米制程。
三星去年11月宣布，將于2024下半年量產SF3制程，雖然《朝鮮日報》報道未獲三星回復，但從時間看推測相當合理。不過，報道提到芯片良率 60%，但沒提到晶體管數量、芯片尺寸、性能、功耗及其他規(guī)格。
此外，智能手表應用處理器、手機芯片和數據中心處理器的芯片尺寸、性能和功耗目標完全不同。小型芯片如果良率只有 60%，要商用相當困難，但若是光罩尺寸(reticle size)的芯片良率為 60%，就相當合理。
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